硅片及其清洗制绒方法技术

本发明专利技术公开一种硅片及其清洗制绒方法，属于太阳能电池制备技术领域，硅片的清洗制绒方法包括如下的步骤：对硅片依次进行前清洗处理以及混合水洗；对前清洗后的硅片依次进行制绒处理以及混合水洗；对制绒后的硅片依次进行制绒液去除处理以及混合水洗；其中，混合水洗的步骤包括：依次进行热水洗和温水洗。硅片采用所述硅片的清洗制绒方法制成。本发明专利技术通过热水洗和温水洗相结合，能快速去除硅片表面残留的药液，缩短清洗时间，减少水洗过程所需的水量，从而提高清洗效果和效率。从而提高清洗效果和效率。从而提高清洗效果和效率。

【技术实现步骤摘要】
硅片及其清洗制绒方法


[0001]本专利技术属于太阳能电池制备
，特别涉及一种硅片及其清洗制绒方法。

技术介绍

[0002]现有的异质结电池片的清洗制绒工艺，包括粗抛、前清洗、水洗、制绒、后清洗、慢提拉和烘干等多道处理工序，在粗抛、前清洗、后清洗等工序中，均需要在碱洗或酸洗后对硅片进行常温水洗，除去硅片表面残留的混合溶液。
[0003]然而，采用常温水洗方式去除硅片残留的混合溶液（酸碱溶液）存在如下问题：清洗效果差，清洗时间长，通常需要设置几个清洗槽来进行分步清洗以缩短清洗时间，反复清洗化学药液会造成水资源浪费。

