存储器功耗确定方法及装置、存储介质及电子设备制造方法及图纸

本公开是关于一种存储器功耗确定方法、存储器功耗确定装置、计算机可读存储介质及电子设备，涉及集成电路技术领域。该存储器功耗确定方法包括：接收存储器控制命令，根据存储器控制命令控制模拟存储器进入不同的工作阶段；获取模拟存储器在不同的工作阶段中的原始电流变化曲线；根据存储器控制命令的时序，确定目标工作阶段对应的目标时间段；根据目标时间段，从原始电流变化曲线中截取目标工作阶段对应的阶段电流变化曲线，以获得目标电流变化曲线；根据目标工作阶段，从存储器性能参数表中选取目标性能参数；根据目标性能参数和目标电流变化曲线，确定存储器功耗。本公开提供了一种存储器功耗确定的方法。种存储器功耗确定的方法。种存储器功耗确定的方法。

【技术实现步骤摘要】
存储器功耗确定方法及装置、存储介质及电子设备


[0001]本公开涉及集成电路
，具体而言，涉及一种存储器功耗确定方法、存储器功耗确定装置、计算机可读存储介质及电子设备。

技术介绍

[0002]动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件，由于具有结构简单，密度高，功耗低，价格低廉等优点，在计算机领域和电子行业中受到了广泛的应用。
[0003]存储器功耗对于系统性能起着重要的作用，过高的存储器功耗可能会导致系统失效，因此，确定出存储器功耗，以进行系统失效分析，是确保系统正常运行的必要手段。
[0004]需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

