基于温度的半导体晶片单片化制造技术

本申请涉及基于温度的半导体晶片单片化。在一些示例中，一种用于制造半导体封装件的方法(700)包括使用激光沿着半导体晶片的厚度形成(702)一列隐形损伤位置，每个隐形损伤位置具有与其相关联的半导体晶片裂纹。该方法还包括将第一温度施加(704)到半导体晶片以使半导体晶片膨胀。该方法包括向半导体晶片施加(706)低于第一温度的第二温度以使半导体晶片收缩，并将两个半导体晶片裂纹与另一个半导体晶片裂纹连结。第一温度和第二温度之间的差至少是100摄氏度。少是100摄氏度。少是100摄氏度。

【技术实现步骤摘要】
基于温度的半导体晶片单片化

技术介绍

[0001]半导体芯片通常被容纳在半导体封装件内，以保护芯片免受有害环境(例如，热、潮湿和碎片)的影响。封装芯片通过暴露于封装件的表面的导电构件(例如引线)与封装件外部的电子器件通信。在封装件内，芯片可以使用任何合适的技术电耦合到导电构件。一种这样的技术是倒装芯片技术，其中半导体芯片(也被称为“管芯”)被翻转，使得芯片的器件侧(在其中形成电路系统)面向下。器件侧使用例如焊料凸块耦合到导电构件。另一种技术是引线键合技术，其中半导体芯片的器件侧向上定向，并使用键合线耦合到导电构件。

技术实现思路

[0002]在一些示例中，一种用于制造半导体封装件的方法包括使用激光沿着半导体晶片的厚度形成一列隐形损伤位置，每个隐形损伤位置具有与其相关联的半导体晶片裂纹。该方法还包括将第一温度施加到半导体晶片以使半导体晶片膨胀。该方法包括向半导体晶片施加低于第一温度的第二温度，以使半导体晶片收缩，并将两个半导体晶片裂纹与另一个半导体晶片裂纹连结。第一温度和第二温度之间的差至少是100摄氏度。
附图说明
[0003]对于各种示本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于制造半导体封装件的方法，包括：使用激光沿着半导体晶片的厚度形成一列隐形损伤位置，每个所述隐形损伤位置具有与其相关联的半导体晶片裂纹；将第一温度施加到所述半导体晶片以使所述半导体晶片膨胀；以及向所述半导体晶片施加低于所述第一温度的第二温度以使所述半导体晶片收缩，并将所述半导体晶片裂纹中的两个与另一个半导体晶片裂纹连结，其中所述第一温度和所述第二温度之间的差至少是100摄氏度。2.根据权利要求1所述的方法，还包括拉伸所述半导体晶片以沿着所述两个半导体晶片裂纹分离所述半导体晶片。3.根据权利要求1所述的方法，其中施加所述第一温度和施加所述第二温度之间的时间小于2分钟。4.根据权利要求1所述的方法，还包括施加所述第一温度达介于5分钟至10分钟的持续时间。5.根据权利要求1所述的方法，还包括施加所述第二温度达少于2分钟的持续时间。6.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述一列隐形损伤位置包括使用介于0.2瓦至0.4瓦的激光功率。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述列中的所述隐形损伤位置之间的距离介于25微米至80微米。8.一种用于制造半导体封装件的方法，包括：使用激光在半导体晶片中形成第一隐形损伤位置，所述第一隐形损伤位置与第一半导体晶片裂纹流体连通；在所述半导体晶片中形成第二隐形损伤位置，所述第二隐形损伤位置与第二半导体晶片裂纹流体连通；以及加热所述半导体晶片并随后冷却所述半导体晶片，以形成第三半导体裂纹，所述第三半导体裂纹将所述第一半导体裂纹和所述第二半导体裂纹彼此流体连通地连结。9.根据权利要求8所述的方法，其中加热所述半导体晶片包括向所述半导体晶片施加第一温度，并且冷却所述半导体晶片包括向所述半导体晶片施加第二温度，所述第一温度和所述第二温度之间的差至少是100摄氏度。10.根据权利要求9所述的方法，其中施加所述第一温度和所述第二温度之间的时间不超过2分钟。11.根据权利要求10所述的方法，其中加热所述半导体晶片包括将所述第一温度施加于所述半导体晶片达介于5分钟至10分钟的时间，并且其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：J，
申请(专利权)人：德克萨斯仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：