本实用新型专利技术涉及数据存储安全技术领域，特别涉及一种带有标准接口的销毁装置，包括一端开口的中空壳体、安装在壳体开口处的标准接口以及内设于壳体的销毁模块，所述销毁模块包括反向升压电路、开关控制电路和单片机，所述反向升压电路与标准接口之间通过两条线路连接，其中一条线路为反向升压电路与标准接口直接连接，以对标准接口获取的工作电压进行反向升压，另一条线路为反向升压电路通过开关控制电路与标准接口连接，以控制反向升压电路的电压输出，所述单片机与开关控制电路连接以控制开关控制电路的通断；本实用新型专利技术提供一种小型化、集成化和标准化的带有标准接口的销毁装置。置。置。
【技术实现步骤摘要】
一种带有标准接口的销毁装置
[0001]本技术涉及数据存储安全
，特别涉及一种带有标准接口的销毁装置。
技术介绍
[0002]芯片作为数据存储元件，其内部存储着大量的重要信息。随着人们对系统数据安全和个人信息安全防护意识的日益增强，人们开始对芯片的安全性有着更高的要求。为了保障芯片内部存储信息的安全，在一些特殊应用场合下，需要对芯片进行物理销毁，以避免数据信息的外泄。
[0003]目前，市面上销毁装置的体积比较庞大，不便于携带，且根据待处理设备的不同，需要对销毁装置的接口进行相对应的设计，通用性较低。
技术实现思路
[0004]本技术的目的是克服现有技术存在的缺陷和不足，提供一种小型化、集成化和标准化的带有标准接口的销毁装置。
[0005]实现本技术目的的技术方案是：一种带有标准接口的销毁装置，包括一端开口的中空壳体、安装在壳体开口处的标准接口以及内设于壳体的销毁模块，所述销毁模块包括反向升压电路、开关控制电路和单片机，所述反向升压电路与标准接口之间通过两条线路连接，其中一条线路为反向升压电路与标准接口直接连接，以对标准接口获取的工作电压进行反向升压，另一条线路为反向升压电路通过开关控制电路与标准接口连接，以控制反向升压电路的电压输出，所述单片机与开关控制电路连接以控制开关控制电路的通断。
[0006]进一步地，所述反向升压电路包括控制芯片IC1、变压器T1、二极管D1、电阻R3以及电容C1、C2、C3、C4、C5和C6，所述控制芯片IC1的4引脚依次通过电阻R3、电容C1与变压器T1的第1端连接，所述变压器T1和电容C1的公共端接入标准接口，所述电阻R3和电容C1的公共端接地，所述变压器T1的第2端分别接入控制芯片IC1的5引脚和6引脚，所述变压器T1的第3端依次通过二极管D1、电容C6与变压器T1的第4端连接，所述电容C2、C3、C4和C5分别与电容C6并联，所述二极管D1和电容C6的公共端连接至开关控制电路，所述变压器T1的第4端和电容C6的公共端接地。
[0007]进一步地，所述变压器T1和电容C1的公共端分别接入控制芯片IC1的1引脚和2引脚，所述控制芯片IC1的7引脚和8引脚分别接地。
[0008]进一步地，所述开关控制电路包括MOS管Q1、电阻R1、R2和R4，所述MOS管Q1的漏极D依次通过电阻R1和R4接地，所述MOS管Q1和电阻R1的公共端接入二极管D1和电容C6的公共端，所述MOS管Q1的源极S接入标准接口，所述MOS管Q1的栅极G通过电阻R2接入单片机。
[0009]进一步地，所述单片机的1引脚与电阻R1和R4的公共端连接用于电压采样，所述单片机的2引脚通过电阻R2与MOS管Q1的栅极G连接，所述单片机的7引脚接地，所述单片机的9
引脚连接至+5V电压。
[0010]进一步地，所述标准接口为USB接口或type c接口。
[0011]进一步地，所述销毁装置的工作电压为5V。
[0012]进一步地，所述反向升压电路将工作电压反向升至
‑
245V。
[0013]采用上述技术方案后，本技术具有以下积极的效果：
[0014](1)本技术设计成U盘大小，且带有标准接口，便于携带，在使用时，只需将销毁装置插入待处理设备自带的接口即可进行销毁工作，通用性强；
[0015](2)本技术采用负压对待处理设备中的芯片进行反复击打，使得电压达到芯片储存阵列等关键部位，芯片的损坏率高。
附图说明
[0016]为了使本技术的内容更容易和清楚地被理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本技术作进一步的详细说明，其中：
[0017]图1为本技术的结构示意图；
[0018]图2为本技术的原理框架图；
[0019]图3为本技术的电路图；
[0020]图4为本技术单片机的示意图。
[0021]图中：1、壳体；2、标准接口；3、销毁模块；31、反向升压电路；32、开关控制电路；33、单片机。
具体实施方式
