半导体存储装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种可使因电源电压的瞬停或变动等而中断的写入自动复位的半导体存储装置。本发明专利技术的非易失性存储器包括形成有或非型阵列及电阻变化型阵列的存储单元阵列。在向或非型阵列的写入过程中电源电压下降到断电电平的情况下，读写控制部将未写入数据写入电阻变化型阵列中。之后，在检测到电源电压的通电时，读写控制部从电阻变化型阵列读取未写入数据，并将未写入数据写入或非型阵列中，由此使中断的写入复位。中断的写入复位。中断的写入复位。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储装置


[0001]本专利技术涉及一种使或非(Not OR，NOR)型快闪存储器与电阻变化型存储器集成的半导体存储装置。

技术介绍

[0002]或非型快闪存储器是在位线与源极线之间配置一个存储单元(memory cell)，能够进行对存储单元的随机存取(random access)的非易失性存储器。另外，为了实现其集成度的提高，采用了虚拟接地方式或多值方式(例如日本专利特开2011
‑
192346号公报)。
[0003]另一方面，作为取代或非型快闪存储器的非易失性存储器，有利用可变电阻元件的电阻变化型存储器。电阻变化型存储器是通过对可变电阻元件施加脉冲电压，使可变电阻元件可逆且非易失地变为高电阻状态或低电阻状态来存储数据(例如日本专利6810725号公报)。

技术实现思路

[0004]或非(Not OR，NOR)型快闪存储器能够随机存取存储单元，但为了实现与与非(Not AND，NAND)型快闪存储器等的兼容性，能够进行以页为单位的写入(编程)。NOR型快闪存储器例如根据从主计算机输出的数据输入本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储装置，包括：存储单元阵列，包括具有或非型或与非型快闪存储器结构的第一存储单元阵列、及具有电阻变化型存储器结构的第二存储单元阵列；控制部件，控制所述第一存储单元阵列或所述第二存储单元阵列中被选择的存储单元的读写；以及第一检测部件，检测电源电压已下降至断电电平，当在向所述第一存储单元阵列的写入动作过程中由所述第一检测部件检测到断电电平时，所述控制部件将至少未完成向所述第一存储单元阵列的写入的未写入数据写入所述第二存储单元阵列中。2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，还包括第二检测部件，所述第二检测部件检测电源电压已达到通电电平，当由所述第二检测部件检测到通电电平时，所述控制部件从所述第二存储单元阵列读取所述未写入数据，并将所读取的所述未写入数据写入所述第一存储单元阵列中。3.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其中，所述控制部件进而将用于进行向所述第一存储单元阵列的写入的地址与未写入数据一起写入所述第二存储单元阵列中，所述控制部件按照从所述第二存储单元阵列读取的地址，将未写入数据写入所述第一存储单元阵列中。4.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其中，所述控制部件进而将用于进行向所述第一存储单元阵列的写入的命令与未写入数据一起写入所述第二存储单元阵列中，所述控制部件按照从所述第二存储单元阵列读取的命令，将未写入数据写入所述第一存储单元阵列中。5.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，还包括数据保持部件，所述数据保持部件保持从外部输入的数据，所述控制部件将保持于所述数据保持部件中的数据写入所述第一存储单元阵列中，当检测到所述断电电平时，将保持于所述数据保持部件中的未写入数据写...

【专利技术属性】
技术研发人员：矢野胜，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：