去除基板上的颗粒或光刻胶的方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种去除基板上的颗粒或光刻胶的方法及装置。在一个实施例中，一种方法包括以下步骤：将一片或多片基板传输至容纳于DIO3槽的DIO3溶液中；所述一片或多片基板在DIO3槽中处理完后，将所述一片或多片基板从DIO3槽中取出并传输至容纳于SPM槽的SPM溶液中；所述一片或多片基板在SPM槽中处理完后，将所述一片或多片基板从SPM槽中取出并进行冲洗；以及将所述一片或多片基板传输至一个或多个单片清洗腔中以执行单片基板清洗和干燥工艺。本发明专利技术将DIO3和SPM结合在一个清洗程序中，可以去除颗粒或光刻胶，尤其是去除被中剂量或高剂量离子注入处理过的光刻胶。高剂量离子注入处理过的光刻胶。高剂量离子注入处理过的光刻胶。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】去除基板上的颗粒或光刻胶的方法及装置


[0001]本专利技术涉及半导体湿法清洗领域，尤其涉及去除半导体基板上的颗粒或光刻胶的方法及装置。

技术介绍

[0002]传统地，有机光刻胶去除工艺是通过采用干法处理和湿法处理相结合的方式进行开发的。然而，基于活性等离子体灰化的干法处理出现了一些问题，例如等离子体引起的损伤、光刻胶爆裂、光刻胶去除不完全以及副产物再沉积，因此，需要后续进行湿法去胶/清洗。为了避免等离子体出现的问题，研发了基于有机溶剂和侵蚀性酸性化学，例如硫酸
‑
过氧化氢混合物(SPM)的湿法去胶工艺。如今，SPM广泛用于光刻胶去胶和光刻胶后的去胶清洗工艺。
[0003]在过去的几十年里，由于高产量和较低的操作成本，SPM湿法去胶工艺通常在湿法槽式清洗机中完成。然而，如今仅采用SPM槽式清洗工艺达不到先进制造节点所要求的清洗性能，原因包括(1)当颗粒尺寸降低至45nm及以下时，槽式清洗机的颗粒去除效率大幅降低；(2)由于SPM浴具有145℃的温度限制，无法去除被高剂量(>1E17 ions/cm2)离子本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种去除基板上的颗粒或光刻胶的方法，其特征在于，包括：将一片或多片基板传输至容纳于DIO3槽的DIO3溶液中；所述一片或多片基板在DIO3槽中处理完后，将所述一片或多片基板从DIO3槽中取出并传输至容纳于SPM槽的SPM溶液中；所述一片或多片基板在SPM槽中处理完后，将所述一片或多片基板从SPM槽中取出并进行冲洗；以及将所述一片或多片基板传输至一个或多个单片清洗腔中以执行单片基板清洗和干燥工艺。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：在所述一片或多片基板被传输至DIO3槽中之前，将所述一片或多片基板传输至容纳于HF配方溶液槽的HF配方溶液中。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述HF配方溶液是HF和DIW的混合物，HF与DIW的混合比为100:1至1000:1。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述HF配方溶液为BOE混合物，所述BOE混合物中，HF的重量百分比为0.05％至10％，NH4F的重量百分比为10％至40％。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述DIO3溶液中的臭氧浓度为30ppm至120ppm。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，供应至所述DIO3槽中的DIO3流量为10LPM至30LPM。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述一片或多片基板被传输至DIO3槽之前，DIO3槽中的液体为DIW。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，进一步包括：打开DIO3槽的盖子，将所述一片或多片基板传输至DIO3槽的DIW中，关闭DIO3槽的盖子；从DIO3槽的底部溢流出臭氧水以替换DIO3槽中的DIW；DIO3槽中充满臭氧水后，保持臭氧水溢流5到15分钟；快速排放臭氧水；用纯DIW填充DIO3槽；打开DIO3槽的盖子，将所述一片或多片基板从DIO3槽中取出。9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述SPM溶液为H2SO4与H2O2的混合物，H2SO4与H2O2的混合比为3:1至50:1，混合物的温度为80℃至150℃。10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，冲洗所述一片或多片基板的步骤包括快排冲洗和溢流清洗。11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：所述一片或多片基板从SPM槽中取出后，且在所述一片或多片基板被传输至一个或多个单片清洗腔中之前，使所述一片或多片基板保持在湿润状态。12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述一个或多个单片清洗腔中的工艺包括：至少一个HF配方溶液表面蚀刻工艺、至少一个DIO3氧化工艺、至少一个SC1颗粒去除工艺、至少一个DIW清洗工艺和至少一个干燥工艺。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，在SC1颗粒去除工艺之后，还包括至少一个SC2金属去除工艺。14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述一个或多个单片清洗腔中的工艺包括：至少一个DIO3氧化工艺、至少一个SC1颗粒去除工艺、至少一个DIW清洗工艺和至少一个干燥工艺。15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，在SC1颗粒去除工艺之后，还包括至少一个SC2金属去除工艺。16.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述一个或多个单片清洗腔中的工艺包括：至少一个HF配方溶液表面蚀刻工艺、至少一个DIO3氧化工艺、至少一个DIW清洗工艺和至少一个干燥工艺。17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，在DIO3氧化工艺之后，还包括至少一个SC2金属去除工艺。18.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述一个或多个单片清洗腔中的工艺包括：至少一个SC1颗粒去除工艺、至少一个DIW清洗工艺和至少一个干燥工艺。19.根据权利要求18所述的方法，其特征在于，在SC1颗粒去除工艺之后，还包括至少一个SC2金属去除工艺。20.一种去除基板上的颗粒或光刻胶的方法，其特征在于，包括：将一片或多片基板传输至容纳于SPM槽的SPM溶液中；所述一片或多片基板在SPM槽中处理完后，将所述一片或多片基板从SPM槽中取出并进行冲洗；以及将所述一片或多片基板传输至一个或多个单片清洗腔中以执行单片基板清洗和干燥工艺，其中，单片基板清洗和干燥工艺包括至少一个DIO3氧化工艺。21.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，进一步包括：在所述一片或多片基板被传输至SPM槽中之前，将所述一片或多片基板传输至容纳于HF配方溶液槽的HF配方溶液中，然后将所述一片或多片基板从HF配方溶液槽中取出并冲洗。22.根据权利要求21所述的方法，其特征在于，所述HF配方溶液为HF和DIW的混合物，HF和DIW的混合比为100:1至1000:1。23.根据权利要求21所述的方法，其特征在于，所述HF配方溶液为BOE混合物，所述BOE混合物中，HF的重量百分比为0.05％至10％，NH4F的重量百分比为10％至40％。24.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，所述SPM溶液为H2SO4与H2O2的混合物，H2SO4与H2O2的混合比为3:1至50:1，混合物的温度为80℃至150℃。25.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，冲洗所述一片或多片基板的步骤包括快排冲洗和溢流清洗。26.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，进一步包括：所述一片或多片基板从SPM槽中取出后，且在所述一片或多片基板被传输至一个或多个单片清洗腔中之前，使所述一
片或多片基板保持在湿润状态。27.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，所述DIO3溶液中的臭氧浓度为30ppm至120ppm。28.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，所述一个或多个单片清洗腔中的工艺包括：DI...

【专利技术属性】
技术研发人员：张晓燕，王文军，陈福平，王俊，贾社娜，王德云，王晖，夏光煜，王鹤，
申请(专利权)人：盛美半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：