发光二极管电极的制备方法和发光二极管技术

本公开提供了一种发光二极管电极的制备方法和发光二极管，属于光电子制造技术领域。该制备方法包括：提供一衬底；在衬底上形成外延层；在外延层上形成光刻胶层，光刻胶层具有电极制备孔和环形槽，环形槽环绕电极制备孔，电极制备孔为锥孔，且锥孔横截面较大的一端靠近衬底；形成第一金属层，第一金属层位于光刻胶层远离衬底的表面、环形槽的内壁，以及电极制备孔的底部；形成第二金属层，第二金属层覆盖第一金属层，使电极制备孔的开口在第二金属层的作用下扩大；去除光刻胶层，保留电极制备孔底部的第一金属层和第二金属层，形成电极。本公开实施例能改善电极中第二金属层对第一金属层的包覆性，提升电极的制备质量。提升电极的制备质量。提升电极的制备质量。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管电极的制备方法和发光二极管


[0001]本公开涉及光电子制造
，特别涉及一种发光二极管电极的制备方法和发光二极管。

技术介绍

[0002]发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)作为光电子产业中极具影响力的新产品，具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，广泛应用于照明、显示屏、信号灯、背光源、玩具等领域。
[0003]相关技术中，发光二极管包括衬底、外延层和电极，外延层层叠于衬底上，电极位于外延层远离衬底的表面。
[0004]电极通常包括第一金属层和第二金属层，第一金属层中包括金属活性高的金属(如Al)，为避免第一金属层在空气中氧化，通常将第二金属层包覆在第一金属层的表面。因此，在制备电极的过程中，提升第二金属层对第一金属层的包覆性，对制备出的电极的品质有着至关重要的影响。

