一种半导体结构及其制造方法技术

本发明专利技术揭示了一种半导体结构及制造方法，所述方法包括：提供基板，所述基板具有第一表面，在所述基板的第一表面上进行第一芯片的贴片以及I/O接口的设置，在所述基板及所述第一芯片上注塑，形成第一封装层，覆盖所述基板的第一表面、所述I/O接口以及所述第一芯片；以及通过激光研磨工艺将第一封装层减薄，暴露出所述I/O接口的同时但不暴露出所述第一芯片。本发明专利技术通过激光研磨工艺实现塑封研磨，提高了半导体材料表面平整度。导体材料表面平整度。导体材料表面平整度。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体领域，特别是涉及一种半导体结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]在半导体生产制造过程中，需要对其进行研磨，现有技术通常采用化学机械研磨工艺，然而化学机械研磨工艺流程复杂、时间成本较高，同时在精度上也有所欠缺，可能会对半导体材料的表面完整性和平整度造成破坏。
[0003]因此亟需一种半导体结构及其制造方法，能够提高塑封研磨后半导体材料的表面平整度。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于，提供一种半导体结构及其制造方法，以解决半导体结构研磨工艺复杂的问题。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术提供一种半导体结构制造方法，包括：
[0006]提供基板，所述基板具有第一表面；
[0007]在所述基板的第一表面上进行第一芯片的贴片以及I/O接口的设置；
[0008]在所述基板及所述第一芯片上注塑，形成第一封装层，覆盖所述基板的第一表面、所述I/O接口以及所述第一芯片；以及
[0009]通过激光研磨工艺将所述第一封装层减薄，暴露出所述I/O接口的同时但不暴露出所述第一芯片。
[0010]进一步地，所述I/O接口采用铜柱。
[0011]进一步地，所述铜柱采用电镀工艺形成。
[0012]进一步地，所述基板还包括第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对设置；所述方法还包括：
[0013]在所述基板的第二表面进行第二芯片的贴片；
[0014]在所述基板及所述第二芯片上注塑，形成第二封装层，覆盖所述基板的第二表面以及所述第二芯片。
[0015]进一步地，在所述基板的第一表面进行第一芯片的贴片之后，在所述基板及所述第一芯片上注塑之前；以及在所述基板的第二表面进行第二芯片的贴片之后，在所述基板及所述第二芯片上注塑之前，皆包括：将芯片与所述基板导通。
[0016]进一步地，还包括安装于所述基板第二表面的被动元件。
[0017]进一步地，所述第一封装层与所述第二封装层均为树脂。
[0018]本专利技术还提供一种半导体结构，采用上述任意一项所述的方法制备而成。
[0019]进一步地，包括第一封装层，第一封装层覆盖所述基板第一表面、所述第一芯片，所述第一表面设置有铜柱，所述第一封装层暴露出所述铜柱。
[0020]进一步地，还包括第二封装层，所述第二封装层覆盖所述基板的第二表面、第二芯
片和被动元件。
[0021]相比于现有技术，本专利技术至少具有以下有益效果：
[0022]通过激光研磨工艺实现了塑封研磨，提高了塑封研磨后半导体材料表面的平整度。另外，本专利技术采用铜柱作为模块I/O接口，可以有效避让背面的贴片元件以及芯片。
附图说明
[0023]图1为本专利技术一实施例中半导体结构的制造方法的流程图；
[0024]图2为本专利技术一实施例中提供基板的示意图；
[0025]图3为本专利技术一实施例中在基板上形成第二芯片和被动元件的示意图；
[0026]图4为本专利技术一实施例中形成第二封装层的示意图；
[0027]图5为本专利技术一实施例中在基板上形成第一芯片和I/O接口的示意图；
[0028]图6为本专利技术一实施例中形成第一封装层的示意图；
[0029]图7为本专利技术一实施例中经过激光研磨后获得的半导体结构的示意图。
具体实施方式
[0030]下面将结合示意图对本专利技术的一种半导体结构及其制造方法进行更详细的描述，其中表示了本专利技术的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本专利技术，而仍然实现本专利技术的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本专利技术的限制。
