一种芳香族胺类化合物及包含其的有机电致发光器件制造技术

技术编号:38400701 阅读:8 留言:0更新日期:2023-08-07 11:12
本发明专利技术涉及一种芳香族胺类有机化合物及其应用,属于半导体材料技术领域,本发明专利技术提供化合物的结构如通式(1)所示:本发明专利技术还公开了上述化合物的应用。本发明专利技术涉及一种芳香族胺类有机化合物具有优秀的空穴迁移率和电子阻挡特性,通过使用本发明专利技术的芳香族胺类化合物制备有机电致发光器件的发光辅助层材料时,可同时降低器件电压和延长器件寿命的效果,尤其是器件寿命提升效果非常显著。件寿命提升效果非常显著。

【技术实现步骤摘要】
一种芳香族胺类化合物及包含其的有机电致发光器件


[0001]本专利技术涉及半导体材料
,尤其是涉及一种芳香族胺类化合物及包含其的有机电致发光器件。

技术介绍

[0002]有机电致发光器件(OLED)中的载流子(空穴和电子)在电场的驱动下分别由器件的两个电极注入到器件中,并在有机发光层中相遇复合发光。高性能的有机电致发光器件,要求各种有机功能材料具备良好的光电特性。譬如,作为电荷传输材料,要求具有良好的载流子迁移率。现有的有机电致发光器件中使用的空穴注入层材料以及空穴传输层材料的注入和传输特性相对较弱,空穴注入和传输速率与电子注入和传输速率不匹配,导致复合区域偏移较大,不利于器件的稳定性,因此如何调节空穴和电子的平衡度、调节复合区域,一直是本领域的一项重要课题。
[0003]蓝色有机电致发光器件一直是全色OLED发展中的软肋,截止目前蓝光器件的效率和寿命等性能一直难以得到全面提高,因此,如何提高该类器件性能仍然是该领域面临的至关重要的问题和挑战。目前市场上所使用的蓝光主体材料多为偏电子性主体,在低电流密度下由于空穴优先注入,在一定程度上缓解了空穴传输侧的压力,随着电流密度的增加,电子注入的量会越来越多,导致复合区域向空穴侧偏移,对空穴侧的压力越来越大,为了防止激子向空穴侧传递,因此要求发光辅助层材料能够有效的阻挡激子,并且能够高效的将空穴传输至发光层。目前发光辅助层材料多为传统芳胺结构,支链选择咔唑基团或二苯并呋喃基团,这类结构的抗激子稳定性仍无法满足需求,高电流密度下的空穴迁移率仍需提高,这样才能保证发光层的载流子平衡,防止由于空穴不足,复合区域向空穴传输一侧偏移,导致器件效率降低,寿命变短。

技术实现思路

[0004]针对现有技术存在的上述问题,本专利技术申请人提供了一种芳香族胺类化合物,本专利技术化合物在高电流密度下具有优异的空穴迁移率和激子阻挡能力,通过使用本专利技术的芳香族胺类化合物来形成有机电致发光器件的发光辅助层材料时,可同时显示出器件效率提升和寿命延长的效果,尤其是器件效率提升非常显著。
[0005]本专利技术的技术方案如下:一种芳香族胺类化合物,所述芳香族胺类化合物的结构如通式(1)所示:
[0006][0007]所述Ar1选自以下结构
[0008][0009]所述m表示为数字0、1或2;
[0010]所述L1表示为直接键或亚苯基;
[0011]所述L2表示为直接键、亚苯基、亚萘基或亚二联苯基;
[0012]其中,L1与Ar1任意连接,L2与Ar2任意连接;
[0013]所述R
a
、R
b
分别独立的表示为氢原子、氘原子、苯基、萘基、二联苯基、二苯并呋喃基或二苯并噻吩基;
[0014]所述Ar2表示为苯基、二联苯基、三联苯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基或菲基;
[0015]所述苯基、二联苯基、三联苯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基或菲基可被氘原子取代;
[0016]所述R1~R8分别独立的表示为氢原子、氘原子、苯基、萘基、联苯基、二苯并呋喃基或二苯并噻吩基。
[0017]优选所述芳香族胺类化合物的结构如通式(1

