一种放电电路制造技术

本实用新型专利技术涉及电路领域，特别涉及一种放电电路，该放电电路包括包括依次连接的运放供电电路、欠压采样电路、控制开关电路、放电维持电路以及场效应管Q2，所述场效应管Q2的漏极D极与所述放电维持电路连接，所述Q2的源极S极与所述控制开关电路连接。本实用新型专利技术的放电电路输入断电后，欠压采样电路输入端电压低于12V欠压保护点时，欠压采样电路输出高电平，控制开关电路导通，从而场效应管Q2导通，整个放电电路的输出端放电，放电维持电路用来储能维持导通，该电路可以满足当输入断电后，电路输出电压快速降低，以减少电路的输出残留电压，可以加快后级电路的响应速度。可以加快后级电路的响应速度。可以加快后级电路的响应速度。

【技术实现步骤摘要】
一种放电电路


[0001]本技术涉及电路领域，特别是一种放电电路。

技术介绍

[0002]现有的电源模块输出空载放电时，模块的输出电容会缓慢释放电压，导致放电时间太长影响后级电路响应，在一些电源模块应用场景下，需要电路输出电压快速释放，现有技术通过增加输出端负载加快输出放电，这种方法存在增大功耗的问题。
[0003]综上所述，目前亟需一种放电电路能够在不增大功耗的情况下，实现快速放电，以加快后级电路响应速度。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提出一种能在输入断电以后快速放电的电路，以加快后级电路的响应速度。
[0005]为了实现上述目的，本技术采用的技术方案为：
[0006]一种放电电路，包括依次连接的运放供电电路、欠压采样电路、控制开关电路、放电维持电路以及场效应管Q2，所述场效应管Q2的漏极D极与所述放电维持电路连接，所述Q2的源极S极与所述控制开关电路连接。
[0007]可选地，所述运放供电电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R13、电阻R14、三极管Q1、二极管D3、稳压二极管D1、电容C4以及电压基准芯片U3；
[0008]所述电阻R1与所述电阻R2并联，并联的第1端连接信号输入VIN+，并联的第2端与所述三极管Q1的集电极连接；所述三极管Q1的基极与所述稳压二极管D1的阴极连接，所述D1的阴极还通过所述电阻R3与信号输入VIN+连接，所述D1的阳极接地GND；所述三极管Q1的发射极与所述二极管D3的阳极连接，所述二极管D3的阴极连接电源VCC和所述欠压采样电路中电阻R4的一端，所述D3的阴极还通过电容C4接地GND；所述电压基准芯片U3的第1端阴极通过电阻R13连接电源VCC，所述U3的第2端阳极接地，所述U3的第3端还连接电源+2.5V，第3端还与欠压采样电路中电阻R4的另一端连接，第3端还通过所述电阻R14接地GND；所述电阻R14的一端接地GND，另一端与所述U3的第1端阴极连接。
[0009]可选地，所述欠压采样电路包括所述电阻R4，还包括电阻R7、电阻R10、电阻R12、电容C3、电容C5、电容C6以及运算放大器U1；
[0010]所述运算放大器U1的2引脚IN
‑
通过所述电阻R4连接电源VCC，所述2引脚IN
‑
还通过电阻R7接地；所述U1的3引脚IN+通过所述电阻R10连接电源+2.5V，所述3引脚IN+还通过所述电容C5接地GND；所述电阻R12与所述电容C6并联，并联的第1端与所述3引脚IN+连接，并联的第2端与所述U1的1引脚OUT连接；所述U1的1引脚OUT还与所述控制开关电路中的电阻R9的一端连接；所述U1的4引脚GND接地；所述U1的8引脚VCC连接电源VCC，所述8引脚VCC还通过电容C3接地。
[0011]可选地，4、所述控制开关电路包括所述电阻R9，还包括电阻R5、电阻R11、三极管Q3
以及光耦U2；
[0012]所述光耦U2的1引脚通过所述电阻R5连接电源VCC；所述U2的2引脚与所述三极管Q3的集电极连接，所述Q3的发射极接地GND，所述Q3的基极通过所述电阻R11接地GND，所述Q3的基极还通过电阻R9与所述欠压采样电路中的所述运放的1引脚OUT连接；所述光耦U2的3引脚接地GND，3引脚还与电阻R8的一端连接，所述U2的4引脚与电阻R6的一端连接。
[0013]可选地，所述放电维持电路包括电容C1、电容C2以及二极管D2；所述电容C1与所述电容C2并联，并联的第1端与所述二极管D2的阴极连接，所述第1端还连接输出地+52VGND。
[0014]可选地，所述放电电路还包括所述电阻R6、所述电阻R8、稳压二极管D4、电阻R10以及场效应管Q2；
[0015]所述电阻R6的另一端与所述稳压二极管D4的阴极连接；所述电阻R8的另一端与所述稳压二极管D4的阳极连接；所述稳压二极管D4的阴极还与所述电容C1和所述电容C2并联的第2端连接；所述场效应管Q2的漏极D极与所述二极管D2的阳极连接，所述D极还通过所述电阻R10连接电源+52V，所述Q2的栅极G极接地GND，所述Q2的源极S极连接输出地+52VGND，所述S极还与所述电阻R8的另一端连接。
