半导体装置制造方法及图纸

目的在于提供能够在用手安装半导体装置时，抑制手接触到哑端子，抑制向哑端子施加静电的技术。半导体装置具有：多个半导体元件；封装件(20)，其在俯视观察时为矩形状，将多个半导体元件封装；多个控制端子(21)，其从封装件的第1边凸出；多个输出端子(22)，其从封装件的与第1边相对的第2边凸出；以及凹部(30)，其设置于封装件的与第1边以及第2边相邻的第3边，多个控制端子(21)之中的一部分控制端子(21)设置于引线框架(12、13)的一端部，半导体装置还具有设置于引线框架(12、13)的另一端部且从凹部凸出的哑端子(31、32)，从凹部算起的哑端子(31、32)的凸出量小于或等于0.75mm。32)的凸出量小于或等于0.75mm。32)的凸出量小于或等于0.75mm。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置


[0001]本专利技术涉及半导体装置。

技术介绍

[0002]当前，存在如下半导体装置，即，为了使得引线框架在半导体元件的管芯键合时不变形，将不作为引线端子使用的哑端子配置于模塑树脂的短边方向的边(例如参照专利文献1)。
[0003]就专利文献1所记载的半导体装置而言，为了能够将哑端子切断得短，在模塑树脂的短边方向的边，将哑端子配置于向模块内部方向凹陷地形成的部分。
[0004]专利文献1：日本特开2009
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111154号公报
[0005]然而，在专利文献1所记载的技术中，哑端子凸出到模塑树脂的端面附近，因此在用手安装半导体装置时，手容易接触到哑端子。在手接触到哑端子时向哑端子施加静电，由此半导体装置有可能发生故障。

