一种密闭式晶圆盒装载口及其气体置换方法技术

本发明专利技术提供了一种密闭式晶圆盒装载口及其气体置换方法，所述装载口用于安装在半导体制程设备前端模块的前方，所述装载口包括：承载台，用于承载晶圆盒；传动机构，连接于所述承载台，用于带动所述承载台上下运动；阻挡单元，设置在所述装载口的基板传输接口处，用于控制所述装载口与所述半导体制程设备前端模块的气体流通；进气单元，一端连接于气源，另一端通入所述装载口的密封腔中；排气单元，连通于所述密封腔，用于将所述密封腔中的气体排出；控制单元，用于控制所述阻挡单元、所述进气单元和所述排气单元的工作状态。本发明专利技术至少能够解决晶圆在工艺前被氧化的问题。决晶圆在工艺前被氧化的问题。决晶圆在工艺前被氧化的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种密闭式晶圆盒装载口及其气体置换方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造设备
，具体涉及一种密闭式晶圆盒装载口及其气体置换方法。

技术介绍

[0002]半导体行业中6、8英寸晶圆盒为了保证洁净度，通常使用SMIF(standard mechanical interface)形式的密闭式晶圆盒进行晶圆装载。
[0003]随着芯片制造中先进制程的发展，芯片图案趋于精细化，为了控制芯片的良率，对芯片过程中晶圆所接触到的气体氛围控制愈发严格。例举1，在芯片制造过程中，晶圆暴露在空气中接触氧气、水气会发生缓慢氧化，生成的很薄的二氧化硅氧化膜可能影响芯片中晶体管电性能。行业通常通入经过加热后的氮气，置换出密闭式晶圆盒中的氧气，降低湿度。
[0004]例举2，半导体制程涉及很多化学工艺，例如晶圆刻蚀工艺，会使用到氯气、溴气等强酸性气体，在刻蚀制程完成后，晶圆表面可能会有残余的杂质。前一道工艺中残余的杂质如果带入当前工艺中，可能会造成工艺设备的污染及芯片良率的下降，因此在制程开始的时候，会考虑对晶圆进行气体吹扫，置换晶圆表面或者密闭式本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种密闭式晶圆盒装载口，用于安装在半导体制程设备前端模块的前方，其特征在于，所述装载口包括：承载台，用于承载晶圆盒；传动机构，连接于所述承载台，用于带动所述承载台上下运动；阻挡单元，设置在所述装载口的基板传输接口处，用于控制所述装载口与所述半导体制程设备前端模块的气体流通；进气单元，一端连接于气源，另一端通入所述装载口的密封腔中；排气单元，连通于所述密封腔，用于将所述密封腔中的气体排出；控制单元，用于控制所述阻挡单元、所述进气单元和所述排气单元的工作状态。2.如权利要求1所述的密闭式晶圆盒装载口，其特征在于，所述阻挡单元包括：挡板；水平向移动组件，连接于所述挡板，能够带动所述挡板在水平方向上靠近/远离所述基板传输接口；垂向移动组件，连接于所述水平向移动组件，能够带动所述水平向移动组件和所述挡板在竖向方向上靠近/远离所述基板传输接口。3.如权利要求1所述的密闭式晶圆盒装载口，其特征在于，所述挡板的表面具有钝化层。4.如权利要求1所述的密闭式晶圆盒装载口，其特征在于，所述密封腔的底板设有进气口和排气口，所述进气单元和所述排气单元分别连通于所述进气口和所述排气口。5.如权利要求4所述的密闭式晶圆盒装载口，其特征在于，所述密封腔中设有垂向风道和水平向风道，所述垂向风道的底部连通于所述进气口，顶部延伸至所述装载口的水平台，所述水平向风道位于所述底板上方，一端与所述垂向风道的底部连通，另一端为开放端，所述开放端靠近所述排气口。6.如权利要求5所述的密闭式晶圆盒装载口，其特征在于，所述垂向风道朝向所述基板传输接口的一侧设有多个通气孔。7.如权利要求5所述的密闭式晶圆盒装载口，其特征在于，所述水平风道中设置有风机，所述风机的后端依次设置气体止回阀和过滤器。8.如权利要求1所述的密闭式晶圆盒装载口，其特征在于，所述密封腔中还设有氧浓度传感器，用于检测氧气浓度。9.如权利要求1所述的密闭式晶圆盒装载口，其特征在于，所述进气单元包括进气管道，以及...

【专利技术属性】
技术研发人员：余涛，张明辉，张晗，
申请(专利权)人：乐孜芯创半导体设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：