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本发明提供了一种半导体器件的寿命预测方法、可读存储介质及电子设备，所述半导体器件的寿命预测方法包括：根据半导体器件的使用寿命与所述半导体器件的衬底电流和饱和电流的比值的历史数据，建立寿命预测模型；测试当前半导体器件的衬底电流和饱和电流，并计...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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