【技术实现步骤摘要】
搭载声光传感功能的结型发光三极管显示器及其制造方法
[0001]本专利技术涉及一种搭载声光传感功能的结型发光三极管显示器及其制造方法,属于显示器制造领域。
技术介绍
[0002]随着科学技术的发展,以智能手机、平板电脑、智能家居、可穿戴电子通讯设备为代表的新兴智能领域蓬勃发展,这也对显示器结构提出了更高要求。然而传统显示器刷新率低、能耗高、体积大、可靠性低、功能单一,已经无法满足现在人们对视觉体验以及交互显示的更多要求。
[0003]垂直型发光三极管凭借其优异的材料特性,可用于实现高画质、超薄显示、大面积等离子显示的器件,突破了传统显示器件的理论性能极限,因而受到广泛的关注并成为显示器件的重要发展方向。
技术实现思路
[0004]为解决现有技术中的不足,本专利技术提供一种搭载声光传感功能的结型发光三极管显示器,使用半导体工艺制备的结型发光三极管模组不仅可以实现高分辨率、高亮度、高对比度和低响应时间的显示功能,还可以实时接收外界图像和声音信息,为交互显示的单芯片集成提供了切实可行的方案。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种搭载声光传感功能的结型发光三极管显示器,其特征在于,包括:多个像素,每个所述像素包括发光子像素G、图像传感子像素CIS和声电子像素AS;驱动背板,所述驱动背板上设有若干规则排列的过孔,所述发光子像素G、图像传感子像素CIS或声电子像素AS覆盖至少一个所述过孔,所述驱动背板承载多个像素,并分别驱动所述发光子像素G发光、图像传感子像素CIS接收外界图像信息以及声电子像素AS接收声音信息;所述发光子像素G、图像传感子像素CIS和声电子像素AS均包括阳极、半导体器件和ITO薄膜层,所述阳极设置在驱动背板上,且覆盖至少一个过孔,所述半导体器件位于阳极远离驱动背板的一侧,所述ITO薄膜层位于所述半导体器件远离驱动背板的一侧;所述半导体器件包括外延层、离子注入区、栅极、栅极绝缘层、钝化层、金属硅化物和金属层,所述外延层位于阳极远离驱动背板的一侧,所述外延层上表面内形成离子注入区,所述栅极绝缘层位于外延层上表面,所述栅极位于栅极绝缘层上表面,所述钝化层位于外延层远离驱动背板的一侧,且所述钝化层包覆栅极和栅极绝缘层,所述钝化层上开有源电极槽口,所述钝化层远离驱动背板的一侧生长有金属层,且在源电极槽口底部形成金属硅化物。2.根据权利要求1所述的搭载声光传感功能的结型发光三极管显示器,其特征在于,所述离子注入区包括N+区、P阱区和P+区,且所述N+区、P阱区和P+区在外延层上表面内形成超结结构。3.根据权利要求1所述的搭载声光传感功能的结型发光三极管显示器,其特征在于,所述声电子像素AS中的ITO薄膜层上沉积有Si层,并在Si层内制作有释放后的牺牲层,所述Si层远离驱动背板的一侧依次沉积有第一MO层、AlN层和第二MO层,所述ITO薄膜层经通孔填充薄膜与第一MO层连接。4.根据权利要求1所述的搭载声光传感功能的结型发光三极管显示器,其特征在于,所述发光子像素G中还包括LED发光单元,所述LED发光单元位于ITO薄膜层远离驱动背板的一侧。5.根据权利要求1所述的搭载声光传感功能的结型发光三极管显示器,其特征在于,所述LED发光单元包括发光层和金属电极,所述发光层位于ITO薄膜层远离驱动背板的一侧,所述金属电极位于发光层远离驱动背板的一侧,所述发光层采用OLED绿色发光材料。6.根据权利要求4所述的搭载声光传感功能的结型发光三极管显示器,其特征在于,还包括层间介质层和共阴极,所述层间介质层生长填充在发光子像素G、图像传感子像素CIS和声电子像素AS之间,所述发光子像素G、图像传感子像素CIS和声电子像素AS对应的层间介质层上均开有电极槽,所述共阴极设置在层间介质层远离驱动背板的一侧,且覆盖电极槽,所述发光子像素G中...
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