一种浪涌电压抑制电路制造技术

本实用新型专利技术涉及电路领域，特别涉及一种浪涌电压抑制电路，该浪涌电压抑制电路包括瞬态二极管TVS1、电容C1、C2、C3以及C4、电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6以及R7、光电耦合器U1、稳压二极管D1、D2、D3以及D4、场效应管Q1以及Q2，本实用新型专利技术提出的浪涌电压抑制电路在电路输入电压高于预设值时，场效应管Q1和Q2关断，整个电路截止，以保护后级电路不受浪涌电压的影响，该电路基于国内能够自主生产的器件来实现浪涌电压抑制，可以减少生产成本以及周期不可控的风险。险。险。

【技术实现步骤摘要】
一种浪涌电压抑制电路


[0001]本技术涉及电路领域，特别是一种浪涌电压抑制电路。

技术介绍

[0002]在机载和车载电子设备中，因供电系统工作任务的切换而发生瞬态特性变化，如用电设备的切换、负载的变化或者供电电源的同步与并联等，此时供电电压会出现尖峰电压和浪涌电压等瞬态电压。该瞬态电压超过了后级电源转换单元的最大工作电压，可能造成后级电源过压保护而掉电甚至损坏。因此机载和车载产品的电源模块前端必须增加浪涌电压和尖峰电压抑制电路。
[0003]目前国内的电压抑制产品中的浪涌电压抑制电路采用国外的芯片，如LTC4359、LTC4364、LTC4366等，导致产品的成本增加以及周期不可控。
[0004]综上所述，目前亟需一种基于国内能够自主生产的器件的浪涌电压抑制电路，以减少生产成本以及周期不可控的风险。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提出一种基于国内能够自主生产的器件的浪涌电压抑制电路，以减少生产成本以及周期不可控的风险。
[0006]为了实现上述目的，本技术采用的技术方案为：
[0007]一种浪涌电压抑制电路，包括瞬态二极管TVS1、电容C1、C2、C3以及C4、电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6以及R7、光电耦合器U1、稳压二极管D1、D2、D3以及D4、场效应管Q1以及Q2；
[0008]瞬态二极管TVS1的负极、电容C1的一端、电容C2的一端以及电阻R1和电阻R2并联的一端与输入端正极VIN+连接；
[0009]瞬态二极管TVS1的正极、电容C1的另一端、电容C2的另一端、光电耦合器U1的3引脚、电阻R7的一端、稳压二极管D1的正极以及场效应管Q1和场效应管Q2的源极S极与输入端负极VIN
‑
连接；
[0010]电容C4的一端、电容C3的一端、电阻R4的一端、电阻R3的一端与输出端正极VO+连接；
[0011]电容C4的另一端、电容C3的另一端、稳压二极管D4的正极以及场效应管Q1和场效应管Q2的漏极D极与输出端负极VO
‑
连接；
[0012]稳压二极管D2、D3以及D4依次串联；
[0013]光电耦合器U1的1引脚与电阻R1和电阻R2并联的另一端连接；光电耦合器U1的2引脚与稳压二极管D2的负极连接；光电耦合器U1的4引脚与电阻R7的另一端、稳压二极管D1的负极、电阻R3的另一端以及电阻R4的另一端连接；
[0014]所述电阻R3的另一端还与电阻R5的一端连接，所述电阻R4的另一端还与电阻R6的一端连接，电阻R5的另一端与场效应管Q1的栅极G极连接，电阻R6的另一端与场效应管Q2的栅极G极连接。
[0015]可选地，所述稳压二极管D1、D2、D3以及D4的稳定电压为12V。
[0016]可选地，所述电路的输入临界电压为38V。
[0017]可选地，所述场效应管Q1和场效应管Q2相同。
[0018]本技术的浪涌电压抑制电路在电路输入电压高于预设值时，场效应管Q1和Q2关断，整个电路截止，保护后级电路不受浪涌电压的影响，该电路基于国内能够自主生产的器件来实现浪涌电压抑制，可以减少生产成本以及周期不可控的风险。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1是本技术第一实施例提供的浪涌电压抑制电路的结构示意图。
具体实施方式