[0005]本公开的目的在于提供一种存储器功耗确定方法、存储器功耗确定装置、计算机可读存储介质及电子设备，以确定出存储器功耗。
[0006]本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本专利技术的实践而习得。
[0007]根据本公开的第一方面，提供一种存储器功耗确定方法，所述方法包括：接收存储器控制命令，根据所述存储器控制命令控制模拟存储器进入不同的工作阶段；获取所述模拟存储器在不同的所述工作阶段中的原始电流变化曲线；根据所述存储器控制命令的时序，确定目标工作阶段对应的目标时间段；根据所述目标时间段，从所述原始电流变化曲线中截取所述目标工作阶段对应的阶段电流变化曲线，以获得目标电流变化曲线；根据所述目标工作阶段，从存储器性能参数表中选取目标性能参数；根据所述目标性能参数和所述目标电流变化曲线，确定所述存储器功耗。
[0008]根据本公开的第二方面，提供一种存储器功耗确定装置，在本公开的一种示例性实施方式中，所述装置包括：存储器模拟模块，用于接收存储器控制命令，根据所述存储器控制命令控制模拟存储器进入不同的工作阶段；原始电流获取模块，用于获取所述模拟存储器在不同的所述工作阶段中的原始电流变化曲线；目标时间段确定模块，用于根据所述存储器控制命令的时序，确定目标工作阶段对应的目标时间段；目标电流确定模块，用于根据所述目标时间段，从所述原始电流变化曲线中截取所述目标工作阶段对应的阶段电流变化曲线，以获得目标电流变化曲线；目标参数确定模块，用于根据所述目标工作阶段，从存储器性能参数表中选取目标性能参数；功耗确定模块，用于根据所述目标性能参数和所述目标电流变化曲线，确定所述存储器功耗。
[0009]根据本公开的第三方面，提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述的存储器功耗确定方法。
[0010]根据本公开的第四方面，提供一种电子设备，包括：处理器；以及存储器，用于存储所述处理器的可执行指令；其中，所述处理器配置为经由执行所述可执行指令来执行上述的存储器功耗确定方法。
[0011]本公开提供的技术方案可以包括以下有益效果：
[0012]本公开示例性实施方式中，一方面，通过控制模拟存储器进入不同的工作阶段，可以方便地获取模拟存储器在不同的工作阶段中的原始电流变化曲线，以作为存储器的原始电流变化曲线，用于后续的功耗确定；另一方面，在确定出目标工作阶段后，根据对应的目标时间段，可以截取到目标工作阶段对应的阶段电流变化曲线，基于阶段电流变化曲线可以得到目标电流变化曲线，最后结合目标电流变化曲线和目标性能参数，可以确定出存储器功耗，所确定的存储器功耗可以作为存储器的实际功耗，用于存储器的性能分析，同时还可以为系统失效分析提供依据。
[0013]应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
[0014]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：
[0015]图1示意性示出了根据本公开的示例性实施例的一种存储单元的结构示意图；
[0016]图2示意性示出了根据本公开的示例性实施例的一种存储器外围电路的结构示意图；
[0017]图3示意性示出了根据本公开的示例性实施例的一种存储器中存储块的示意图；
[0018]图4示意性示出了根据本公开的示例性实施例的一种存储器功耗确定方法的流程图；
[0019]图5示意性示出了根据本公开的示例性实施例的一种阶段电流变化曲线数据处理示意图；
[0020]图6示意性示出了根据本公开的示例性实施例的一种存储器功耗确定装置的方框图；
[0021]图7示意性示出了根据本公开的示例性实施例的一种电子设备的模块示意图。
具体实施方式
[0022]现在将参考附图更全面地描述示例实施例。然而，示例实施例能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施例；相反，提供这些实施例使得本公开将全面和完整，并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的部分，因而将省略对它们的重复描述。
[0023]此外，所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本公开的技术方案而没有所述特定细节中的一个或更
多，或者可以采用其它的方法、组元、装置、步骤等。在其它情况下，不详细示出或描述公知结构、方法、装置、实现、材料或者操作以避免模糊本公开的各方面。
[0024]附图中所示的方框图仅仅是功能实体，不一定必须与物理上独立的实体相对应。即，可以采用软件形式来实现这些功能实体，或在一个或多个软件硬化的模块中实现这些功能实体或功能实体的一部分，或在不同网络和/或处理器装置和/或微控制器装置中实现这些功能实体。
[0025]半导体存储器用于计算机、服务器、诸如移动电话等手持设备、打印机和许多其他电子设备和应用。半导体存储器在存储器阵列中包括多个存储单元，每个存储单元存储信息的至少一位。DRAM为这种半导体存储器的实例。本方案优选地用于DRAM中。因此，接下来的实施例描述是参考作为非限制性示例的DRAM进行的。
[0026]在DRAM集成电路设备中，存储单元阵列典型地以行和列布置，使得特定的存储单元可以通过指定其阵列的行和列来寻址。字线将行连接到一组探测单元中数据的位线感应放大器(Sense Amplifier，SA)。然后在读取操作中，选择或者“列选择”感应放大器中的数据子集用于输出。
[0027]参照图1，DRAM中的每个存储单元100通常包括电容器110、晶体管120、字线(Word Line，WL)130和位线(Bit Line，BL)1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器功耗确定方法，其特征在于，所述方法包括：接收存储器控制命令，根据所述存储器控制命令控制模拟存储器进入不同的工作阶段；获取所述模拟存储器在不同的所述工作阶段中的原始电流变化曲线；根据所述存储器控制命令的时序，确定目标工作阶段对应的目标时间段；根据所述目标时间段，从所述原始电流变化曲线中截取所述目标工作阶段对应的阶段电流变化曲线，以获得目标电流变化曲线；根据所述目标工作阶段，从存储器性能参数表中选取目标性能参数；根据所述目标性能参数和所述目标电流变化曲线，确定所述存储器功耗。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述从所述原始电流变化曲线中截取所述目标工作阶段对应的阶段电流变化曲线，以获得目标电流变化曲线，包括：按照预设步长，对截取的所述阶段电流变化曲线离散化，获得离散数据；从所述离散数据中确定出阶段峰值和阶段谷值；对所述阶段峰值和所述阶段谷值进行线性插值，获得插值线；以所述插值线为基准，获取预设误差范围外的所述离散数据，记为超限数据；对所述超限数据、所述阶段峰值以及所述阶段谷值进行拟合，获得所述目标电流变化曲线。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述从所述原始电流变化曲线中截取所述目标工作阶段对应的阶段电流变化曲线，以获得目标电流变化曲线，包括：按照第一预设步长，对截取的所述阶段电流变化曲线离散化，获得第一离散数据；获取预设误差范围外的所述第一离散数据，记为第一超限数据；对所述第一超限数据所在时段对应的所述阶段电流变化曲线以第二预设步长离散化，获得第二离散数据；获取所述预设误差范围外的所述第二离散数据，记为第二超限数据；对所述第二超限数据、所述阶段峰值和所述阶段谷值进行拟合，获得所述目标电流变化曲线。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一预设步长大于所述第二预设步长。5.根据权利要求2
‑
4中任一项所述的方法，其特征在于，所述根据所述目标性能参数和所述目标电流变化曲线，确定所述存储器功耗包括：根据所述目标电流变化曲线，确定出所述目标工作阶段的平均超限电流；所述目标性能参数包括所述目标工作阶段对应的电阻值、电容值和电感值；根据所述平均超限电流、所述电阻值、所述电容值和所述电感值，确定出存储器平均超限功耗。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述存储器平均超限功耗大于或等于预设功耗的时候，对所述存储器进行功耗分析，以调整所述目标性能参数。7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述存储器平均超限功耗小于所述预设功耗时，调整所述存储器中所述目标工作阶
段的运行参数。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，不同的所述工作阶段包括：读操作阶段、写操作阶段和刷新操作阶段。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述目标工作阶段是不同的所述工作阶段中的至少一个。10.根据权利要求2
‑
4中任一项所述的方法，其特征在于，所述预设误差范围为5％
‑
15％之间的任一值。11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述模拟存储器是根据所述存储器的组成元件及相应...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴钰焱，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：