功率半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种功率半导体装置，在主端子被加热时，防止以在主端子与密封树脂之间产生的空隙、因从半导体装置外部通过密封树脂侵入的水蒸气而产生的空隙为起点的局部放电，小型且可靠性高。功率半导体装置(100A)具备绝缘基板(1)、设置于绝缘基板(1)的表面的半导体元件(2)以及密封半导体元件(2)的凝胶状的第一绝缘材料(8)，其特征在于，具有用于将半导体元件(2)与外部设备电连接的板状端子(5)，板状端子(5)的被第一绝缘材料(8)包围的部分全部由硬度比第一绝缘材料(8)高的第二绝缘材料(10)被覆。覆。覆。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】功率半导体装置


[0001]本专利技术涉及功率半导体装置。

技术介绍

[0002]近年来，地球规模上的环境、资源的问题日益突出，为了资源的有效利用、节能化的推进、地球温室化气体的排出抑制，以利用了功率半导体元件的开关的逆变器装置为代表的高效率的电力转换装置受到关注。这样的电力转换装置广泛应用于以冰箱、空调等家电产品为首的工业机械、混合动力汽车(Hybrid Electrical Vehicle，HEV)、电动汽车(Electrical Vehicle，EV)、铁路、电力以及社会基础设施关联设备等。
[0003]电力转换装置由内置有IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极型晶体管)等功率半导体元件的功率半导体装置(功率模块)、汇流条、电容器、电感器、各种传感器以及控制电路等多个部件构成。为了设置面积的小空间化、安全性，要求小型且可靠性高的电力转换装置。为此，作为电力转换装置的主要构成部件的功率半导体装置的小型化以及高可靠性是重要的。
[0004]功率半导体装置的功率半导体元件目前主要本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种功率半导体装置，其特征在于，作为具备绝缘基板、设置于所述绝缘基板的表面的半导体元件以及密封所述半导体元件的凝胶状的第一绝缘材料的功率半导体装置，具有用于将所述半导体元件与外部设备电连接的板状端子，所述板状端子的被所述第一绝缘材料包围的部分全部由硬度比所述第一绝缘材料高的第二绝缘材料被覆。2.根据权利要求1所述的功率半导体装置，其特征在于，所述板状端子的一端与所述绝缘基板的表面的电极接合。3.根据权利要求1所述的功率半导体装置，其特征在于，具有收纳所述绝缘基板、所述半导体元件以及所述第一绝缘材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：楠川顺平，井出英一，三间彬，
申请(专利权)人：株式会社日立功率半导体，
类型：发明
国别省市：