本申请实施例提供了一种晶圆激光处理用加工装置，属于晶圆加工技术领域。加工装置包括舱体和吸盘，舱体内部具有密闭的腔室，舱体的顶部设置有供激光穿过的通孔，通孔处盖设有保护镜片；吸盘设置于腔室内并位于通孔的正下方，吸盘用于供晶圆放置并对晶圆吸附定位；其中，腔室内还设置有第一氮气吹扫通道和排气通道，第一氮气吹扫通道用于向腔室内吹出氮气，以使腔室内的氧浓度值在预设范围，排气通道用于排出腔室内气体。这种晶圆激光处理用加工装置能够改善晶圆的加工质量。置能够改善晶圆的加工质量。置能够改善晶圆的加工质量。
【技术实现步骤摘要】
一种晶圆激光处理用加工装置
[0001]本申请涉及晶圆加工
，具体而言，涉及一种晶圆激光处理用加工装置。
技术介绍
[0002]目前，激光器对晶圆加工时，激光作用于半导体晶圆片，对晶圆的表面进行加工处理，在对晶圆加工的过程中，一般向加工区吹扫氮气，从而来控制晶圆加工区的氧浓度，从而保证晶圆的加工质量。现有技术中对晶圆加工时一般在开放空间进行加热，利于晶圆加工过程中热量的散失，但是在开放环境中一般所需要的氮气需求量特别大，并且开放环境中加工区的氧浓度控制难度高，使得晶圆的加工质量不易得到保证。如公开号为CN207558750U的专利公开了一种用于微孔加工的晶圆夹具，包括环状支撑座、进气通道、出气通道、固定件，环状支撑座中间开设悬空孔，晶圆边缘由环状支撑座支撑，当晶圆的中间正对悬空孔放置时，晶圆的中心用于刻蚀的位置呈悬空，可以用于激光刻蚀加工微孔；进气通道和出气通道分别开设于环状支撑座的周向侧壁上，使悬空孔与外界保持横向连通，出气通道与进气通道相对设置；固定件与晶圆的边缘接触，将晶圆压装固定于环状支撑座的上表面。晶圆正上方设置吹气装置，当微孔打通后将晶圆上微孔中的碎屑向下吹送至悬空孔内，碎屑随进气通道进入的气流从出气通道向外排出。该方案中便为开放环境中进行晶圆的加工，所需的氮气需求量较大，并且晶圆加工范围内的氧浓度也不易控制，晶圆的加工质量不易得到保障。
技术实现思路
[0003]本申请实施例提供一种晶圆激光处理用加工装置，能够改善晶圆的加工质量。
[0004]本申请实施例提供了一种晶圆激光处理用加工装置，加工装置包括舱体和吸盘，舱体内部具有密闭的腔室，舱体的顶部设置有供激光穿过的通孔，通孔处盖设有保护镜片；吸盘设置于腔室内并位于通孔的正下方，吸盘用于供晶圆放置并对晶圆吸附定位；其中，腔室内还设置有第一氮气吹扫通道和排气通道，第一氮气吹扫通道用于向腔室内吹出氮气，以使腔室内的氧浓度值在预设范围，排气通道用于排出腔室内气体。
[0005]在本方案中，通过在舱体内形成有密闭的腔室，腔室内的吸盘可以供晶圆放置并对其吸附定位，在对晶圆进行加工时，激光穿过保护镜片对吸盘上的晶圆进行加工，而舱体内密闭的空间可以使得晶圆处于一个密闭腔室中，即密闭腔室的设计，利用第一氮气吹扫通道和排气通道配合，排气通道排出腔室内的多余气体，第一氮气吹扫通道吹入惰性气体来降低腔室内的氧含量，满足晶圆在超低氧浓度的环境下加工，改善了晶圆的加工质量，并且相比于传统的晶圆加工处于开放空间而言，密闭的腔室所对氮气的需求量相对较少，节约了晶圆加工的成本。
[0006]在一些实施例中，腔室内设置有检测元件，检测元件用于监测腔室内的氧气浓度值。
[0007]上述技术方案中，在第一氮气吹扫通道和排气通道的两者作用下，通过在腔室内
设置有检测元件，可以实时检测腔室内的氧浓度值，并可以根据氧浓度值来动态控制第一氮气吹扫通道和排气通道的工作。
[0008]在一些实施例中，吸盘为陶瓷材质，吸盘的底部设置有水冷组件，水冷组件用于对吸盘进行水冷降温。
[0009]上述技术方案中，由于激光在对晶圆加工过程中会产生高温，通过在吸盘的下方设置有水冷组件，水冷组件可以对加工中的晶圆进行冷却，解决了激光对晶圆加工时的温度控制，而带吸附孔的陶瓷吸盘耐高温，可以对晶圆很好的吸附定位，确保了晶圆位置的确定性。
[0010]在一些实施例中，舱体的一侧开设有供机械手伸入于腔室的工作口，工作口设置有腔室门组件，腔室门组件用于对工作口进行打开或关闭。
[0011]上述技术方案中，通过在舱体的一侧设置有工作口，工作口设置有腔室们组件，利用工作口可以满足机械手对晶圆的取放的同时，腔室门组件可以对工作口进行打开或关闭，使得晶圆在密闭的腔室内，易于控制腔室的氧浓度，改善晶圆的加工质量。
[0012]在一些实施例中，腔室内设置有顶升组件，顶升组件用于承接机械手上的晶圆并将其转移至吸盘上，和/或将吸盘上的晶圆转移至取放位置处以供机械手取走。