[0016]本技术的放电电路输入断电后，欠压采样电路输入端电压低于12V欠压保护点时，欠压采样电路输出高电平，控制开关电路导通，从而场效应管Q2导通，整个放电电路的输出端放电，放电维持电路用来储能维持导通，该电路可以满足当输入断电后，电路输出电压在20ms以内跌落至0V，以减少电路的输出残留电压，快速释放电压，可以加快后级电路的响应速度。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0018]图1是本技术第一实施例提供的放电电路的结构示意图。
具体实施方式
[0019]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施实例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0020]参阅图1，所述放电电路包括依次连接的运放供电电路、欠压采样电路、控制开关电路、放电维持电路以及场效应管Q2，场效应管Q2的漏极D极与放电维持电路连接，Q2的源极S极与控制开关电路连接。
[0021]当放电电路输入断电后，欠压采样电路输入端电压低于12V欠压保护点时，欠压采样电路输出高电平，控制开关电路导通，从而场效应管Q2导通，整个放电电路的输出端放电，放电维持电路用来储能维持导通，该电路可以满足当输入断电后，电路输出电压在20ms以内跌落至0V，以减少电路的输出残留电压，快速释放电压，可以加快后级电路的响应速度。
[0022]所述运放供电电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R13、电阻R14、三极管Q1、二极管D3、稳压二极管D1、电容C4以及电压基准芯片U3。
[0023]电阻R1与电阻R2并联，并联的第1端连接信号输入VIN+，并联的第2端与三极管Q1的集电极连接；三极管Q1的基极与稳压二极管D1的阴极连接，D1的阴极还通过电阻R3与信号输入VIN+连接，D1的阳极接地GND；三极管Q1的发射极与二极管D3的阳极连接，二极管D3的阴极连接电源VCC和欠压采样电路中电阻R4的一端，D3的阴极还通过电容C4接地GND；电压基准芯片U3的第1端阴极通过电阻R13连接电源VCC，U3的第2端阳极接地，U3的第3端还连接电源+2.5V，第3端还与欠压采样电路中电阻R4的另一端连接，第3端还通过电阻R14接地GND，电阻R14的一端接地GND，R14的另一端还与U3的第1端阴极连接。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种放电电路，其特征在于，包括依次连接的运放供电电路、欠压采样电路、控制开关电路、放电维持电路以及场效应管Q2，所述场效应管Q2的漏极D极与所述放电维持电路连接，所述Q2的源极S极与所述控制开关电路连接。2.根据权利要求1所述的放电电路，其特征在于，所述运放供电电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R13、电阻R14、三极管Q1、二极管D3、稳压二极管D1、电容C4以及电压基准芯片U3；所述电阻R1与所述电阻R2并联，并联的第1端连接信号输入VIN+，并联的第2端与所述三极管Q1的集电极连接；所述三极管Q1的基极与所述稳压二极管D1的阴极连接，所述D1的阴极还通过所述电阻R3与信号输入VIN+连接，所述D1的阳极接地GND；所述三极管Q1的发射极与所述二极管D3的阳极连接，所述二极管D3的阴极连接电源VCC和所述欠压采样电路中电阻R4的一端，所述D3的阴极还通过电容C4接地GND；所述电压基准芯片U3的第1端阴极通过电阻R13连接电源VCC，所述U3的第2端阳极接地，所述U3的第3端还连接电源+2.5V，第3端还与欠压采样电路中电阻R4的另一端连接，第3端还通过所述电阻R14接地GND；所述电阻R14的一端接地GND，另一端与所述U3的第1端阴极连接。3.根据权利要求2所述的放电电路，其特征在于，所述欠压采样电路包括所述电阻R4，还包括电阻R7、电阻R10、电阻R12、电容C3、电容C5、电容C6以及运算放大器U1；所述运算放大器U1的2引脚IN
‑
通过所述电阻R4连接电源VCC，所述2引脚IN
‑
还通过电阻R7接地；所述U1的3引脚IN+通过所述电阻R10连接电源+2.5V，所述3引脚IN+还通过所述电容C5接地GND；...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙腾飞，严明，刘志科，王理想，
申请(专利权)人：成都四维通达科技有限公司，
类型：新型
国别省市：