[0021]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施实例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0022]参阅图1，该浪涌电压抑制电路包括瞬态二极管TVS1、电容C1、C2、C3以及C4、电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6以及R7、光电耦合器U1、稳压二极管D1、D2、D3以及D4、场效应管Q1以及Q2；
[0023]瞬态二极管TVS1的负极、电容C1的一端、电容C2的一端以及电阻R1和电阻R2并联的一端与输入端正极VIN+连接；
[0024]瞬态二极管TVS1的正极、电容C1的另一端、电容C2的另一端、光电耦合器U1的3引脚、电阻R7的一端、稳压二极管D1的正极以及场效应管Q1和场效应管Q2的源极S极与输入端负极VIN
‑
连接；
[0025]电容C4的一端、电容C3的一端、电阻R4的一端、电阻R3的一端与输出端正极VO+连接；
[0026]电容C4的另一端、电容C3的另一端、稳压二极管D4的正极以及场效应管Q1和场效应管Q2的漏极D极与输出端负极VO
‑
连接；
[0027]稳压二极管D2、D3以及D4依次串联；
[0028]光电耦合器U1的1引脚与电阻R1和电阻R2并联的另一端连接；光电耦合器U1的2引脚与稳压二极管D2的负极连接；光电耦合器U1的4引脚与电阻R7的另一端、稳压二极管D1的负极、电阻R3的另一端以及电阻R4的另一端连接；
[0029]所述电阻R3的另一端还与电阻R5的一端连接，所述电阻R4的另一端还与电阻R6的一端连接，电阻R5的另一端与场效应管Q1的栅极G极连接，电阻R6的另一端与场效应管Q2的栅极G极连接。
[0030]进一步地，稳压二极管D1、D2、D3以及D4的稳定电压为12V。
[0031]进一步地，所述电路的输入临界电压为38V。
[0032]进一步地，场效应管Q1和场效应管Q2相同。
[0033]具体地，瞬态二极管TVS1用来吸收前级供电设备产生的600V/10us的电压尖峰，电容C1和电容C2将输入电压进行滤波。光电耦合器U1的1、2脚导通电压为1V左右，稳压二极管D1、D2、D3以及D4均为12V稳压管。电阻R1和电阻R2进行光电耦合器U1导通电流限制，根据参数选择其两端电压为1V。
[0034]所述浪涌电压抑制电路的输入临界电压为38V即电路输入电压低于38V时，电路正常工作，电路输入电压高于38V时，电路截止。
[0035]具体地，当电路输入电压低于38V时，光耦U1截止，场效应管Q1和Q2处于导通状态，输入电压正常输出，输出电压经电容C3和电容C4滤波后输出，电路正常工作。
[0036]当电路输入电压高于38V时，稳压二极管D2、D3以及D4被击穿，当场效应管Q1和Q2的Vgs电压为稳压二极管D4的击穿电压12V时，光耦U1的3、4引脚相当于短路，场效应管Q1和Q2的Vgs电压被短接为0V，场效应管Q1和Q2关断，整个电路截止，保护后级电路不受浪涌电压的影响，该电路基于国内能够自主生产的器件来实现浪涌电压抑制，可以减少生产成本以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种浪涌电压抑制电路，其特征在于，所述电路包括瞬态二极管TVS1、电容C1、C2、C3以及C4、电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6以及R7、光电耦合器U1、稳压二极管D1、D2、D3以及D4、场效应管Q1以及Q2；瞬态二极管TVS1的负极、电容C1的一端、电容C2的一端以及电阻R1和电阻R2并联的一端与输入端正极VIN+连接；瞬态二极管TVS1的正极、电容C1的另一端、电容C2的另一端、光电耦合器U1的3引脚、电阻R7的一端、稳压二极管D1的正极以及场效应管Q1和场效应管Q2的源极S极与输入端负极VIN
‑
连接；电容C4的一端、电容C3的一端、电阻R4的一端、电阻R3的一端与输出端正极VO+连接；电容C4的另一端、电容C3的另一端、稳压二极管D4的正极以及场效应管Q1和场效应管Q2的漏极D极与输出端负极VO
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【专利技术属性】
技术研发人员：刘志科，严明，孙腾飞，王理想，颜蕾，
申请(专利权)人：成都四维通达科技有限公司，
类型：新型
国别省市：