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本发明公开了一种非挥发性存储器的擦除方法中,对一个选定擦除块的擦除流程包括如下步骤:步骤一、完成擦除过程步骤,包括一次以上的擦除循环步骤,各次擦除循环步骤中实现对选定区块中的选定擦除块的一次擦除操作。步骤二、对选定擦除块进行过擦除操作。步骤...该专利属于普冉半导体(上海)股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过普冉半导体(上海)股份有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种非挥发性存储器的擦除方法中,对一个选定擦除块的擦除流程包括如下步骤:步骤一、完成擦除过程步骤,包括一次以上的擦除循环步骤,各次擦除循环步骤中实现对选定区块中的选定擦除块的一次擦除操作。步骤二、对选定擦除块进行过擦除操作。步骤...