无浪涌灭弧装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术无浪涌灭弧装置属电开关领域，是一种适合于在对容性负载投切的接触器及开关中使用。可控硅并联在接触器主回路两端，可控硅的导通触发信号一路由控制回路控制，可控硅的另一路导通触发信号来自主回路接触器触桥，可控硅导通触发信号由控制回路控制触发和主回路触桥触发双触发方式。在接触器接通时，先由控制回路给可控硅提供触发信号，在接触器分断时，由接触器触桥提供触发信号，来达到接触器接通分断电容负载无浪涌无电弧的作用。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术无浪涌灭弧装置属于电开关领域，特别是一种适合于对容性负载接通分断的接触器及开关中使用。
技术介绍
目前在电力系统中，普遍利用普通电容接触器投切电力电容并联在线路中作为功 率因数补偿，但传统普通电容接触器对接通浪涌电流抑制力有限，仍有几十倍冲击电流的 存在，且其没有电子灭弧装置，分断电容时电弧大，使用电寿命短；可控硅电容投切开关有 接通电容无浪涌，分断电容无电弧的优点，但由于其导通压降大温升高、有较大谐波污染的 问题存在，为此市场上出现了采用可控硅与机械触点并联结构的一种叫复合开关的电容投 切开关，其具备接通压降低、接通电容无涌流、分断电容无电弧的优点，工作原理是利用可 控硅与机械触点并联，可控硅触发导通信号由单一控制回路触发，在开关的机械触点接通 前由控制回路在机械触点两端电压过零时对并联的可控硅提供触发信号可控硅导通，避免 了接通的浪涌冲击电流；开关分断时，由控制电路再次触发可控硅，机械触点分离后，控制 回路在延时一段时间后关断可控硅触发信号，完成无电弧分断过程，由于机械接触器分断 存在一定的且不确定值的分断廷时，为确保达到可靠分断无电弧的目的，需在机械触点分 离后，可控硅要保持一段较长的导通时间，存在分断时可控硅需导通的工作时间长、可控硅 功率利用率低、发热较高、可靠性下降的缺点，分断时还必须有储能电路或另加一辅助电源 给控制回路持续供电，以保证有足够的触发能量维持触发可控硅导通，这也带来了接触器 控制回路电路复杂、响应速度慢、使用不便的问题。
技术实现思路
本技术的目的在于避免现有电容投切开关的不足之处而提供一种线路简单、 使用方便、体积小、成本低、可靠性高的可镶嵌到不同电流电压等级接触器中的一种无浪涌 灭弧装置。 实现本技术的目的是通过以下技术方案来达到的可控硅并联在接触器主回 路两端，可控硅的导通触发信号一路来自控制回路，另一路来自主回路接触器触桥，可控硅 导通触发信号由主回路触桥触发和控制回控制触发双触发方式。接触器接通的工作过程 中，在接触器触桥闭合前，先在主回路两端电压过零时由控制回路为本装置输入端提供触 发激励信号，可控硅导通起电流旁路，对负载电容先无浪涌通电，然后触桥闭合，控制回路 触发信号关闭；接触器分断的工作过程中，当主回路两端的交流电压不在零点时，在接触器 触桥分断的瞬间，根据触桥相对于两端静触点存在电位差，由接触器触桥提供触发信号，可 控硅触发导通，起电流旁路，可控硅在电流过零时将自行关断，达到接触器分断灭弧作用。 无浪涌灭弧装置，当采用单向控硅时，其特征由二只反向并联的单向可控硅TR1、 TR2并联在接触器主回路Jl、 J2两端，控制回路的触发信号通过输入端口 J3、 J4分别连接 到可控硅TR1、TR2的控制极，两只二极管D1、D2共阳串联且共阳端连接至接触器触桥SW1，二极管Dl 、D2的阴极分别通过电阻Rl 、电阻R2，连接到可控硅TRl 、TR2的控制极，两只二极 管D3、D4各并联在二只单向可控硅TR1、TR2的控制极与阴极之间，二极管的负极与单向可 控硅控制极相连，正极与单向可控硅阴极相连。 无浪涌灭弧装置，当采用双向可控硅时，其特征由双向可控硅SCR与接触器主回 路Jl、 J2两端并联，控制回路的触发信号通过输入端口 J3连接到可控硅控制极，触桥SW1 通过限流电阻Rl连接到可控硅SCR控制极。 本技术的设计合理，达到接触器接通电容无浪涌冲击电流，分断灭弧，可控硅 导通时间短、接触器触点使用寿命长，能有效提高功率因数电容补偿系统的可靠性，降低电 容补偿系统的运营成本。