一种低阻电路与玻璃基板的电路连接结构制造技术

技术编号:38220996 阅读:15 留言:0更新日期:2023-07-25 17:52
本发明专利技术涉及一种低阻电路与玻璃基板的电路连接结构,包括玻璃基板以及设置在玻璃基板至少一表面上的低阻电路,低阻电路是由附着在玻璃基板上的铜膜经图形化为铜导线而成,其特征在于:所述玻璃基板与所述铜膜之间夹设有透明导电膜,透明导电膜镀制在玻璃基板上,透明导电膜上分布有微米级尺寸的开口,所述铜膜镀制在透明导电膜上,铜膜的一部分通过相应的开口附着在玻璃基板上,铜膜的其余部分附着在透明导电膜上。这种电路连接结构能够防止铜膜在玻璃基板上发生滑移,可提高低阻电路与玻璃基板之间的连接稳固性。板之间的连接稳固性。板之间的连接稳固性。

【技术实现步骤摘要】
一种低阻电路与玻璃基板的电路连接结构


[0001]本专利技术涉及电路
,具体涉及一种低阻电路与玻璃基板的电路连接结构。

技术介绍

[0002]基于玻璃基板的低阻电路,可应用在高灵敏触摸屏、LED显示屏、OLED显示屏等多种基于电流驱动的高端显示屏上。低阻电路的主体一般为电阻更低的铜膜,铜膜一般为通过真空镀膜、电镀等工艺附着在玻璃基板上的纯铜或铜合金膜,铜膜的膜厚一般达到1μm以上以保证其电阻低,铜膜一般通过光刻等方式图案化而形成所需的电路图案。
[0003]然而,由于铜膜、玻璃基板的材质分别为金属材质、无机材质,在导热率、热胀冷缩率方面都存在着较大差别,而在制作这种低阻电路时,其往往需要涉及到高温加工的后续工序,故较厚的铜膜很可能由于热胀冷缩而在玻璃基板上发生滑移,并导致铜膜的膜层与玻璃基板出现分离,最终造成低阻电路易脱落的隐患。由此,当高端显示屏采用这种基于玻璃基板的低阻电路,其往往存在故障的隐患。

技术实现思路

[0004]本专利技术所要解决的技术问题是提供一种低阻电路与玻璃基板的电路连接结构,这种电路连接结构能够防止铜膜在玻璃基板上发生滑移,可提高低阻电路与玻璃基板之间的连接稳固性。采用的技术方案如下:一种低阻电路与玻璃基板的电路连接结构,包括玻璃基板以及设置在玻璃基板至少一表面上的低阻电路,低阻电路是由附着在玻璃基板上的铜膜经图形化为铜导线而成,其特征在于:所述玻璃基板与所述铜膜之间夹设有透明导电膜,透明导电膜镀制在玻璃基板上,透明导电膜上分布有微米级尺寸的开口,所述铜膜镀制在透明导电膜上,铜膜的一部分通过相应的开口附着在玻璃基板上,铜膜的其余部分附着在透明导电膜上。
[0005]一般来说,所述玻璃基板可以为厚度0.3~3.0mm的玻璃基板。所述低阻电路可以是单层电路,也可以是双层或多层电路,除了作为主体的铜膜之外,其还可以包括其他的功能性膜层,如钼铝钼薄膜、铬薄膜等其他电阻比铜膜高的导电膜层,或是包括绝缘层、保护层等膜层;为了便于所述铜膜的形成,铜膜除了主体的铜层之外,还可包括有镍、钼、铬、金等金属或合金构成的辅助性膜层,铜膜可通过光刻等工艺形成所需的电路图案。所述透明导电膜一般为氧化物透明导电膜,具体为氧化铟锡(ITO)、氧化锌铝(AZO)或氧化铟锌镓(IGZO)等;透明导电膜可以延伸到低阻电路的外部以构成透明电路(如透明电极)。
[0006]上述电路连接结构中,透明导电膜镀制在玻璃基板上,由于透明导电膜为氧化物薄膜,其与以氧化硅等氧化物为主要成分的玻璃基板具有良好的结合力,使透明导电膜不容易相对玻璃基板发生滑移,透明导电膜也不会影响玻璃基板的透明性和电路层的导电性,适合与低阻电路的铜膜一起设置;而且通过在透明导电膜上分布微米级尺寸的开口,铜膜的一部分通过相应的开口附着在玻璃基板上,由此可利用开口边缘的台阶对铜膜产生阻力,对铜膜产生锚定效果,有效阻止铜膜在玻璃基板上发生滑移。另外,在制作这种低阻电
路的高温加工工序中,铜膜由于热胀冷缩率与玻璃基板不同而产生的内部应力,会先通过透明导电膜的边缘传递到透明导电膜上,再通过透明导电膜传递到玻璃基板上,从而应力被分散而不会在铜膜内积聚,从而避免铜膜在玻璃基板上发生滑移而导致脱落问题。
[0007]作为本专利技术的优选方案,所述透明导电膜为氧化铟锡薄膜。由此可使透明导电膜容易光刻形成所需的开口。
[0008]作为本专利技术的优选方案,所述透明导电膜的厚度为30nm~150nm。采用这种该厚度的透明导电膜,其边缘的高度差可对铜膜产生足够的锚定效果,且便于通过光刻形成微米级尺寸的开口(太厚很难形成精准的开口位置)。
[0009]作为本专利技术的优选方案,所述铜膜的厚度不小于1μm。
[0010]如果透明导电膜上开口的面积占比(即透明导电膜上开口面积占透明导电膜总面积的比)过高,则无法对铜膜产生足够的锚定效果(相当于开口边缘少了);如果透明导电膜上开口的面积占比过低,则会导致铜膜更多地与透明导电膜形成结合,而铜膜在透明导电膜上的结合力较差,导致铜膜的附着力降低。作为本专利技术的优选方案,所述透明导电膜上开口的面积占比为50%~70%。
[0011]作为本专利技术的一种优选方案,所述透明导电膜经图形化为网格状,形成的网孔构成所述开口。
[0012]作为本专利技术的另一种优选方案,所述透明导电膜经图形化为点阵状,形成的多个垫块之间的间隙构成所述开口。
[0013]作为本专利技术的另一种优选方案,所述透明导电膜经图形化而形成多个条形垫块组,各个条形垫块组分别垫设在相应的铜导线底部,条形垫块组包括沿相应的铜导线走向依次设置的多个条形垫块,并且条形垫块的延伸方向与相应的铜导线的延伸方向相垂直。由此可以防止铜膜沿着铜导线的延伸方向发生滑移。
[0014]本专利技术与现有技术相比,具有如下优点:这种电路连接结构通过在玻璃基板与铜膜之间夹设透明导电膜,并使透明导电膜镀制在玻璃基板上,铜膜镀制在透明导电膜上,由于透明导电膜与玻璃基板具有良好的结合力,使透明导电膜不容易相对玻璃基板发生滑移,而且铜膜的一部分通过透明导电膜上相应的开口附着在玻璃基板上,由此可利用开口边缘的台阶对铜膜产生阻力,对铜膜产生锚定效果,能够防止铜膜在玻璃基板上发生滑移,可提高低阻电路与玻璃基板之间的连接稳固性。另外,在制作这种低阻电路的高温加工工序中,铜膜由于热胀冷缩率与玻璃基板不同而产生的内部应力,会先通过透明导电膜的边缘传递到透明导电膜上,再通过透明导电膜传递到玻璃基板上,从而应力被分散而不会在铜膜内积聚,从而避免铜膜在玻璃基板上发生滑移而导致脱落问题。
附图说明
[0015]图1是本专利技术优选实施方式实施例一电路连接结构的结构示意图。
[0016]图2是图1所示电路连接结构的局部剖面视图。
[0017]图3是图1所示电路连接结构中透明导电膜与铜导线配合的示意图。
[0018]图4是本专利技术优选实施方式实施例二中透明导电膜的结构示意图。
[0019]图5是本专利技术优选实施方式实施例三中透明导电膜的结构示意图。
具体实施方式
[0020]实施例1
[0021]如图1