技术实现思路

[0005]本公开实施例提供了一种发光二极管电极的制备方法和发光二极管，能改善电极中第二金属层对第一金属层的包覆性，提升电极的制备质量。所述技术方案如下：
[0006]本公开实施例提供了一种发光二极管电极的制备方法，所述制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成外延层；在所述外延层上形成光刻胶层，所述光刻胶层具有电极制备孔和环形槽，所述环形槽环绕所述电极制备孔，所述电极制备孔为锥孔，且所述锥孔横截面较大的一端靠近所述衬底；形成第一金属层，所述第一金属层位于所述光刻胶层远离所述衬底的表面、所述环形槽的内壁，以及所述电极制备孔的底部；形成第二金属层，所述第二金属层覆盖所述第一金属层，使所述电极制备孔的开口在所述第二金属层的作用下扩大；去除所述光刻胶层，保留所述电极制备孔底部的第一金属层和第二金属层，形成电极。
[0007]可选地，所述在所述外延层上形成光刻胶层包括：在所述外延层上形成光刻胶膜；在所述光刻胶膜上形成所述电极制备孔和所述环形槽，所述环形槽在垂直于所述衬底方向上的截面为四边形。
[0008]可选地，所述在所述外延层上形成光刻胶膜包括：在所述外延层上形成第一子光刻胶膜；在所述第一子光刻胶膜上形成掺杂有纳米颗粒的第二子光刻胶膜；在所述第二子光刻胶膜上形成第三子光刻胶膜，得到所述光刻胶膜。
[0009]可选地，在所述光刻胶膜上形成所述环形槽包括：图形化所述光刻胶膜，在所述光刻胶膜上形成所述环形槽；其中，所述环形槽在所述第三子光刻胶膜的表面至少延伸至所述第二子光刻胶膜。
[0010]可选地，所述纳米颗粒的粒径为10nm至500nm，所述纳米颗粒包括金属纳米颗粒、金属氧化物纳米颗粒和非金属氧化物纳米颗粒中的至少一种。
[0011]可选地，所述环形槽靠近所述电极制备孔的槽壁与所述环形槽远离所述电极制备孔的槽壁之间的间距不小于所述电极的厚度的三倍，所述环形槽的深度不大于所述环形槽的开口宽度的两倍。
[0012]可选地，所述环形槽靠近所述电极制备孔的槽壁与槽底的夹角为45
°
至90
°
，所述环形槽远离所述电极制备孔的槽壁与槽底的夹角为90
°
至165
°
。
[0013]可选地，所述形成第二金属层之后，还包括：形成第三金属层，使所述第三金属层覆盖所述第二金属层，使所述电极制备孔的开口在所述第三金属层的作用下扩大。
[0014]本公开实施例提供了一种发光二极管，所述发光二极管采用如前文所述的制备方法制备。
[0015]可选地，所述发光二极管还包括钝化层、焊点块和驱动电路板；所述钝化层位于所述外延层远离所述衬底的表面和所述电极的表面，所述钝化层具有露出所述电极的通孔，所述焊点块位于所述钝化层远离所述衬底的表面，且通过所述通孔与所述电极连接，所述驱动电路板位于所述外延层远离所述衬底的一侧，所述驱动电路板通过锡膏与所述焊点块电性连接。
[0016]本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
[0017]本公开实施例提供的发光二极管的制备方法，在制备电极的过程中，先在外延层上形成光刻胶层，接着刻蚀光刻胶层，在光刻胶层上形成电极制备孔和环形槽。这样在光刻胶层上制备电极过程中，形成在电源制备孔开口处的内侧壁上的第二金属层会给电极制备孔边缘的光刻胶一个沿着外延层的表面，且向着远离电极制备孔的中心的方向的外力，使得电极制备孔的开口逐渐扩大。由于光刻胶是有机聚合物材料，具有一定的弹性模量。因此，电极制备孔的开口的扩大，将使得电极制备孔边缘的光刻胶发生弹性形变，产生一个和第二金属层施加的外力作用相反的弹力；且随着电极制备孔的开口的逐渐扩大，电极制备孔边缘的光刻胶的弹性形变也越来越大，其产生的弹力也越来越大。直到电极制备孔边缘处的光刻胶产生的弹力和第二金属层给予电极制备孔边缘处的光刻胶的外力达到平衡，则电极制备孔的开口将不再扩大。
[0018]并且，在电极制备孔一侧还设置有环形槽，这样削弱了光刻胶在电极制备孔边缘区域的弹性模量，让光刻胶在电极制备孔边缘区域更窄，从而使得电极制备孔边缘处的光刻胶在该处发生更大的弹性形变才能产生足够的弹力，来平衡第二金属层给予电极制备孔边缘处的光刻胶的外力。因此，在电极制备孔的周围设置环形槽，将使得电极制备孔边缘的光刻胶更容易发生弹性形变，从而有助于电极制备孔的开口的扩大，以便于让形成的第二金属层能逐层包覆，改善电极中第二金属层对第一金属层的包覆性，提升电极的制备质量。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1是本公开实施例提供的一种发光二极管电极的制备方法的流程图；
[0021]图2是本公开实施例提供的一种发光二极管的结构示意图；
[0022]图3是本公开实施例提供的一种光刻胶层的结构示意图；
[0023]图4是本公开实施例提供的一种光刻胶层的结构示意图；
[0024]图5是本公开实施例提供的一种发光二极管制备状态示意图；
[0025]图6是本公开实施例提供的一种发光二极管制备状态示意图；
[0026]图7是本公开实施例提供的一种光刻胶层的结构示意图；
[0027]图8是本公开实施例提供的一种发光二极管制备状态示意图。
[0028]图中各标记说明如下：
[0029]10、衬底；
[0030]20、外延层；21、第一半导体层；22、多量子阱层；23、第二半导体层；24、凹陷槽；
[0031]30、电极；31、第一金属层；32、第二金属层；33、第三金属层；
[0032]41、钝化层；42、透明导电层；43、焊点块；
[0033]50、光刻胶层；501、第一子光刻胶膜；502、第二子光刻胶膜；503、第三子光刻胶膜；
[0034]51本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管电极的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成外延层；在所述外延层上形成光刻胶层，所述光刻胶层具有电极制备孔和环形槽，所述环形槽环绕所述电极制备孔，所述电极制备孔为锥孔，且所述锥孔横截面较大的一端靠近所述衬底；形成第一金属层，所述第一金属层位于所述光刻胶层远离所述衬底的表面、所述环形槽的内壁，以及所述电极制备孔的底部；形成第二金属层，所述第二金属层覆盖所述第一金属层，使所述电极制备孔的开口在所述第二金属层的作用下扩大；去除所述光刻胶层，保留所述电极制备孔底部的第一金属层和第二金属层，形成电极。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述外延层上形成光刻胶层包括：在所述外延层上形成光刻胶膜；在所述光刻胶膜上形成所述电极制备孔和所述环形槽，所述环形槽在垂直于所述衬底方向上的截面为四边形。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述在所述外延层上形成光刻胶膜包括：在所述外延层上形成第一子光刻胶膜；在所述第一子光刻胶膜上形成掺杂有纳米颗粒的第二子光刻胶膜；在所述第二子光刻胶膜上形成第三子光刻胶膜，得到所述光刻胶膜。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在所述光刻胶膜上形成所述环形槽包括：图形化所述光刻胶膜，在所述光刻胶膜上形成所述环形槽；其中，所述环形槽在所述第三子光刻胶膜的表面至少延伸至所述第二子光刻胶膜。5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述纳米颗粒的粒径为10nm至500...

【专利技术属性】
技术研发人员：王新建，张圣君，尹潇潇，王江波，
申请(专利权)人：华灿光电苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：