[0022]如图1和图2所示，一种带有标准接口的销毁装置，包括一端开口的中空壳体1、安装在壳体1开口处的标准接口2以及内设于壳体1的销毁模块3，销毁模块3包括反向升压电路31、开关控制电路32和单片机33，反向升压电路31与标准接口2之间通过两条线路连接，其中一条线路为反向升压电路31与标准接口2直接连接，以对标准接口2获取的工作电压进行反向升压，另一条线路为反向升压电路31通过开关控制电路32与标准接口2连接，以控制反向升压电路31的电压输出，单片机33与开关控制电路32连接以控制开关控制电路32的通断。本销毁装置设计成U盘大小，且带有标准接口2，便于携带，在使用时，只需将销毁装置插入待处理设备自带的接口即可进行销毁工作，通用性强。具体的，本销毁装置的工作电压为5V，反向升压电路31将工作电压反向升至
‑
245V，标准接口2为USB接口或type c接口，单片机33为U2。
[0023]如图3和图4所示，反向升压电路31包括控制芯片IC1、变压器T1、二极管D1、电阻R3以及电容C1、C2、C3、C4、C5和C6，控制芯片IC1的4引脚依次通过电阻R3、电容C1与变压器T1的第1端连接，变压器T1和电容C1的公共端接入标准接口2，电阻R3和电容C1的公共端接地，变压器T1的第2端分别接入控制芯片IC1的5引脚和6引脚，变压器T1的第3端依次通过二极管D1、电容C6与变压器T1的第4端连接，电容C2、C3、C4和C5分别与电容C6并联，二极管D1和电容C6的公共端连接至开关控制电路32，变压器T1的第4端和电容C6的公共端接地，变压器T1和电容C1的公共端分别接入控制芯片IC1的1引脚和2引脚，控制芯片IC1的7引脚和8引脚分别接地。
[0024]开关控制电路32包括MOS管Q1、电阻R1、R2和R4，MOS管Q1的漏极D依次通过电阻R1和R4接地，MOS管Q1和电阻R1的公共端接入二极管D1和电容C6的公共端，MOS管Q1的源极S接入标准接口2，MOS管Q1的栅极G通过电阻R2接入单片机33。
[0025]单片机33的1引脚与电阻R1和R4的公共端连接用于电压采样，单片机33的2引脚通过电阻R2与MOS管Q1的栅极G连接，单片机33的7引脚接地，单片机33的9引脚连接至+5V电压。
[0026]使用时，控制芯片IC1通过变压器T1把5V的工作电压反向升至
‑
245V，能量储存在电容C1内，单片机33收到开关机信号后，单片机33对输出电压进行采样，如果输出电压超过245V，则单片机33开启MOS管Q1进行脉冲式放电，输出电压对待处理设备中的芯片进行击打，当输出电压降至30V时则关闭MOS管Q1并重新开始充电，输出电压恢复至245V后再次对待处理设备中的芯片进行击打，循环往复，直至将待处理设备中的芯片击穿。本销毁装置采用负压对待处理设本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种带有标准接口的销毁装置，其特征在于：包括一端开口的中空壳体(1)、安装在壳体(1)开口处的标准接口(2)以及内设于壳体(1)的销毁模块(3)，所述销毁模块(3)包括反向升压电路(31)、开关控制电路(32)和单片机(33)，所述反向升压电路(31)与标准接口(2)之间通过两条线路连接，其中一条线路为反向升压电路(31)与标准接口(2)直接连接，以对标准接口(2)获取的工作电压进行反向升压，另一条线路为反向升压电路(31)通过开关控制电路(32)与标准接口(2)连接，以控制反向升压电路(31)的电压输出，所述单片机(33)与开关控制电路(32)连接以控制开关控制电路(32)的通断。2.根据权利要求1所述的一种带有标准接口的销毁装置，其特征在于：所述反向升压电路(31)包括控制芯片IC1、变压器T1、二极管D1、电阻R3以及电容C1、C2、C3、C4、C5和C6，所述控制芯片IC1的4引脚依次通过电阻R3、电容C1与变压器T1的第1端连接，所述变压器T1和电容C1的公共端接入标准接口(2)，所述电阻R3和电容C1的公共端接地，所述变压器T1的第2端分别接入控制芯片IC1的5引脚和6引脚，所述变压器T1的第3端依次通过二极管D1、电容C6与变压器T1的第4端连接，所述电容C2、C3、C4和C5分别与电容C6并联，所述二极管D1和电容C6的公共端连接至开关控制电路(32)，所述变压器T1...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐东海，刘建刚，张晓亮，邵恒涛，顾云飞，徐江海，
申请(专利权)人：常州市红光电能科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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