【技术实现步骤摘要】
显示设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2022年1月28日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
‑
2022
‑
0013075的权益,其全部公开内容通过引用并入本文以用于所有目的。
[0003]实施例涉及一种显示设备。
技术介绍
[0004]半导体发光二极管(LED)不仅被用作照明装置的光源,而且被用作各种电子产品的光源。例如,LED被广泛用作诸如电视(TV)、移动电话、个人计算机(PC)、笔记本PC、个人数字助理(PDA)等的各种显示设备的光源。
[0005]现有的显示设备主要包括显示面板,显示面板包括液晶显示器(LCD)和背光,但是近来,LED被用作要以不需要单独背光的形式开发的像素。这种显示设备可以小型化,并且可以实现与LCD相比具有较高光效率的高亮度显示设备。
技术实现思路
[0006]根据实施例,一种显示设备包括:电路板,其具有驱动电路;
[0007]以及像素阵列,其设置在电路板上,并且包括像素单元,像素单元中的每一个具有多个子像素和分别与所述多个子像素对应的多个发光二极管(LED)单元。像素阵列还包括:半导体堆叠件,其包括在电路板上的第一半导体区和在第一半导体区上的第二半导体区,其中第一半导体区被划分为多个部分,被划分的所述多个部分分别被提供给所述多个LED单元,并且第二半导体区包括限定多个子像素空间的分隔结构,所述多个子像素空间分别对应于所述多个LED单元;多个波长转换器,其分别设置在所 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示设备,包括:电路板,其具有驱动电路;以及像素阵列,其在所述电路板上,并且包括像素单元,所述像素单元中的每一个具有多个子像素和分别与所述多个子像素对应的多个发光二极管单元,所述像素阵列还包括:半导体堆叠件,其包括在所述电路板上的第一半导体区和在所述第一半导体区上的第二半导体区,其中:所述第一半导体区被划分为多个部分,被划分的所述多个部分分别被提供给所述多个发光二极管单元,并且所述第二半导体区包括限定多个子像素空间的分隔结构,所述多个子像素空间分别对应于所述多个发光二极管单元;多个波长转换器,其分别设置在所述多个子像素空间中;分隔反射层,其具有在所述分隔结构的上表面上的第一部分和在所述分隔结构的侧壁上的第二部分,所述第一部分具有大于所述第二部分的厚度的厚度;钝化层,其在所述多个发光二极管单元的下表面和侧表面上;以及第一电极和第二电极,其在所述钝化层上,并且将所述多个发光二极管单元中的每一个电连接到所述驱动电路。2.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述多个波长转换器具有比所述分隔结构的上表面更高的上表面。3.根据权利要求1所述的显示设备,其中:所述分隔反射层包括顺序地堆叠在所述分隔结构的上表面和侧壁上的第一分隔绝缘膜、反射金属膜和第二分隔绝缘膜,并且所述反射金属膜在所述第一部分中的第一厚度大于所述反射金属膜在所述第二部分中的第二厚度。4.根据权利要求3所述的显示设备,其中,所述第二厚度被定义为所述第二部分的上端部的厚度,并且所述反射金属膜的所述第一厚度是所述第二厚度的2倍或更多倍。5.根据权利要求3所述的显示设备,其中,所述第二厚度被定义为所述第二部分的下端部的厚度,并且所述反射金属膜的所述第一厚度是所述第二厚度的10倍或更多倍。6.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述第二半导体区包括与所述第一半导体区的与所述第二半导体区相邻的半导体层的半导体材料相同的半导体材料。7.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述第一半导体区包括:第一导电类型半导体层,其与所述第二半导体区相邻并且由所述多个发光二极管单元共享;以及多个有源层和多个第二导电类型半导体层,所述多个有源层和所述多个第二导电类型半导体层被顺序地设置以在所述第一导电类型半导体层的下表面上构造所述多个发光二极管单元。8.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述像素单元中的每一个具有四个子像素,并且所述像素阵列还包括欧姆接触层,所述欧姆接触层连接到所述第一电极并设置在所述像素单元中的每一个中的四个子像素的中心。9.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述多个发光二极管单元的侧表面各自具有
85
°
至95
°
的角度。10.一种显示设备,包括:电路板,其具有驱动电路和连接到所述驱动电路的第一接合电极;以及像素阵列,其在所述电路板上,并且具有其中布置有像素单元的显示区域和与所述显示区域相邻的外围区域,所述像素单元中的每一个包括多个子像素,所述像素阵列包括:多个发光二极管单元,其被布置为与所述显示区域中的所述多个子像素对应,所述多个发光二极管单元中的每一个包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层;分隔结构,其在所述多个发光二极管单元上,并且在分别与所述多个发光二极管单元对应的区域中提供多个子像素空间;多个波长转换器,其分别在所述多个子像素空间中;分隔反射层,其具有在所述分隔结构的上表面上的第一部分和在所述分隔结构的侧壁上的第二部分,所述第一部分具有大于所述第二部分的厚度的厚度;钝化层,其在所述多个发光二极管单元的下表面和侧表面上;第一反射电极,其在所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:郑朱娟,梁钟邻,李振燮,赵秀玄,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。