发光二极管电极的制备方法和发光二极管技术

本公开提供了一种发光二极管电极的制备方法和发光二极管，属于光电子制造技术领域。该制备方法包括：提供一制品；在所述制品上形成光刻胶层，所述光刻胶层具有电极制备孔，所述电极制备孔为锥孔，且所述锥孔开口较大的一端靠近所述制品，所述光刻胶层包括相连的第一部分和第二部分，所述第一部分呈环形，围绕所述锥孔开口较小的一端，所述第一部分的外径小于所述锥孔开口较大的一端的直径，所述第二部分围绕所述第一部分，所述第一部分的导热系数高于所述第二部分的导热系数；通过所述光刻胶层在所述电极制备孔内形成电极。本公开实施例能改善电极中包覆层对基础层的包覆性，提升电极的制备质量。极的制备质量。极的制备质量。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管电极的制备方法和发光二极管


[0001]本公开涉及光电子制造
，特别涉及一种发光二极管电极的制备方法和发光二极管。

技术介绍

[0002]发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)作为光电子产业中极具影响力的新产品，具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，广泛应用于照明、显示屏、信号灯、背光源、玩具等领域。
[0003]相关技术中，发光二极管包括衬底、外延层和电极，外延层层叠于衬底上，电极位于外延层远离衬底的表面。
[0004]电极通常包括基础层和包裹层，基础层中包括金属活性高的金属(如Al)，为避免基础层在空气中氧化，通常将包裹层包覆在基础层的表面。因此，在制备电极的过程中，提升包覆层对基础层的包覆性，对制备出的电极的品质有着至关重要的影响。