技术实现思路

[0006]因此，本专利技术的目的在于提供一种能够在用手安装半导体装置时，抑制手接触到哑端子，抑制向哑端子施加静电的技术。
[0007]本专利技术涉及的半导体装置具有：多个半导体元件；封装件，其在俯视观察时为矩形状，将多个所述半导体元件封装；多个控制端子，其从所述封装件的第1边凸出；多个输出端子，其从所述封装件的与所述第1边相对的第2边凸出；以及凹部，其设置于所述封装件的与所述第1边以及所述第2边相邻的第3边，多个所述控制端子之中的一部分所述控制端子设置于第1引线框架的一端部，所述半导体装置还具有哑端子，该哑端子设置于所述第1引线框架的另一端部，从所述凹部凸出，从所述凹部算起的所述哑端子的凸出量小于或等于0.75mm。
[0008]专利技术的效果
[0009]根据本专利技术，即使在用手抓住了封装件的凹部周边的情况下，也在手与哑端子之间确保充分的距离。由此，能够在用手安装半导体装置时，抑制手接触到哑端子，抑制向哑端子施加静电。
附图说明
[0010]图1是示出实施方式涉及的半导体装置的内部构造的俯视图。
[0011]图2是实施方式涉及的半导体装置的俯视图。
[0012]图3是图2的区域A的放大图。
[0013]图4是实施方式涉及的半导体装置的第3边周边的放大图。
具体实施方式
[0014]<实施方式>
[0015]以下，针对实施方式涉及的半导体装置进行说明。
[0016]<半导体装置的结构>
[0017]由以下的实施方式示出的半导体装置是在引线框架之上具有功率芯片(例如，开关元件)、二极管元件以及集成电路(IC)，通过传递模塑进行了封装的用于大功率的半导体装置。模塑树脂在俯视观察时为矩形状，在4边中相对的2边配置有端子，在各边分别配置有控制端子和输出端子，并且在与上述2边不同的边配置有与控制端子以及输出端子相比更短的短端子。
[0018]图1是示出实施方式涉及的半导体装置的内部构造的俯视图。
[0019]在图1中，X方向、Y方向以及Z方向彼此正交。以下附图中示出的X方向、Y方向以及Z方向也彼此正交。在下文中，将包含X方向和与该X方向相反的方向即
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X方向在内的方向也称为“X轴方向”。另外，在下文中，将包含Y方向和与该Y方向相反的方向即
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Y方向在内的方向也称为“Y轴方向”。另外，在下文中，将包含Z方向和与该Z方向相反的方向即
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Z方向在内的方向也称为“Z轴方向”。
[0020]如图1所示，半导体装置具有6个功率芯片1、6个二极管2、3个自举二极管5、高压IC 3、低压IC 4、4个引线框架10、3个引线框架11、引线框架12、引线框架13、模塑树脂即封装件20、多个控制端子21、多个输出端子22、短端子即哑端子31和将各个元件之间连接的导线15。
[0021]功率芯片1是IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)等开关元件。在此，6个功率芯片1、6个二极管2和3个自举二极管5相当于多个半导体元件。此外，将功率芯片1也称为开关元件，将二极管2以及自举二极管5也称为二极管元件。
[0022]另外，多个半导体元件的半导体材料不只可以是Si，也可以是例如SiC以及GaN等宽带隙半导体。
[0023]如图1所示，封装件20将6个功率芯片1、6个二极管2、3个自举二极管5、高压IC 3、低压IC 4、4个引线框架10、3个引线框架11、引线框架12和引线框架13封装，在俯视观察时形成为矩形状。
[0024]封装件20具有第1边(Y方向的边)、与第1边相对的第2边(
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Y方向的边)、与第1边(Y方向的边)以及第2边(
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Y方向的边)相邻的第3边(X方向的边)、与第3边(X方向的边)相对的第4边(
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X方向的边)。从第1边(Y方向的边)凸出多个控制端子21。从第2边(
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Y方向的边)凸出多个输出端子22。
[0025]3个功率芯片1和3个二极管2搭载于在一端部设置有P输出端子的引线框架10之上。3个功率芯片1与3个二极管2、3个功率芯片1与高压IC 3、以及3个二极管2与U、V、W输出端子分别经由导线15连接。
[0026]就剩余的3个功率芯片1和3个二极管2而言，分别将1个功率芯片1和1个二极管2搭载于在一端部设置有U输出端子、V输出端子以及W输出端子的引线框架10之上。3个功率芯片1与3个二极管2、3个功率芯片1与低压IC 4、以及3个二极管2与NU输出端子、NV输出端子以及NW输出端子分别经由导线15连接。
[0027]3个自举二极管5分别搭载于在一端部设置有VB(U)控制端子、VB(V)控制端子以及
VB(W)控制端子的引线框架11之上。3个自举二极管5与引线框架12、引线框架11与高压IC 3分别经由导线连接。在此，引线框架11相当于第2引线框架。
[0028]高压IC 3和低压IC 4搭载于引线框架13之上。高压IC 3与UP控制端子、VP控制端子以及WP控制端子经由导线15连接。另外，低压IC 4与UN控制端子、VN控制端子、WN控制端子、第1功能控制端子以及第2功能控制端子经由导线15连接。
[0029]如上所述，3个自举二极管5分别搭载于在一端部设置了在封装件20的第1边(Y方向的边)配置的多个控制端子21之中的VB(U)控制端子、VB(V)控制端子以及VB(W)控制端子的引线框架11之上。对VB(U)控制端子、VB(V)控制端子以及VB(W)控制端子输入在控制端子之中最高的电压。在VB(U)控制端子、VB(V)控制端子以及VB(W)控制端子的旁边分别配置有VS(U)控制端子、VS(V)控制端子以及VS(W)控制端子。多个控制端子21包含高电位的控制端子23和被输入比高电位的控制端子23低的电压的低电位的控制端子。VB(U)控制端子、VB(V)控制端子、VB(W)控制端子、VS(U)控制端子、VS(V)控制端子以及VS(W)控制端子是高电位的控制端子2本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其具有：多个半导体元件；封装件，其在俯视观察时为矩形状，将多个所述半导体元件封装；多个控制端子，其从所述封装件的第1边凸出；多个输出端子，其从所述封装件的与所述第1边相对的第2边凸出；以及凹部，其设置于所述封装件的与所述第1边以及所述第2边相邻的第3边，多个所述控制端子之中的一部分所述控制端子设置于第1引线框架的一端部，所述半导体装置还具有哑端子，该哑端子设置于所述第1引线框架的另一端部，从所述凹部凸出，从所述凹部算起的所述哑端子的凸出量小于或等于0.75mm。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述凹部的宽度小于或等于5mm，从所述封装件的所述第3边的端面到所述哑端子的距离大于或等于1mm。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述半导体装置还具有控制多个所述半导体元件的低压IC以及高压IC，所述高压IC被输入比所述低压IC高的电压。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，多个所述控制端子包含：高电位的控制端子，其与所述高压IC电连接；第1低电位的控制端子，其与所述高压IC电连接，并且被输入比所述高电位的控制端子低的电压；以及第2低电位的控制端子，其与所述低压IC电连接、或者与所述高压IC以及所述低压IC中的任一...

【专利技术属性】
技术研发人员：幸田一辉，横山脩平，池田直辉，柴田祥吾，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：