【技术实现步骤摘要】
一种低粘度可低温快速固化的底部填充胶及其制备方法
[0001]本专利技术涉及胶粘剂
,特别是涉及一种低粘度可低温快速固化的底部填充胶及其制备方法。
技术介绍
[0002]随着微电子技术、智能技术的发展,对IC集成度及高功耗芯片需求的也随之提高及增长。FC(Flip chip)倒装芯片,即裸芯片封装技术之一,IC芯片的电极区制作好金属凸点,然后把锡球焊点与印刷基板上的电极区进行回流焊接。底部填充胶是对CSP/BGA封装模式的芯片进行底部填充,通过毛细作用,将CSP/BGA底部空隙填充,经加热固化后形成牢固的填充层,降低芯片与基板之间因热膨胀系数差异所造成的应力冲击,增强了芯片与基板之间的抗跌落性,提高了元器件的结构强度及可靠性,从而使封装模块有优良的电气性能及机械性能。由于在芯片封装时,芯片与基板板之间的间隙只有20~50μm甚至更小,以及基板上残留的助焊剂等,要求底部填充胶在毛细填充时,渗透填充速度需满足产线工艺、产能需求,填充无缺陷,固化应力低、底部填充胶固化后可否满足返修、耐热性能以及热膨胀系数低等的需求以确保封装 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种低粘度可低温快速固化的底部填充胶,其特征在于,制备所述底部填充胶的原料按照质量份配比包括:10
‑
30wt%的环氧树脂,10
‑
30wt%的环氧活性稀释剂,0.05
‑
3wt%的阳离子热引发剂,0.05
‑
3wt%的助剂,以及改性无机填料50
‑
70wt%;所述改性无机填料是将燃爆法工艺制得的球形硅微粉原粉,经硅烷偶联剂进行表面改性制得的。2.根据权利要求1所述的底部填充胶,其特征在于:所述燃爆法工艺制得的球形硅微粉原粉的比表面积为1.5
‑
12m2/g,粒径分布范围为D50为0.5
‑
3μm,D100为1
‑
6μm。3.根据权利要求1所述的底部填充胶,其特征在于:所述环氧树脂包括脂环族环氧树脂,双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、酚醛型环氧树脂,邻
‑
甲酚醛型环氧树脂,联苯型环氧树脂,蒽型环氧树脂,含有萘酚结构的环氧树脂、乙烯基环氧树脂,氢化双酚A环氧树脂和氢化双酚F环氧树脂中的一种或几种的混合物。4.根据权利要求3所述的底部填充胶,其特征在于:所述脂环族环氧树脂包括双
‑
(3,4
‑
环氧环己基甲基)己二酸酯、3,4
‑
环氧环己基甲基
‑
3,4
‑
环氧环己基甲酸酯和己内酯的聚合产物、4,5
‑
环氧环已烷
‑
1,2
‑
二甲酸二缩水甘油酯、3,4
‑
环氧环己基甲基
‑
3,4
‑
环氧环己基羧酸酯、四氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯、六氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯和1,4
‑
环己烷二甲醇双(3,4
‑
环氧环己烷甲酸)酯中的一种或几种的混合物。5.根据权利要求1所述的底部填充胶,其特征在于:所述环氧活性稀释剂包括丁基苯基缩水甘油醚、苯基缩水甘油醚、4
‑
叔丁基苯基缩水甘油醚、1,4丁二醇二缩水甘油醚、1
‑
6己二醇二缩水甘油醚、聚丙二醇二缩水甘油醚、聚乙二醇二缩水甘油醚、苄基缩水甘油醚、四氢茚二环氧化物、双环戊二烯二环氧化物、1,2
‑
环氧
‑4‑
乙烯基环己烷、二氧化乙烯基环己烯、(3,4,3
’
,4
’‑
二环氧)联环己烷,3
‑
乙氧基
‑3‑
羟甲基氧杂环丁烷、3,3
’‑
[氧基双亚甲基]双[3
‑
乙基]氧杂环丁烷,3
【专利技术属性】
技术研发人员:范坤泉,王兴安,
申请(专利权)人:深圳市安伯斯科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。