晶片的制造方法技术

本发明专利技术提供晶片的制造方法，能够抑制成品率降低。晶片的制造方法包含如下的步骤：晶片准备步骤，准备具有借助粘接层而与基板用晶片接合的多个半导体器件的晶片；优劣判别步骤，对接合于基板的多个半导体器件的状态的优劣进行判别；激光束照射步骤，按照对粘接有被判别为不良的半导体器件的粘接层进行加热的方式照射激光束，使与激光束的被照射区域对应的粘接层熔融；以及处理步骤，对通过激光束照射步骤使粘接层熔融而解除了粘接状态的半导体器件进行处理。器件进行处理。器件进行处理。

【技术实现步骤摘要】
晶片的制造方法


[0001]本专利技术涉及晶片的制造方法。

技术介绍

[0002]LED(Light Emitting Diode，发光二极管)等光器件例如通过使构成pn结的n型半导体层和p型半导体层在蓝宝石基板的正面上外延生长而形成。近年来，被称为微LED的极小尺寸的LED的制造技术也在发展，通过蚀刻将半导体层分割而制作多个LED(例如参照专利文献1)。
[0003]还已知将这样形成的光器件层从蓝宝石基板移设到其他移设基板的激光剥离的技术，从蓝宝石基板剥离的光器件层借助粘接层而转移到移设基板(例如参照专利文献2)。
[0004]但是，在蚀刻或剥离等中途的工艺中对光器件层造成损伤的情况下，由于该不良器件而使成品率降低。
[0005]上述问题不限于微LED，例如在层叠器件芯片的制造工序中也存在相同的问题。在层叠器件芯片的制造工序中，将多个晶片层叠，并且利用按照贯通层叠的晶片的方式形成的电极将各晶片所具有的半导体器件彼此连接，由此形成层叠晶片(Wafer on Wafer(堆叠晶片)工艺)(例如参照专利文献3)。
[0006]专利文献1：日本特开2018
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107421号公报
[0007]专利文献2：日本特开2018
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194718号公报
[0008]专利文献3：日本特开2003
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249620号公报
[0009]关于专利文献3等所示的制造方法，在层叠的晶片中包含不良器件的情况下，会制造包含不良器件的层叠器件，因此层叠器件的成品率会降低被视为问题。
[0010]另外，关于专利文献3等所示的制造方法，在层叠的晶片的一部分产生接合不良的情况下，会制造器件彼此接合不良的层叠器件，因此层叠器件的成品率会降低。
[0011]这样，一直以来，关于在基板上层叠半导体器件而制造的晶片，若层叠不良品的半导体器件或产生半导体器件的接合不良，则层叠器件的成品率降低。