技术实现思路

[0005]本公开实施例提供了一种发光二极管电极的制备方法和发光二极管，能改善电极中包覆层对基础层的包覆性，提升电极的制备质量。所述技术方案如下：
[0006]本公开实施例提供了一种电极的制备方法，所述制备方法包括：提供一制品；在所述制品上形成光刻胶层，所述光刻胶层具有电极制备孔，所述电极制备孔为锥孔，且所述锥孔开口较大的一端靠近所述制品，所述光刻胶层包括相连的第一部分和第二部分，所述第一部分呈环形，围绕所述锥孔开口较小的一端，所述第一部分的外径小于所述锥孔开口较大的一端的直径，所述第二部分围绕所述第一部分，所述第一部分的导热系数高于所述第二部分的导热系数；通过所述光刻胶层在所述电极制备孔内形成电极。
[0007]可选地，所述在所述制品上形成光刻胶层包括：在所述制品上形成光刻胶材料层；向所述光刻胶层的部分区域注入中空纳米颗粒，形成注入区域和未注入区域，所述注入区域围绕所述未注入区域；在所述光刻胶材料层上制作电极制备孔，所述电极制备孔横截面较小的一端位于所述未注入区域，形成所述光刻胶层，所述第一部分包括所述未注入区域，所述第二部分包括所述注入区域。
[0008]可选地，所述中空纳米颗粒为内部空心的颗粒，所述中空纳米颗粒内部为负压。
[0009]可选地，所述注入区域靠近所述电极制备孔的边缘到所述电极制备孔横截面较小的一端的边缘的距离与所述电极的厚度之比为0.5至3。
[0010]可选地，所述在所述制品上形成光刻胶层包括：在所述制品上形成第一子光刻胶膜；在所述第一子光刻胶膜的表面形成掺杂有中空纳米颗粒的第二子光刻胶膜；在所述第二子光刻胶膜的表面形成所述电极制备孔；在所述第二子光刻胶膜的表面形成环绕所述电极制备孔的凹槽，所述凹槽露出所述第一子光刻胶膜，所述第一部分包括所述凹槽露出的所述第一子光刻胶膜，所述第二部分包括所述第二子光刻胶膜。
[0011]可选地，所述在所述第二子光刻胶膜的表面形成环绕所述电极制备孔的凹槽之后，还包括：向所述凹槽的槽底注入导热纳米颗粒，所述导热纳米颗粒的导热系数高于所述中空纳米颗粒的导热系数。
[0012]可选地，所述导热纳米颗粒包括金属颗粒和金属氧化物颗粒中的至少一种。
[0013]可选地，所述在所述制品上形成光刻胶层包括：在所述制品上形成第一子光刻胶膜；在所述第一子光刻胶膜的表面形成掺杂有导热纳米颗粒的第二子光刻胶膜；在所述第二子光刻胶膜的表面形成掺杂有中空纳米颗粒的第三子光刻胶膜，所述导热纳米颗粒的导热系数高于所述中空纳米颗粒的导热系数；在所述第三子光刻胶膜的表面形成所述电极制备孔；在所述第三子光刻胶膜的表面形成环绕所述电极制备孔的凹槽，所述凹槽露出所述第二子光刻胶膜，所述第一部分包括所述凹槽露出的所述第二子光刻胶膜，所述第二部分包括所述第三子光刻胶膜。
[0014]本公开实施例提供了一种发光二极管，所述发光二极管的电极采用如前文所述的制备方法制备。
[0015]可选地，所述发光二极管包括：衬底、外延层、反射层、钝化层、第一电极、第二电极、第三电极、第四电极、第五电极和第六电极；所述外延层包括依次层叠在所述衬底上的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，所述第二半导体层具有露出所述第一半导体层的凹槽；所述第一电极位于所述凹槽内，所述第二电极位于所述第二半导体层上，所述反射层位于所述第二半导体层的表面、所述凹槽的表面、所述第一电极的表面和所述第二电极的表面；所述第三电极和所述第四电极均位于所述反射层上，所述第三电极通过通孔与所述第一电极连接，所述第四电极通过通孔与所述第二电极连接，所述钝化层位于所述反射层的表面、所述第三电极的表面和所述第四电极的表面；所述第五电极和所述第六电极均位于所述钝化层上，所述第五电极通孔与所述第三电极连接，所述第六电极通过通孔与所述第四电极连接。
[0016]本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
[0017]本公开实施例提供的发光二极管的制备方法，在制备电极的过程中，先在制品上形成光刻胶层，并在光刻胶层上制作呈锥孔状的电极制备孔，其中，光刻胶层具有围绕锥孔开口较小的一端的第一部分，以及围绕第一部分的第二部分。且第一部分的导热系数高于第二部分的导热系数。由于第二部分的导热系数较低，在蒸镀电极的过程中，将有效的阻碍在蒸镀过程中叠层金属放出的热量沿着垂直于制品表面方向往下传导，从而使得热量向平行于制品表面的方向传导，有助于在制备叠层金属的过程中叠层金属放出的热量向电极制备孔边缘处的汇聚。因此，电极制备孔边缘处(第一部分)的温度要高于光刻胶层其它区域(第二部分)的温度，由于电极制备孔边缘处的光刻胶温度越高，有利于电极制备孔开孔的扩大，以便于让形成的叠层金属能逐层包覆，改善电极中包覆层对基础层的包覆性，提升电极的制备质量。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他
的附图。
[0019]图1是本公开实施例提供的一种发光二极管电极的制备方法的流程图；
[0020]图2是本公开实施例提供的一种发光二极管的结构示意图；
[0021]图3是本公开实施例提供的一种光刻胶层的结构示意图；
[0022]图4是本公开实施例提供的一种光刻胶层的制备状态图；
[0023]图5是本公开实施例提供的一种光刻胶层的制备状态图；
[0024]图6是本公开实施例提供的一种光刻胶层的制备状态图；
[0025]图7是本公开实施例提供的一种光刻胶层的制备状态图；
[0026]图8是本公开实施例提供的一种光刻胶层的制备状态图；
[0027]图9是本公开实施例提供的一种电极的制备状态图；
[0028]图10是本公开实施例提供的一种电极的制备状态图。
[0029]图中各标记说明如下：
[0030]10、衬底；
[0031]20、外延层；21、第一半导体层；22、多量子本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管电极的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一制品；在所述制品上形成光刻胶层，所述光刻胶层具有电极制备孔，所述电极制备孔为锥孔，且所述锥孔开口较大的一端靠近所述制品，所述光刻胶层包括相连的第一部分和第二部分，所述第一部分呈环形，围绕所述锥孔开口较小的一端，所述第一部分的外径小于所述锥孔开口较大的一端的直径，所述第二部分围绕所述第一部分，所述第一部分的导热系数高于所述第二部分的导热系数；通过所述光刻胶层在所述电极制备孔内形成电极。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述制品上形成光刻胶层包括：在所述制品上形成光刻胶材料层；向所述光刻胶层的部分区域注入中空纳米颗粒，形成注入区域和未注入区域，所述注入区域围绕所述未注入区域；在所述光刻胶材料层上制作电极制备孔，所述电极制备孔横截面较小的一端位于所述未注入区域，形成所述光刻胶层，所述第一部分包括所述未注入区域，所述第二部分包括所述注入区域。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述中空纳米颗粒内部为负压。4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述注入区域靠近所述电极制备孔的边缘到所述电极制备孔横截面较小的一端的边缘的距离与所述电极的厚度之比为0.5至3。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述制品上形成光刻胶层包括：在所述制品上形成第一子光刻胶膜；在所述第一子光刻胶膜的表面形成掺杂有中空纳米颗粒的第二子光刻胶膜；在所述第二子光刻胶膜的表面形成所述电极制备孔；在所述第二子光刻胶膜的表面形成环绕所述电极制备孔的凹槽，所述凹槽露出所述第一子光刻胶膜，所述第一部分包括所述凹槽露出的所述第一子光刻胶膜，所述第二部分包括所述第二子光刻胶膜。6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第二子光刻胶膜的表面形成环绕所述电极制备孔的凹槽之后，还包括：向所述凹槽的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王新建，张圣君，尹潇潇，王江波，
申请(专利权)人：华灿光电苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：