[0013]上述技术方案中，通过在腔室内设置有顶升组件，顶升组件可以实现机械手与吸盘两者之间晶圆的转移，简化了外部机械手的操作难易程度，机械手只需要穿过工作口伸入于腔室内一定深度便可，顶升组件便可以承接机械手上的晶圆或者供机械手取走顶升组件上的晶圆。
[0014]在一些实施例中，顶升组件包括顶升盘和第二驱动件，顶升盘用于与承托晶圆，第二驱动件用于驱动顶升盘上下升降，以用于承接机械手上的晶圆并将其转移至吸盘上，和/或将吸盘上的晶圆转移至取放位置处以供机械手取走。
[0015]上述技术方案中，通过第二驱动件驱动顶升盘上下升降，使得顶升盘能够承接机械手上的晶圆并将其转移至吸盘上，或者将吸盘上的晶圆转移至取放位置处以供机械手取走。
[0016]在一些实施例中，吸盘的外侧形成有让位槽，顶升盘的内侧具有沿让位槽滑动的承托部，承托部用于对晶圆的底部进行承托。
[0017]上述技术方案中，通过在吸盘的外侧设置有让位槽，这样顶升盘可以利用承托部由下往上承托晶圆的边缘底部，避免对晶圆进行夹持，对晶圆起到一定的保护作用。
[0018]在一些实施例中，顶升盘上在承托部的外侧形成有限位部，限位部与晶圆的外侧壁接触，以对晶圆进行限位。
[0019]上述技术方案中，通过在顶升盘上设置有限位部，限位部与承托部两者配合，限位部可以对晶圆进行限位，避免晶圆在转移过程中出现移位的现象。
[0020]在一些实施例中，在顶升盘上，承托部的数量设为多个，多个承托部在顶升盘上间隔分布。
[0021]上述技术方案中，通过设置有多个承托部，多个承托部共同对晶圆的底部进行承托，使得晶圆具有多个支撑点位，晶圆的稳定性更强，并且多个承托部外侧的限位部共同对晶圆进行限位，这样晶圆在转移的过程中不易出现移位的现象。
[0022]在一些实施例中，舱体的顶部设置有第二氮气吹扫通道，第二氮气吹扫通道用于
对保护镜片进行吹扫，以维持保护镜片的清洁度。
[0023]上述技术方案中，通过在舱体的顶部设置有第二氮气吹扫通道，第二氮气吹扫通道对保护镜片进行吹扫，防止保护镜片被沾污后而影响激光的通过率，并且氮气的吹扫可以降低保护镜片的温度，增加保护镜片的使用寿命。
[0024]本申请的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
[0025]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0026]图1为本申请一些实施例提供的晶圆激光处理用加工装置的结构示意图；
[0027]图2为本申请一些实施例提供的晶圆激光处理用加工装置中打开舱盖的结构示意图。
[0028]图标：10
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舱体；11
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆激光处理用加工装置，其特征在于，包括：舱体，具有密闭的腔室，所述舱体的顶部设置有供激光穿过的通孔，所述通孔处盖设有保护镜片；吸盘，设置于所述腔室内并位于所述通孔的正下方，所述吸盘用于供晶圆放置并对所述晶圆吸附定位；其中，所述腔室内还设置有第一氮气吹扫通道和排气通道，所述第一氮气吹扫通道用于向所述腔室内吹出氮气，以使所述腔室内的氧浓度值在预设范围，所述排气通道用于排出所述腔室内气体。2.如权利要求1所述的晶圆激光处理用加工装置，其特征在于，所述腔室内设置有检测元件，所述检测元件用于监测所述腔室内的氧气浓度值。3.如权利要求1所述的晶圆激光处理用加工装置，其特征在于，所述吸盘为陶瓷材质，所述吸盘的底部设置有水冷组件，所述水冷组件用于对所述吸盘进行水冷降温。4.如权利要求1所述的晶圆激光处理用加工装置，其特征在于，所述舱体的一侧开设有供机械手伸入于所述腔室的工作口，所述工作口设置有腔室门组件，所述腔室门组件用于对所述工作口进行打开或关闭。5.如权利要求4所述的晶圆激光处理用加工装置，其特征在于，所述腔室内设置有顶升组件，所述顶升组件用于承接所述机械手上的晶圆并将其转移至所述吸盘...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈永智，黄永忠，何刘，
申请(专利权)人：成都莱普科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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