图3所示,这种低阻电路与玻璃基板的电路连接结构,包括玻璃基板1以及设置在玻璃基板1表面上的低阻电路21,低阻电路21是由附着在玻璃基板1上的铜膜2经图形化为铜导线211而成;玻璃基板1与铜膜2之间夹设有透明导电膜3,透明导电膜3镀制在玻璃基板1上,透明导电膜3上分布有微米级尺寸的开口301,铜膜2镀制在透明导电膜3上,铜膜2的一部分通过相应的开口301附着在玻璃基板1上,铜膜2的其余部分附着在透明导电膜3上。
[0022]在本实施例中,透明导电膜3为氧化铟锡薄膜,透明导电膜3延伸到低阻电路21的外部以构成透明电极31。
[0023]在本实施例中,透明导电膜3的厚度为30nm~150nm。采用这种该厚度的透明导电膜3,其边缘的高度差可对铜膜2产生足够的锚定效果,且便于通过光刻形成微米级尺寸的开口301(太厚很难本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低阻电路与玻璃基板的电路连接结构,包括玻璃基板以及设置在玻璃基板至少一表面上的低阻电路,低阻电路是由附着在玻璃基板上的铜膜经图形化为铜导线而成,其特征在于:所述玻璃基板与所述铜膜之间夹设有透明导电膜,透明导电膜镀制在玻璃基板上,透明导电膜上分布有微米级尺寸的开口,所述铜膜镀制在透明导电膜上,铜膜的一部分通过相应的开口附着在玻璃基板上,铜膜的其余部分附着在透明导电膜上。2.根据权利要求1所述的一种低阻电路与玻璃基板的电路连接结构,其特征在于:所述透明导电膜为氧化铟锡薄膜。3.根据权利要求1所述的一种低阻电路与玻璃基板的电路连接结构,其特征在于:所述透明导电膜的厚度为30nm~150nm。4.根据权利要求1所述的一种低阻电路与玻璃基板的电路连接结构,其特征在于:所述铜膜的厚度不小于1μm。5.根据权利要求1所述的一种低阻电路与玻璃基板...

【专利技术属性】
技术研发人员:沈奕孙楹煌余荣高嘉桐欧建平吕岳敏
申请(专利权)人:汕头超声显示器二厂有限公司汕头超声显示器有限公司
类型:发明
国别省市:

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