基于SiC功率器件的测试系统和方法技术方案

本发明专利技术涉及SiC的测试技术，公开了基于SiC功率器件的测试系统和方法，其采集单元用于采集功率器件测试单元的电压VD和电流ID；主控制单元用于控制采样单元、功率器件测试单元和电源单元，并将模拟信号传送至数模转换单元；电源单元提供VG负压及VD电压至数组功率器件测试单元；数模转换单元用于对接收的主控制单元传送的模拟信号转换为数字信号；数模转换单元将数字信号传送至数组功率器件测试单元。本发明专利技术能用于数组的功率器件测试单元进行同时测试，测试成本低；同时本发明专利技术能够用于大功率小电流的测试，能够很好地满足不同封装的功率器件测试。件测试。件测试。

【技术实现步骤摘要】
基于SiC功率器件的测试系统和方法


[0001]本专利技术涉及SiC功率器件的测试技术，尤其涉及了基于IOL间歇工作寿命的SiC功率器件的测试系统和方法。

技术介绍

[0002]目前，针对普通的硅基器件，IOL试验使用体二极管进行加热，栅极和源极只需短路即可，结温测试方法是利用在小电流下体二极管的温度特性实现测量。但是对于SiC 器件的结温测试需要给栅极足够的负压以完全关闭MOS，建立稳定的二极管电压，确保反向测试电流只流入体二极管。栅极电压的选择对于测试的准确性非常重要，同时为了保证试验更加符合工况，被测器件的加热采用正向导通，大电压、小电流功率加热的方式。

技术实现思路

[0003]本专利技术针对现有技术中对于多组功率器件的测试成本高，不能对不同功率的器件同时进行测试，对于测试的SiC功率器件封装要求高的问题，提供了基于SiC功率器件的测试系统和方法。
[0004]为了解决上述技术问题，本专利技术通过下述技术方案得以解决：基于SiC功率器件的测试系统，包括电源单元、主控制单元、数模转换单元、采样单元、测试电流单元和数本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.基于SiC功率器件的测试系统，包括电源单元、主控制单元、数模转换单元、采样单元、测试电流单元和数组功率器件测试单元；其特征在于，采集单元用于采集功率器件测试单元的电压VD和电流ID；主控制单元用于控制采样单元、功率器件测试单元和电源单元，并将模拟信号传送至数模转换单元；电源单元提供VG负压及VD电压至数组功率器件测试单元；数模转换单元用于对接收的主控制单元传送的模拟信号转换为数字信号；数模转换单元将数字信号传送至数组功率器件测试单元。2.根据权利要求1所述的基于SiC功率器件的测试系统，其特征在于，功率器件测试单元包括发热控制单元，功率器件单元DUT和光耦控制单元；发热控制单元接收数模转换单元的数字信号，依据接收的数字信号确认发热控制单元的ID；光耦控制单元包括第一光耦控制单元和第二光耦控制单元，第一光耦控制单元用于控制VG负压；第二光耦控制单元用于控制电源提供的VD电压；测试电流单元提供IM电流至功率器件单元DUT。3.根据权利要求2所述的基于SiC功率器件的测试系统，其特征在于，发热控制单元包括运放单元U101A和电流差分单元U101B；运放单元U101A连接有去耦电容C105和电容C109；电容C105与运放单元U101A的+15V端连接，电容C109与运放单元U101A的
‑
12V端连接。4.根据权利要求1所述的基于SiC功率器件的测试系统，其特征在于，测试电流单元包括运放单元U113A、MOS管Q101和整流单元；运放单元U113A的输出端与MOS管Q101的1端连接，MOS管Q101的1端与整流单元连接；整流单元于功率器件单元DUT的D端和S端。5.根据权利要求2所述的基于SiC功率器件的测试系统，其特征在于，第二光耦控制单元包括光耦D81...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜磊，柴俊标，贺庭玉，余亮，廖剑，卜建明，
申请(专利权)人：杭州中安电子有限公司，
类型：发明
国别省市：