[0031]在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本专利技术。根据下面的说明，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。
[0032]如图1及图2所示，本专利技术实施例提出了一种半导体结构制造方法，包括：
[0033]S1、提供基板10，所述基板10具有第一表面；
[0034]S2、在所述基板10的第一表面上进行第一芯片40的贴片以及I/O接口50的设置；
[0035]S3、在所述基板10及所述第一芯片40上注塑，形成第一封装层60，覆盖所述基板10的第一表面、所述I/O接口50以及所述第一芯片40；以及
[0036]S4、通过激光研磨工艺将所述第一封装层40减薄，暴露出所述I/O接口50的同时但不暴露出所述第一芯片40。
[0037]在一个具体实施例中，在步骤S1中，所述第一基板10可以是单晶硅基板，多晶硅基板、SOI基板或者PCB板，此外，所述第一基板中还可以设置有导电层，根据实际需要，还可以设置有埋层和离子注入层等等。
[0038]所述基板10具有两个相对设置的表面，即第一表面和第二表面，例如，所述第一表面可以是背面，所述第二表面可以为正面，其中，可以以图2所示的基板10的上下两个表面代表正面和背面。
[0039]在一个实施例中，可以先在所述基板10的正面进行加工，之后对背面进行加工，根据实际工艺的不同，加工顺序也可以调换。下面以先进行正面加工为例进行描述。
[0040]请参考图3所示，在一个具体实施例中，在所述第二表面上进行第二芯片21的贴片。
[0041]具体地，将所述第二芯片21与所述基板10进行导通。
[0042]具体地，所述第二芯片21与所述基板10之间可通过晶片黏结薄膜连接，其具体设置工艺可以参考现有技术，此处省略描述。
[0043]优选地，在所述第二表面上安装被动元件22。
[0044]请参考图4所示，在一个具体实施例中，在所述基板10及所述第二芯片21上注塑，形成第二封装层30，覆盖所述基板10的第二表面以及所述第二芯片21。
[0045]具体地，在所述基板10及所述第二芯片21上注塑，形成第二封装层30，还覆盖安装在所述第二表面上的被动元件22。
[0046]所述第二封装层30主要起到保护作用，通常，所述所述第二封装层30采用树脂材质。
[0047]请参考图5所示，在步骤S2中，在所述基板10的背面，即第一表面上，进行第一芯片40的贴片以及I/O接口50的设置。
[0048]具体地，将所述第一芯片40与所述基板10进行导通。
[0049]具体地，所述第一芯片40与所述基板10之间可通过晶片黏结薄膜连接，其具体设置工艺可以参考现有技术，此处省略描述。
[0050]在一个具体实施例中，所述I/O接口50可以采用铜柱，所述铜柱可以采用电镀工艺形成，也可以采用其他工艺，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择。
[0051]采用铜柱作为所述I/O接口50可以有效避让背面元件以及芯片。
[0052]在步骤S3中，请参考图6所示，在所述基本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供基板，所述基板具有第一表面；在所述基板的第一表面上进行第一芯片的贴片以及I/O接口的设置；在所述基板及所述第一芯片上注塑，形成第一封装层，覆盖所述基板的第一表面、所述I/O接口以及所述第一芯片；以及通过激光研磨工艺将第一封装层减薄，暴露出所述I/O接口的同时但不暴露出所述第一芯片。2.如权利要求1所述的一种半导体结构的制造方法，其特征在于，所述I/O接口采用铜柱。3.如权利要求2所述的一种半导体结构的制造方法，其特征在于，所述铜柱采用电镀工艺形成。4.如权利要求1所述的一种半导体结构的制造方法，其特征在于，所述基板还包括第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对设置；所述方法还包括：在所述基板的第二表面进行第二芯片的贴片；在所述基板及所述第二芯片上注塑，形成第二封装层，覆盖所述基板的第二表面以及所述第二芯片。5.如权利要求4所述的一种半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡泊廷，魏信兴，蔡昕宏，张竞扬，
申请(专利权)人：无锡摩尔精英微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：