竖直转移结构制造技术

本公开涉及竖直转移结构。例如用于图像传感器及电子装置的像素包含形成在半导体衬底中的光电二极管、浮动扩散区及选择性地将所述光电二极管耦合到所述浮动扩散区的转移结构。所述转移结构包含：转移门，其形成在所述半导体衬底上；以及竖直沟道结构，其包含形成在所述转移门与所述光电二极管之间的所述半导体衬底中的间隔开的第一掺杂区。每一间隔开的第一掺杂区以第一掺杂剂浓度掺杂有第一型掺杂剂。所述间隔开的第一掺杂区形成在以第二掺杂剂浓度掺杂有不同导电类型的第二型掺杂剂的第二掺杂区中。第二掺杂区中。第二掺杂区中。

【技术实现步骤摘要】
竖直转移结构


[0001]本公开大体上涉及图像传感器，且特定来说但不排他性地，涉及用于图像传感器的竖直转移结构。

技术介绍

[0002]图像传感器无处不在。它们广泛用于数码相机、蜂窝电话、监控相机以及医疗、汽车及其它应用中。用以制造图像传感器的技术持续高速进步。例如，对更高分辨率及更低功率消耗的需求促成这些装置的进一步小型化及集成化。这些趋势也有助于增加像素计数。
[0003]在像素架构中，在像素深处形成光电二极管可改进全阱容量，减少白色像素(WP)，且实现更小布局。在此类实施例中，通常利用竖直转移门以将电荷载流子从光电二极管转移到其它像素元件(例如，浮动扩散区)。竖直转移门通常通过在半导体衬底中蚀刻柱形或单片形凹口、在所述凹口中沉积氧化物层且接着在氧化物层上的所述凹口中的沉积导电栅极材料来形成。然而，与平面转移门相比，此类竖直转移门具有更大数目的表面，通过蚀刻，例如等离子体蚀刻产生所述表面会将表面缺陷引入到半导体衬底中，这又引起白色像素及其它有害效应。此外，在积分周期期间选择竖直转移门的栅极控制电压通常需要光晕与白色像素之间的折衷。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种像素，其包括：光电二极管，其形成在半导体衬底中且具有带有PD掺杂剂浓度的光电二极管掺杂区，其中所述光电二极管具有第一导电类型，其中所述半导体衬底具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；浮动扩散区，其形成在所述半导体衬底中且具有所述第一导电类型的FD掺杂剂浓度，其中所述FD掺杂剂浓度高于所述PD掺杂剂浓度；及转移结构，其选择性地将所述光电二极管耦合到所述浮动扩散区，其中所述转移结构包括：转移门，其形成在所述半导体衬底上；及竖直沟道结构，其包括形成在所述转移门与所述光电二极管之间的所述半导体衬底中的间隔开的第一掺杂区，其中每一间隔开的第一掺杂区以第一掺杂剂浓度掺杂有所述第二导电类型的第一型掺杂剂，其中所述间隔开的第一掺杂区形成在以第二掺杂剂浓度掺杂有所述第一导电类型的第二型掺杂剂的第二掺杂区中，其中所述第二掺杂剂浓度大于所述PD掺杂剂浓度，小于所述第一掺杂剂浓度，且小于所述FD掺杂剂浓度。2.根据权利要求1所述的像素，其中所述第二掺杂区环绕所述间隔开的第一掺杂区。3.根据权利要求1所述的像素，其中所述间隔开的第一掺杂区中的每一者从所述半导体衬底的前表面竖直地延伸到所述半导体衬底中，其中每一间隔开的第一掺杂区的远端与所述光电二极管间隔开。4.根据权利要求3所述的像素，其中所述第二掺杂区从所述半导体衬底的所述前表面竖直地延伸到所述半导体衬底中且与所述光电二极管重叠。5.根据权利要求1所述的像素，其中在垂直于所述半导体衬底的所述前表面且垂直于平分所述间隔开的第一掺杂区的平面的横截面中，其中所述光电二极管的所述光电二极管掺杂区包括：上部分，其邻近于所述第二掺杂区的远端；及下部分，其邻接所述上部分且从所述上部分延伸；其中所述上部分接触所述第二掺杂区。6.根据权利要求1所述的像素，其中所述间隔开的第一掺杂区彼此平行。7.根据权利要求6所述的像素，其中所述间隔开的第一掺杂区间隔开达约0.1um到约0.5um。8.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王勤，臧辉，
申请(专利权)人：豪威科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：