半导体器件的寿命预测方法、可读存储介质及电子设备技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件的寿命预测方法、可读存储介质及电子设备，所述半导体器件的寿命预测方法包括：根据半导体器件的使用寿命与所述半导体器件的衬底电流和饱和电流的比值的历史数据，建立寿命预测模型；测试当前半导体器件的衬底电流和饱和电流，并计算所述当前半导体器件的所述衬底电流与所述饱和电流的比值；将所述当前半导体器件的所述衬底电流与所述饱和电流的比值代入所述寿命预测模型中，以计算获得所述当前半导体器件的使用寿命。本发明专利技术的技术方案能够快速且准确预估半导体器件的使用寿命，从而缩短半导体器件的开发周期。发周期。发周期。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的寿命预测方法、可读存储介质及电子设备


[0001]本专利技术涉及微电子
，特别涉及一种半导体器件的寿命预测方法、可读存储介质及电子设备。

技术介绍

[0002]芯片产品的可靠性是芯片的一项关键性的基础性能指标，而半导体器件在正常工作状态下所需要的测试时间长得无法想象，所以一般均会采用加速寿命测试的方法，即根据不同的测试项目，通过增加相关的测试温度和测试应力来缩短测试时间，再通过换算得到半导体器件对于该测试项目在常用条件下的真正寿命。
[0003]现有的可靠性测试主要通过加速寿命测试，如图1所示，对半导体器件的加速寿命测试的具体步骤主要包括：首先，准备测试样品，并对测试样品进行初步电性测试，筛除不合格的样品；随后，依照测试样品的性能及测试需求确认测试的应力条件，并记录测试样品的初始电性数值；随后，在高温和应力条件下，对测试样品进行试验，并在整个测试时间的中间时间段记录测试样品的电性数值；随后，循环增加应力，并继续循环对测试样品进行试验，且在测试时间的中间时间段记录测试数据，直至测试样品的电性测试失效；随后，将测试得到的数本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的寿命预测方法，其特征在于，包括：根据半导体器件的使用寿命与所述半导体器件的衬底电流和饱和电流的比值的历史数据，建立寿命预测模型；测试当前半导体器件的衬底电流和饱和电流，并计算所述当前半导体器件的所述衬底电流与所述饱和电流的比值；将所述当前半导体器件的所述衬底电流与所述饱和电流的比值代入所述寿命预测模型中，以计算获得所述当前半导体器件的使用寿命。2.如权利要求1所述的半导体器件的寿命预测方法，其特征在于，所述半导体器件和所述当前半导体器件包括衬底、源极、漏极、栅极层和栅氧层，所述栅氧层形成于所述衬底上，所述栅极层形成于所述栅氧层上，所述源极和所述漏极分别形成于所述栅氧层两侧的所述衬底中。3.如权利要求2所述的半导体器件的寿命预测方法，其特征在于，测试所述当前半导体器件的衬底电流和饱和电流的步骤包括：在所述漏极施加电压，且将所述电压逐渐增大，直至所述电压增大至所述当前半导体器件的工作电压时，测试所述当前半导体器件的衬底电流和饱和电流。4.如权利要求3所述的半导体器件的寿命预测方法，其特征在于，所述源极接地。5.如权利要求1所述的半导体器件的寿命预测方法，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁成栋，何亮亮，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：