1)~通式(1

6)所示:
[0018][0019]通式(1

1)~通式(1

6)中,所述Ar1、Ar2;m;R
a
、R
b
;R1~R8的定义同上述的限定。
[0020]优选所述芳香族胺类化合物的结构如通式(1

7)~通式(1

12)所示;
[0021][0022]通式(1

7)~通式(1

12)中,所述Ar1、Ar2;m;R
a
;R1~R8的定义同上述的限定。
[0023]优选所述芳香族胺类化合物的结构如通式(1

13)~通式(1

18)所示;
[0024][0025]通式(1

13)~通式(1

18)中,所述Ar1、Ar2;m;R
b
;R1~R8的定义同上述内容的限定。
[0026]优选所述芳香族胺类化合物的结构如通式(1

19)~通式(1

24)所示:
[0027][0028]通式(1

19)~通式(1

24)中,所述Ar1、Ar2;R1~R8的定义同上述内容的限定。
[0029]优选所述芳香族胺类化合物的结构如通式(2

1)~通式(2

9)任一项所示:
[0030][0031][0032]所述Ar1选自以下通式a、通式b或通式c所示:
[0033][0034]所述L1表示为直接键或亚苯基;
[0035]所述L2表示为直接键、亚苯基、亚萘基或亚二联苯基;
[0036]其中,L1与Ar1任意连接,L2与Ar2任意连接;
[0037]所述R
a
、R
b
分别独立的表示为氢原子、氘原子、苯基、萘基、二联苯基、二苯并呋喃基或二苯并噻吩基;
[0038]所述Ar2表示为苯基、二联苯基、三联苯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基或菲基;
[0039]所述苯基、二联苯基、三联苯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基或菲基可被氘原子取代;
[0040]所述R1~R8分别独立的表示为氢原子、氘原子、苯基、萘基、联苯基、二苯并呋喃基或二苯并噻吩基。
[0041]优选所述R
a
、R
b
、R1~R8分别表示为如下所示任一结构:
[0042][0043]所述L1分别表示为直接键或如下所示任一结构:
[0044][0045]所述L2分别表示为直接键或如下所示任一结构:
[0046][0047]所述Ar2分别独立的表示为如下所示任一结构:
[0048][0049]优选所述芳香族胺类化合物的具体结构为如下结构中的任一种:
[0050][0051][0052][0053][0054][0055][0056][0057][0058][0059][0060][0061][0062][0063][0064][0065]一种有机电致发光器件,其依次包括阳极、空穴传输区域、发光区域、电子传输区域和阴极,所述空穴传输区域包含上述所述的芳香族胺类化合物。
[0066]优选所述空穴传输区域包括空穴注入层、空穴传输层和发光辅助层,所述发光辅助层包含上述所述的芳香族胺类化合物。
[0067]一种照明或显示元件,所述照明或显示元件包含上述所述的有机电致发光器件。
[0068]本专利技术有益的技术效果在于:
[0069](1)本专利技术芳香族胺类化合物基团之间的特殊搭配连接本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芳香族胺类化合物,其特征在于,所述芳香族胺类化合物的结构如通式(1)所示:所述Ar1选自以下结构所述m表示为数字0、1或2;所述L1表示为直接键或亚苯基;所述L2表示为直接键、亚苯基、亚萘基或亚二联苯基;其中,L1与Ar1任意连接,L2与Ar2任意连接;所述R
a
、R
b
分别独立的表示为氢原子、氘原子、苯基、萘基、二联苯基、二苯并呋喃基或二苯并噻吩基;所述Ar2表示为苯基、二联苯基、三联苯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基或菲基;所述苯基、二联苯基、三联苯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基或菲基可被氘原子取代;所述R1~R8分别独立的表示为氢原子、氘原子、苯基、萘基、联苯基、二苯并呋喃基或二苯并噻吩基。2.根据权利要求1所述的芳香族胺类化合物,其特征在于,所述芳香族胺类化合物的结构如通式(1

1)~通式(1

6)所示:
通式(1

1)~通式(1

6)中,所述Ar1、Ar2;rn;R
a
、R
b
;R1~R8的定义同权利要求1中的限定。3.根据权利要求2所述的芳香族胺类化合物,其特征在于,所述芳香族胺类化合物的结构如通式(1

7)~通式(1

12)所示;
通式(1

7)~通式(1

12)中,所述Ar1、Ar2;m;R
a
;R1~R8的定义同权利要求1中的限定。4.根据权利要求1所述的芳香族胺类化合物,其特征在于,所述芳香族胺类化合物的结构如通式(1

13)~通式(1

18)所示;
通式(1

13)~通式(1

18)中,所述Ar1、Ar2;m;R
b
;R1~R8的定义同权利要求1中的限定。5.根据权利要求1所述的芳香族胺类化合物,其特征在于,所述芳香族胺类化合物的结构如通式(1<...

【专利技术属性】
技术研发人员:于浩王芳李崇
申请(专利权)人:江苏三月科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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