【技术实现步骤摘要】
气浮平台式晶圆加热装置
[0001]本申请涉及半导体加工制备领域,具体而言,涉及一种气浮平台式晶圆加热装置。
技术介绍
[0002]随着经济技术的飞速发展,市场对半导体需求的不断增加,晶圆是制造半导体芯片的基本材料,晶圆的加工包括但不限于有激光退火、激光打标、激光诱导和激光划线等,晶圆加工时需要先利用定位装置进行定位,然后再进行相应的加工作业。如现有专利CN202021419019.7
‑
分区吸附的晶圆加热装置及具有其的多工位点胶机公开的技术方案,晶圆通过真空吸附盘定位,在真空吸附盘下方设置有加热器,吸附定位的同时能够对晶圆进行加热处理。专利技术人在研究中发现,现有的晶圆定位装置实现晶圆定位后,无法带动晶圆移动,操作不便,使用不便。
技术实现思路
[0003]本申请提供一种气浮平台式晶圆加热装置,以改善上述问题。
[0004]本技术具体是这样的:
[0005]基于上述目的,本实施例提供了一种气浮平台式晶圆加热装置,包括:
[0006]气浮式移动平台和加热机构,所述加热机构 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种气浮平台式晶圆加热装置,其特征在于,包括:气浮式移动平台和加热机构,所述加热机构包括基座、定位加热盘和顶升组件,所述定位加热盘和所述顶升组件均与所述基座连接,所述基座安装于所述气浮式移动平台上,所述气浮式移动平台用于带动所述加热机构在相互垂直的第一方向和第二方向上移动;所述顶升组件用于带动位于所述定位加热盘上的晶圆升降。2.根据权利要求1所述的气浮平台式晶圆加热装置,其特征在于:所述定位加热盘包括依次层叠设置的陶瓷盘体、加热盘体和隔热盘体,所述陶瓷盘体用于定位晶圆;所述加热盘体用于将热量传递至所述陶瓷盘体;所述隔热盘体与所述基座连接。3.根据权利要求2所述的气浮平台式晶圆加热装置,其特征在于:所述陶瓷盘体上设置有连通的多个气道,每个所述气道的一端均位于所述陶瓷盘体的用于定位晶圆的盘面上,另一端均用于与真空泵连接。4.根据权利要求2所述的气浮平台式晶圆加热装置,其特征在于:所述隔热盘体内部设置有水道,所述水道具有进水口和出水口,所述进水口和所述出水口均用于与水源连接。5.根据权利要求1所述的气浮平台式晶圆加热装置,其特征在于:所述加热机构还包括挡光冷却组件,所述挡光冷却组件包括第一挡光板、第二挡光板和环形冷却底座,所述第一挡光板和所述第二挡光板均与所述环形冷却底座连接,所述第一挡光板与所述第二挡光板配合限定出避让通孔;所述定位加热盘同时穿设于避让通孔和所述环形冷却底座的中空区域;所述环形冷却底座与所述定位加热盘连...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈永智,潘冬,王德友,付志良,
申请(专利权)人:成都莱普科技股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。