技术实现思路

[0004]本专利技术目的在于提供一种硅片及其清洗制绒方法，通过热水洗和温水洗相结合，能快速去除硅片表面残留的药液，缩短清洗时间，减少水洗过程所需的水量，从而提高清洗效果和效率。
[0005]为解决上述技术问题所采用的技术方案：第一方面，本专利技术提供一种硅片的清洗制绒方法，包括如下的步骤：对硅片依次进行前清洗处理以及混合水洗；对前清洗后的硅片依次进行制绒处理以及混合水洗；对制绒后的硅片依次进行制绒液去除处理以及混合水洗；其中，所述混合水洗的步骤包括：依次进行热水洗和温水洗。
[0006]本专利技术提供的硅片的清洗制绒方法至少具有如下的有益效果：在硅片的前清洗处理、制绒处理和制绒液去除处理中，都会将硅片置于相应的药液进行浸泡清洗，先后完成硅片的表面机械损伤去除、绒面形成以及制绒液去除的工作；在每次药液处理硅片后，都需要对硅片进行水洗处理，其中，先对硅片进行热水清洗，能够迅速清除硅片表面残留的大部分药液，然后对硅片进行温水清洗，以洗去硅片表面剩余部分的药液；这相对于只采用温水洗方式，能缩短清洗时间，减少所用的水量，可以提高清洗效果和清洗效率。
[0007]作为上述技术方案的进一步改进，所述热水洗的温度为42℃～70℃。如此设置，在热水洗过程中，既能促使残留的药液与硅片表面快速分离，又能保证硅片不会因水温过高而受影响。
[0008]作为上述技术方案的进一步改进，所述依次进行热水洗和温水洗，包括如下的步骤：将硅片置于热水槽内浸泡清洗；再将硅片置于温水槽内浸泡清洗。
[0009]如此设置，能将硅片先后置于热水槽和温水槽进行浸泡清洗，可以缩短从热水洗切换至温水洗的时间，有助提升水洗效率。
[0010]作为上述技术方案的进一步改进，所述依次进行热水洗和温水洗，还包括如下的步骤：利用第一槽体将所述温水槽的前m次排水中的水进行回收；其中，m≥1；将所述第一槽体的水回流至所述热水槽；利用第二槽体将所述温水槽的第m次后排水中的水进行回收；将所述第二槽体的水回流至所述温水槽内。
[0011]由于硅片依次经历热水洗和温水洗，硅片表面残留的大部分溶液已经在热水洗过程中被去除，在前m次温水洗所排放的水满足热水槽的水质要求，因此，可以将这部分排放水通过第一槽体进行回收，并在热水槽内再利用，在第m次温水洗后所排放的水满足温水槽的水质要求，因此，可以将这部分排放水通过第二槽体进行回收，并再利用于温水洗工作中，能够大大提高水资源的利用率，降低清洗成本，同时保证硅片能获得好的清洗制绒效果。
[0012]作为上述技术方案的进一步改进，所述依次进行热水洗和温水洗，还包括如下的步骤：将所述热水槽的前n次排水中的水进行外排；其中，n≥1；利用第一槽体将所述热水槽的第n次后排水中的水进行回收。
[0013]在前n次热水洗工作中，硅片表面残留的大部分溶液已被清除，此时，热水槽内的水所含杂质多，则需要将其完全外排，避免其影响后续热水洗的效果，有助缩短清洗时间；在第n次后的热水洗工作中，所排放的水达到热水槽的水质要求，通过第一槽体将该部分的排放水进行回收，并循环利用于热水槽中，不仅令水资源的利用率更大，而且还实现热量循环回收利用，从而进一步降低清洗成本。
[0014]作为上述技术方案的进一步改进，所述对硅片依次进行前清洗处理以及混合水洗，包括如下的步骤：对硅片先进行酸处理以去除硅片表面的杂质，再进行混合水洗；对硅片先进行碱处理以去除硅片表面的机械损伤，再进行混合水洗。
[0015]在完成对硅片的酸处理后，能清除掉硅片表面的杂质，然后采用混合水洗方式，快速有效地去除硅片表面残留的酸溶液；在完成杂质去除后，对硅片进行碱处理，旨在清除硅片表面的机械损伤，然后通过混合水洗方式，高效地去除硅片表面残留的碱溶液；如此能够缩短硅片的清洗制绒时间，同时为制绒处理工序提供质量佳的硅片，能提高制绒效果。
[0016]作为上述技术方案的进一步改进，在所述对硅片进行酸处理中，采用氢氟酸和盐酸的混合溶液，同时通入臭氧水；其中，氢氟酸的体积比为1%～5%，盐酸的体积比为2%～8%，臭氧水的通入量为20ppm～50ppm。
[0017]采用上述的氢氟酸和盐酸的混合溶液来处理硅片，同时给混合溶液通入臭氧水，能够很好地去除硅片表面的杂质。
[0018]作为上述技术方案的进一步改进，在所述对硅片进行碱处理中，先采用40℃～90℃、氢氧化钾的体积比为1%～4%的溶液，再采用40℃～90℃、氢氧化钾的体积比为1%～3%，双氧水的体积比为3%～8%的混合溶液。
[0019]在硅片的碱处理过程中，首先采用上述的氢氧化钾溶液去除硅片表面的机械损伤，从而完成粗抛工作；然后再采用上述的氢氧化钾和双氧水的混合溶液，去除硅片表面残
留的有机溶液及机械损伤。
[0020]作为上述技术方案的进一步改进，在所述对制绒后的硅片进行制绒液去除处理中，采用40℃～90℃、氢氧化钾的体积比为2%～5%，双氧水的体积比为8%～15%的混合溶液。
[0021]在完成制绒工作后，采用上述的氢氧化钾和双氧水的混合溶液处理硅片，将硅片表面残留的制绒添加剂进行清除，避免硅片出现过度腐蚀。
[0022]作为上述技术方案的进一步改进，在所述对制绒后的硅片依次进行制绒液去除处理以及混合水洗之后，还包括如下的步骤：将硅片置于10℃～25℃、氢氟酸的体积比为1%～4%、盐酸的体积比为2%～8%的混合溶液中，同时按20ppm～50ppm的量通入臭氧水，然后对硅片进行水洗。
[0023]在完成制绒液去除工作后，采用上述的氢氟酸和盐酸的混合溶液，并使用臭氧水，以对硅片表面初步形成的金字塔结构进行修饰，进一步降低硅片的反射率；然后通过水洗处理，去除硅片表面残留的混合溶液。
[0024]作为上述技术方案的进一步改进，在所述对前清洗后的硅片进行制绒处理中，从硅片的相对两侧分别补充制绒液，并使制绒液分别沿硅片的正面和反面流动。
[0025]在使用制绒液处理硅片的过程中，从硅片的相对两侧分别通入制绒液，而且，制绒液会分别沿着硅片的正反两面流动，能增大制绒液与硅片之间的接触面，而且，硅片的正反面能更快接触到制绒液，促使硅片表面能够形成连续均匀的绒面，降低硅片的反射率，同时，令制绒效率更高。
[0026]作为上述技术方案的进一步改进，沿制绒槽的宽度方向布置关于硅片对称的两个制绒液补充组件，所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅片的清洗制绒方法，其特征在于，包括如下的步骤：对硅片依次进行前清洗处理以及混合水洗；对前清洗后的硅片依次进行制绒处理以及混合水洗；对制绒后的硅片依次进行制绒液去除处理以及混合水洗；其中，所述混合水洗的步骤包括：依次进行热水洗和温水洗。2.根据权利要求1所述的硅片的清洗制绒方法，其特征在于，所述热水洗的温度为42℃～70℃。3.根据权利要求1所述的硅片的清洗制绒方法，其特征在于，所述依次进行热水洗和温水洗，包括如下的步骤：将硅片置于热水槽内浸泡清洗；再将硅片置于温水槽内浸泡清洗。4.根据权利要求3所述的硅片的清洗制绒方法，其特征在于，所述依次进行热水洗和温水洗，还包括如下的步骤：利用第一槽体将所述温水槽的前m次排水中的水进行回收；其中，m≥1；将所述第一槽体的水回流至所述热水槽；利用第二槽体将所述温水槽的第m次后排水中的水进行回收；将所述第二槽体的水回流至所述温水槽内。5.根据权利要求4所述的硅片的清洗制绒方法，其特征在于，所述依次进行热水洗和温水洗，还包括如下的步骤：将所述热水槽的前n次排水中的水进行外排；其中，n≥1；利用第一槽体将所述热水槽的第n次后排水中的水进行回收。6.根据权利要求1所述的硅片的清洗制绒方法，其特征在于，所述对硅片依次进行前清洗处理以及混合水洗，包括如下的步骤：对硅片先进行酸处理以去除硅片表面的杂质，再进行混合水洗；对硅片先进行碱处理以去除硅片表面的机械损伤，再进行混合水洗。7.根据权利要求6所述的硅片的清洗制绒方法，其特征在于，在所述对硅片进行酸处理中，采用氢氟酸和盐酸的混合溶液，同时通入臭氧水；其中，氢氟酸的体积比为1%～5%，盐酸的体积比为2%～8%，臭氧水的通入量为20pp...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：广东利元亨智能装备股份有限公司，
类型：发明
国别省市：