非挥发性存储器的擦除方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种非挥发性存储器的擦除方法中，对一个选定擦除块的擦除流程包括如下步骤：步骤一、完成擦除过程步骤，包括一次以上的擦除循环步骤，各次擦除循环步骤中实现对选定区块中的选定擦除块的一次擦除操作。步骤二、对选定擦除块进行过擦除操作。步骤三、进行第一次修复操作，用于对选定区块中受擦除干扰区域内的各存储单元进行修复。步骤四、进行第二次修复操作，用于对选定区块外的非选定区块内的存储单元进行修复。步骤五、擦除流程结束。本发明专利技术还公开了一种非挥发性存储器的擦除装置。本发明专利技术能在擦除流程中对非同一区块没有受到擦除干扰或擦除干扰较弱的存储单元进行修复，改善整个存储单元的可靠性。改善整个存储单元的可靠性。改善整个存储单元的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
非挥发性存储器的擦除方法和装置


[0001]本专利技术涉及半导体集成电路领域，特别是涉及一种非挥发性(nonvolatile)存储器(memory)的擦除方法。本专利技术还涉及一种非挥发性存储器的擦除装置。

技术介绍

[0002]对于浮栅(Floating gate，FG)闪存(Flash)memory,由于电荷存储在浮栅中，当浮栅中有较多电荷时，存储单元(cell)的阈值电压(Vt)为高；当浮栅中有较少电荷时，存储单元的阈值电压为低。这样能根据存储电荷的多少，来区分存储的是“0”还是“1”。一般定义为：编程(Program)时电荷被吸引到浮栅，浮栅中有较多电荷，存储单元的阈值电压为高，存储的数据为“0”；相反，擦除(erase)时电荷被吸引到浮栅，浮栅中有较少电荷，存储单元的阈值电压为低，存储的数据为“1”。
[0003]由于存在浮栅，一个存储单元上，字线(word line，WL)的电压，和位线(bit line，BL)的电压对浮栅都有影响，最终的浮栅上的电压是由字线和位线的电压共同决定的。在读操作时，在要读的单元字线上加字线读取电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种非挥发性存储器的擦除方法，其特征在于，非挥发性存储器的存储阵列中包括多个区块，各所述区块包括多个擦除块，对一个选定擦除块的擦除流程包括如下步骤：步骤一、完成擦除过程步骤，所述擦除过程步骤包括一次以上的擦除循环步骤，各所述擦除循环步骤中实现对选定区块中的选定擦除块的一次擦除操作；步骤二、对所述选定擦除块进行过擦除操作；步骤三、进行第一次修复操作，用于对所述选定区块中受擦除干扰区域内的各存储单元进行修复；步骤四、进行第二次修复操作，用于对所述选定区块外的非选定区块内的存储单元进行修复；步骤五、所述擦除流程结束。2.如权利要求1所述的非挥发性存储器的擦除方法，其特征在于：所述非挥发性存储器上电后，会经历一次以上的所述擦除流程；每一次所述擦除流程中都进行步骤四；或者，仅在设定的固定次数或随机次数对应的所述擦除流程中进行步骤四，次数不等于设定的固定次数或随机次数时所述擦除流程中省略步骤四。3.如权利要求1所述的非挥发性存储器的擦除方法，其特征在于：步骤四设置在步骤二完成之后；或者，步骤四设置步骤二完成之前的步骤一的所述擦除过程步骤中或所述擦除过程步骤完成后。4.如权利要求1所述的非挥发性存储器的擦除方法，其特征在于：每一次的所述擦除流程的步骤四中，所述第二次修复操作对全部所述非选定区块内的所述存储单元进行修复或者对部分所述非选定区块内的所述存储单元进行修复。5.如权利要求4所述的非挥发性存储器的擦除方法，其特征在于：每一次的所述擦除流程的步骤四中，所述第二次修复操作对一个所述非选定区块内的所述存储单元的修复；各次所述擦除流程的所述第二次修复操作所修复的所述非选定区块的地址不同。6.如权利要求5所述的非挥发性存储器的擦除方法，其特征在于：各次所述擦除流程的所述第二次修复操作所修复的所述非选定区块的地址设置为：第一次所述擦除流程的步骤四中所述非选定区块的地址由所述非挥发性存储器上电时形成的随机地址得到或者为固定地址；当前次所述擦除流程的步骤四中所述非选定区块的地址由上一次所述擦除流程的步骤四中所述非选定区块的地址加1得到；如果当前次所述擦除流程的步骤四中所述非选定区块的地址达到最大地址，则下一次所述擦除流程的步骤四中所述非选定区块的地址设置为第一次所述擦除流程的步骤四中所述非选定区块的地址。7.如权利要求6所述的非挥发性存储器的擦除方法，其特征在于：如果各次所述擦除流程的步骤四中所设定的所述非选定区块的地址等于所述选定区块的地址，则步骤四省略。8.如权利要求6所述的非挥发性存储器的擦除方法，其特征在于：步骤四中，所述第二次修复操作包括如下分步骤：步骤40、对设置所述非选定区块的地址和所述选定区块的地址进行比较，如果相同则转到步骤44，如果不相同则转到步骤41；
步骤41、对“1”存储单元进行修复；步骤42、对“0”存储单元进行修复；步骤43、将所述非选定区块的地址加1；步骤44、结束所述第二次修复操作。9.如权利要求8所述的非挥发性存储器的擦除方法，其特征在于：在部分次数或全部次数的所述擦除流程中，省略步骤42，只对所述“1”存储单元进行修复；或者，在部分次数或全部次数的所述擦除流程中，省略步骤41，只对所述“0”存储单元进行修复；或者，在部分次数或全部次数的所述擦除流程中，同时对所述“1”存储单元进行修复和对所述“0”存储单元进行修复，步骤41和步骤42都进行。10.如权利要求8所述的非挥发性存储器的擦除方法，其特征在于：步骤41包括如下分步骤：步骤41a、对所述“1”存储单元进行第一次阈值电压验证，以验证所述“1”存储单元的阈值电压是否达到第一预设阈值电压；步骤41b、对所述第一次...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪齐方，金晓明，
申请(专利权)人：普冉半导体上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：