用于芯片测试流程的分析方法、系统、设备及存储介质技术方案

用于芯片测试流程的分析方法、系统、设备及存储介质，设有分布式的第一数据处理部APP1和第二数据处理部APP2，第一数据处理部APP1配置在测试环节，用于收集芯片制造中测试产出的原始数据，对所得原始数据进行前处理，包括文件名规整和原始数据的清洗合并，得到统一格式的电测文档，第二数据处理部APP2配置在研发环节，用于基于标准操作流程SOP，调用电测文档，选择分析参数，自动输出与分析对应的芯片数据统计图形，最后将根据统计图形得到的分析数据反馈给工艺环节。本发明专利技术将对芯片的测试分析划分为前处理和分析两部分，使用方便，能够提高数据的处理效率和准确性，减少使用人员学习成本。本。本。

【技术实现步骤摘要】
用于芯片测试流程的分析方法、系统、设备及存储介质


[0001]本专利技术属于半导体
，涉及晶圆的电性测试，为一种用于芯片测试流程的分析方法、系统、设备及存储介质。

技术介绍

[0002]现有芯片的制作流程是拿到设计先流片，再大批量生产。目前，芯片设计并没有成熟的EDA工具可以做仿真，只能以试验设计DOE的形式先到晶圆厂投片，拿到样品后进行测试，根据测试结果再次修正，然后再去投片，如此反复直到测试成功。其中需要完成的有晶圆检测（CP, Circuit Probing）和成品测试（FT, Final Test），研发环节RD（Research Department）在得到DOE流片的电性结果后,需要数据分析,确认后续条件的修正方向与调整。如图1所示，现有技术中相关测试资料的处理方式为收集 Wafer CP + F/G FT的电性数据，集中到研发环节，再使用商业专用软件来统计分析确认流片结果。
[0003]现有技术中，芯片制作的各道流程由不同的厂家完成，大体上分为晶圆制造和封装测试两部分，这就意味着测试数据的分散，以及各厂商在产出测试数据时数据格式上的差异。现有技术处理流程是由分散的晶圆厂、封装厂等各自将原始测试数据发送给研发环节，再在研发环节利用商业专用软件分析芯片电测数据，研发人员要对收到的原始测试数据进行数据整理合并、清洗, 分析项目相关设定等工作，包括：1.导入测试资料，需要确认哪些是报表,哪些是分析数据；2.对数据依照商业专用软件的数据识别需求，重新梳理定义各字段的数据型态，如string, int, floating等，分别进行多批次文件将相同字段合并到一起，同时完成数据清洗；3.由清洗的数据中, 依绘制统计分析图形的需求调整软件参数设置，选出映射数据字段，分别产出盒须图boxplot,直方图histogram,散点图scatter plot, 轮廓及3D表面图contour&3D surface等，且每做一种图就需要从头设置一遍所需要用到的所有参数。
[0004]现有芯片测试研发的常规思路是测试负责测试，研发负责数据分析研究，因此采用集中式的数据处理方案，将各类数据集中到研发端进行处理。现有的商业专用软件即以此为基础开发，虽然可以处理数据清洗/档案合并/数据图形绘制，但考虑到各类数据集中式处理的情况，商用专业软件往往具有大量功能选项，以便于研发人员根据各不同类型的资料来调整软件参数，但这也带来了操作流程众多而复杂的问题，导致软件使用的学习成本高，对使用人员要求高，需要使用人员了解晶圆制造、封装测试不同阶段的测试情况，对原始电测数据了解其产出的方式及格式，才能进一步在商用专业软件中对分散收集来的不同数据进行清洗合并，最终分析得到结果，这一方面会增加人员成本，还会影响研发环节对测试数据的分析效率。
[0005]另外，除了流片中要进行测试分析，在芯片产品正式投产后的量产中，还涉及到大批量芯片产品的质检。现有的商业专用软件面向研发设计，而没有考虑大批量产品快速质检的需求，流片中测试分析的样品数量不多，研发人员整理测试资料进行分析的工作量有
限，而到了正式投产的量产阶段，就无法再使用这种人工整理资料调试软件参数来完成分析的模式，需要有更简洁快速的分析方式来完成大批量产品的质检工作。