附图说明附图1是本技术的实施例之一电路示意图。 附图2是本技术的实施例之二电路示意图。具体实施方式如附图1所示，本技术由两只反向并联的单向可控硅TR1、 TR2并联在接触器 主回路触点两端，Jl、 J2为接触器的主回路输入输出端点，J3、 J4为本装置的外接控制回 路触发信号输入端口 ，电阻Rl、二极管Dl、 D2、电阻R2串联连接在两单向可控硅控制极之 间，R1、R2为可控硅触发限流电阻，两只二极管D1、D2共阳串联且共阳端连接至接触器触桥 SW1，二极管D1、D2用于反向截止J1、J2两端的电压防止电压通过可控硅控制极形成回路使 可控硅误导通。另两只二极管D3、D4各并联在二只单向可控硅TR1、TR2的控制极与阴极之 间，二极管的负极与单向可控硅控制极相连，正极与单向可控硅阴极相连，起保护可控硅控 制极不受反向电流的冲击。 在接触器接通工作过程中在主回路两端电压过零时先由控制回路，通过J3、 J4 端口给激励电信号分别驱动触发可控硅TR1、TR2导通，在端点Jl对端点J2为正电位时，可 控硅TR1导通；在端点Jl对端点J2为负电位时，可控硅TR2导通，然后触桥SW1闭合，外接 过零触发控制回路给可控硅驱动信号关闭，起到接触器对电容无浪涌无电弧接通的目的。 在接触器断开的过程中如J1、J2两端电压不在零点时，接触器触桥SW1分断的瞬 间，触桥SW1将对两端点Jl、 J2形成电位差，由此信号触发可控硅导通，电流通过可控硅旁 路达到接触器分断灭弧的目的。当端点Jl对端点J2为正电位时触发电流通过二极管Dl、 限流电阻R1到可控硅TR1控制极，触发可控硅TR1导通，可控硅在电流过零时自行关断； 当端点Jl对端点J2为负电位时，触发电流通过二极管D2、限流电阻R2到可控硅TR2控制 极，触发可控硅TR2导通，可控硅在电流过零时自行关断；由每次接触器分断灭弧过程中仅 需一只可控硅工作，且最大导通时间仅为半个波。 如附图2所示，由双向可控硅SCR并联在接触器主回路触点两端。Jl、 J2为接触 器主回路输入输出端点，J3为本装置的外接控制回路触发信号的输入端口，控制回路触发 信号通过端口输入到可控硅SCR的控制极，可控硅控制极另连接一只触发限流电阻R1至接 触器触桥SW1。在接触器接通的工作过程中，当接触器触桥SW1接通前在主回路端点J1、J2 两端电压过零时由控制回路提供一个电信号给本装置J3输入端，触发双向可控硅SCR导通，然后触桥SW1闭合，外接过零触发控制回路给可控硅驱动信号关闭，起到接触器对电容 无浪涌无电弧接通的目的。 在开关断开的过程中，如Jl、 J2端电压不在零点时，接触器触桥SWI分断的瞬间， 触桥SWI将对两端点Jl、 J2形成电位差，触发信号通过限流电阻Rl到可控硅SCR控制极， 触发可控硅SCR导通，达到接触器分断灭弧的目的在可控硅在电流过零时自行关断；每次 接触器分断灭弧过程中最大导通时间为半个波。权利要求一种无浪涌灭弧装置，其特征是由可控硅并联在接触器主回路两端，可控硅的导通触发信号一路来控制回路，可控硅的另一路导通触发信号来自主回路接触器触桥，可控硅导通触发信号由控制回路控制触发和主回路触桥触发双触发方式。2. 根据权利要求1所述的无浪涌灭弧装置，其特征由二只反向并联的单向可控硅TR1、TR2并联在接触器主回路Jl、 J2两端，控制回路的触发信号通过输入端口 J3、 J4分别连接到可控硅TR1、TR2的控制极，两只二极管D1、D2共阳串联且共阳端连接至接触器触桥SW1，二极管D1 、D2的阴极分别通过电阻Rl 、电阻R2，连接到可本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种无浪涌灭弧装置，其特征是由可控硅并联在接触器主回路两端，可控硅的导通触发信号一路来控制回路，可控硅的另一路导通触发信号来自主回路接触器触桥，可控硅导通触发信号由控制回路控制触发和主回路触桥触发双触发方式。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：郭桥石，
类型：实用新型
国别省市：81[中国|广州]