技术实现思路

[0012]由此，本专利技术的目的在于提供能够抑制成品率降低的晶片的制造方法。
[0013]根据本专利技术，提供晶片的制造方法，其中，该晶片的制造方法具有如下的步骤：晶片准备步骤，准备具有借助粘接层而与基板接合的多个半导体器件的晶片；判别步骤，对接合于该基板的多个该半导体器件的状态的优劣进行判别；激光束照射步骤，按照对粘接有被判别为不良的半导体器件的该粘接层进行加热的方式照射激光束，使与激光束的被照射区域对应的该粘接层熔融；以及处理步骤，对通过该激光束照射步骤使该粘接层熔融而解除了粘接状态的该半导体器件进行处理。
[0014]优选该激光束隔着该半导体器件而照射至该粘接层。
[0015]优选该处理步骤是将该半导体器件再次接合于该基板的再接合步骤。
[0016]优选该处理步骤是将该半导体器件从该基板去除的去除步骤。
[0017]优选该去除步骤包含使晶片的该半导体器件朝向下方自由落体的过程。
[0018]优选该去除步骤对通过自由落体而落下的该半导体器件喷射气体而回收该半导体器件。
[0019]优选该去除步骤可以包含对解除了粘接状态的该半导体器件喷射气体从而使该半导体器件从该基板浮起并对浮起的该半导体器件进行吸引而从该基板去除该半导体器件的过程。
[0020]优选晶片的制造方法还具有如下的良品粘接步骤：在实施了该去除步骤之后，在去除了被判别为不良品的该半导体器件的区域粘接具有与该半导体器件相同的功能的半导体器件。
[0021]本专利技术起到能够抑制成品率降低的效果。
附图说明
[0022]图1是示意性示出作为第1实施方式的晶片的制造方法的加工对象的晶片的立体图。
[0023]图2是示意性示出图1所示的晶片的剖视图。
[0024]图3是示意性示出图2所示的晶片的主要部分的俯视图。
[0025]图4是示出第1实施方式的晶片的制造方法的流程的流程图。
[0026]图5是示意性示出在图4所示的晶片的制造方法的晶片准备步骤中准备的晶片的剖视图。
[0027]图6是以局部剖面示意性示出图4所示的晶片的制造方法的激光束照射步骤的侧视图。
[0028]图7是示意性示出图4所示的晶片的制造方法的去除步骤的剖视图。
[0029]图8是示意性示出图4所示的晶片的制造方法的良品粘接步骤的晶片的立体图。
[0030]图9是以局部剖面示意性示出图4所示的晶片的制造方法的良品粘接步骤的侧视图。
[0031]图10是以局部剖面示意性示出图6所示的第1实施方式的晶片的制造方法的激光束照射步骤的第1变形例的侧视图。
[0032]图11是以局部剖面示意性示出图6所示的第1实施方式的晶片的制造方法的激光束照射步骤的第2变形例的侧视图。
[0033]图12是以局部剖面示意性示出图6所示的第1实施方式的晶片的制造方法的激光束照射步骤的第3变形例的侧视图。
[0034]图13是示意性示出图7所示的第1实施方式的晶片的制造方法的去除步骤的第1变形例的剖视图。
[0035]图14是示意性示出图7所示的第1实施方式的晶片的制造方法的去除步骤的第2变形例的剖视图。
[0036]图15是示意性示出在图14所示的去除步骤中将半导体器件去除的状态的剖视图。
[0037]图16是示出第2实施方式的晶片的制造方法的流程的流程图。
[0038]图17是以局部剖面示意性示出图16所示的晶片的制造方法的激光束照射再接合
步骤的侧视图。
[0039]图18是以局部剖面示意性示出第1实施方式和第2实施方式的第1变形例的晶片的制造方法的良品粘接步骤和激光束照射再接合步骤的侧视图。
[0040]图19是以局部剖面示意性示出第1实施方式和第2实施方式的第2变形例的晶片的制造方法的良品粘接步骤和激光束照射再接合步骤的侧视图。
[0041]图20是以局部剖面示意性示出第1实施方式和第2实施方式的第3变形例的晶片的制造方法的良品粘接步骤和激光束照射再接合步骤的侧视图。
[0042]标号说明
[0043]1：晶片；2：基板用晶片(基板)；3：半导体器件；3
‑
1、3
‑
3：判别为不良的半导体器件；3
‑
2：具有相同的功能的半导体器件；10：粘接层；21：激光束；41：气体；53：加压气体(气体)；101：晶片准备步骤；103：激光束照射步骤；104：去除步骤(处理步骤)；105：良品粘接步骤；110：激光束照射再接合步骤(处理步骤、激光束照射步骤、再接合步骤)。
具体实施方式
[0044]以下，参照附图对本专利技术的实施方式进行详细说明。本专利技术并不被以下实施方式所记载的内容限定。另外，在以下所记载的构成要素中包含本领域技术人员能够容易想到的内容、实质上相同的内容。另外，以下所记载的结构可以适当组合。另外，可以在不脱离本专利技术的主旨的范围内进行结构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片的制造方法，其中，该晶片的制造方法具有如下的步骤：晶片准备步骤，准备具有借助粘接层而与基板接合的多个半导体器件的晶片；判别步骤，对接合于该基板的多个该半导体器件的状态的优劣进行判别；激光束照射步骤，按照对粘接有被判别为不良的半导体器件的该粘接层进行加热的方式照射激光束，使与激光束的被照射区域对应的该粘接层熔融；以及处理步骤，对通过该激光束照射步骤使该粘接层熔融而解除了粘接状态的该半导体器件进行处理。2.根据权利要求1所述的晶片的制造方法，其中，该激光束隔着该半导体器件而照射至该粘接层。3.根据权利要求1或2所述的晶片的制造方法，其中，该处理步骤是将该半导体器件再次接合于该基板的再接合步骤。4.根据权利要求1所述的晶片的制造方法，其中，该处理步骤是将该半导体器件...

【专利技术属性】
技术研发人员：野村哲平，陈之文，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：