技术实现思路

[0006]本专利技术要解决的问题是：现有芯片制造中对DOE流片测试数据集中式处理，对研发环节而言，对人员专业性要求高，分析效率不能满足需求。
[0007]本专利技术的技术方案为：用于芯片测试流程的分析方法，芯片制造流程包括分散的工艺环节、测试环节和研发环节，设有分布式的第一数据处理部APP1和第二数据处理部APP2，第一数据处理部APP1配置在测试环节，用于收集芯片制造中测试产出的原始数据，对所得原始数据进行前处理，包括文件名规整和原始数据的清洗合并，得到统一格式的电测文档，第二数据处理部APP2配置在研发环节，用于基于标准操作流程SOP，调用电测文档，选择分析参数，自动输出与分析对应的芯片数据统计图形，最后将根据统计图形得到的分析数据反馈给工艺环节。
[0008]进一步的，第一数据处理部APP1中，首先根据芯片型号建立文件夹，测试环节将对应型号芯片的原始测试文件上传到文件夹中，第一数据处理部APP1抓取文件夹中的数据，由文件名抓取信息，至少包括芯片型号，对同芯片型号文件的内容筛选设定所需的电测数据，清洗掉不需要的数据后缓存，再合并为一个文件即电测文档，所述合并为构建一个列表，以研发分析所需数据项目为列表表头，将由各文件的内容筛选所得的电测数据对应表头填入列表进行合并，所述研发分析所需数据项目包括电测时间、工单号码、批次编号Lot_ID、晶圆编号Wfr_ID、Bin 与各类电性特征。
[0009]进一步的，电测文档的文件名中至少包含芯片型号，还包括测试类型、合并时间中的一种或多种，用于区分同一芯片型号在不同测试环节、不同清洗合并批次下所得的电测文档。
[0010]进一步的，将同一个芯片型号产品的不同批次下清洗合并得到的电测文档根据测试时间进行再次合并，以得到月数据、季度数据或年度数据。
[0011]进一步的，第一数据处理部APP1在得到电测文档后，对所得电测文档进行自动显示，所述自动显示包括列表显示或电性特征的曲线图显示。
[0012]进一步的，第二数据处理部APP2的标准操作流程SOP配置包括：1）选择载入电测文档的选择栏，用于选择电测文档；2）模式选择栏，包括全部资料分析模式和仅良品资料分析模式；3）至少一个电性参数选择栏，用于设定分析所需的电性参数，检测载入的电测文档中是否包含所设定的电性参数，如果没有则报错；4）批次编号、晶圆编号选择栏，用于设定按批次或按晶圆编号输出分析结果；5）不同统计图形的生成选择栏，用于生成对应统计图形，包括直方图，盒须图，散点2D密度图，趋势与不良分布图，晶圆3D资料图以及晶圆2D资料堆叠图；其中1）
‑
4）均各自缓存当前设定内容，实现在部分相同设定基础上的个性化调整，以使步骤5）在相同或不同设定下，选择生成不同的统计图形。
[0013]进一步的，标准操作流程SOP配置还包括命名栏，用于设定所生成统计图形的名称，所生成的统计图形以设定的命名和统计图形类型自动命名。
[0014]进一步的，第一数据处理部APP1和第二数据处理部APP2基于python，采用python的pandas实现。
[0015]进一步的，第一数据处理部APP1和第二数据处理部APP2之间设有ftp服务器，用于数据存储及传输。
[0016]本专利技术还提供一种用于芯片测试流程的分析系统，包括：第一数据处理部APP1，用于收集芯片制造测试环节的芯片测试文件，并通过前处理将统一芯片产品的测试数据清洗合并为一个电测文档；第二数据处理部APP2，用于通过调用第一数据处理部APP1生成的电测文档输出芯片产品的数据统计图形；服务器，用于第一数据处理部APP1和第二数据处理部APP2的数据存储及传输。
[001本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.用于芯片测试流程的分析方法，芯片制造流程包括分散的工艺环节、测试环节和研发环节，其特征是设有分布式的第一数据处理部APP1和第二数据处理部APP2，第一数据处理部APP1配置在测试环节，用于收集芯片制造中测试产出的原始数据，对所得原始数据进行前处理，包括文件名规整和原始数据的清洗合并，得到统一格式的电测文档，第二数据处理部APP2配置在研发环节，用于基于标准操作流程SOP，调用电测文档，选择分析参数，自动输出与分析对应的芯片数据统计图形，最后将根据统计图形得到的分析数据反馈给工艺环节。2.根据权利要求1所述的用于芯片测试流程的分析方法，其特征是第一数据处理部APP1中，首先根据芯片型号建立文件夹，测试环节将对应型号芯片的原始测试文件上传到文件夹中，第一数据处理部APP1抓取文件夹中的数据，由文件名抓取信息，至少包括芯片型号，对同芯片型号文件的内容筛选设定所需的电测数据，清洗掉不需要的数据后缓存，再合并为一个文件即电测文档，所述合并为构建一个列表，以研发分析所需数据项目为列表表头，将由各文件的内容筛选所得的电测数据对应表头填入列表进行合并，所述研发分析所需数据项目包括电测时间、工单号码、批次编号Lot_ID、晶圆编号Wfr_ID、Bin 与各类电性特征。3.根据权利要求2所述的用于芯片测试流程的分析方法，其特征是电测文档的文件名中至少包含芯片型号，还包括测试类型、合并时间中的一种或多种，用于区分同一芯片型号在不同测试环节、不同清洗合并批次下所得的电测文档。4.根据权利要求2或3所述的用于芯片测试流程的分析方法，其特征是将同一个芯片型号产品的不同批次下清洗合并得到的电测文档根据测试时间进行再次合并，以得到月数据、季度数据或年度数据。5.根据权利要求2或3所述的用于芯片测试流程的分析方法，其特征是第一数据处理部APP1在得到电测文档后，对所得电测文档进行自动显示，所述自动显示包括列表显示或电性特征的曲线图显示。6.根据权利要求1所述的用于芯片测试流程的分析方法，其特征是第二数据处理部APP2的标准操作流程SOP配置包括：1）选择载入电测文档的选择栏，用于选择电测文档；2）模式选择栏，包括全部资料分析模式和仅良品资料分析模式；3）至少一个电性参数选择栏，用于设定分析所需的电性参数，...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨国江，毛嘉云，
申请(专利权)人：江苏长晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：