摄像装置制造方法及图纸

摄像装置具备：光电转换部，通过光电转换而生成信号电荷；半导体基板，包括第1半导体层，该第1半导体层包含第1导电型的杂质；电荷积蓄区域，是第1半导体层内的第2导电型的杂质区域，且积蓄信号电荷；晶体管，包括第1半导体层内的第2导电型的第1杂质区域作为源极及漏极中的一方；以及截断构造，位于电荷积蓄区域与第1杂质区域之间。截断构造包括：第1半导体层内的第1导电型的第2杂质区域、以及杂质浓度与第2杂质区域不同的第1半导体层内的第1导电型的第3杂质区域。型的第3杂质区域。型的第3杂质区域。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】摄像装置


[0001]本公开涉及摄像装置。

技术介绍

[0002]在数字相机等中，广泛使用CCD(电荷耦合器件(Charge Coupled Device))图像传感器及CMOS(互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor))图像传感器。这些图像传感器具有被形成于半导体基板的光电二极管。
[0003]例如，如专利文献1所公开的那样，也提出了在半导体基板的上方配置光电转换层来替代光电二极管的构造。具有这样的构造的摄像装置有时被称为层叠型的摄像装置。在层叠型的摄像装置中，通过光电转换而生成的电荷作为信号电荷被临时地积蓄至形成于半导体基板的扩散区域等。与积蓄的电荷量相应的信号经由形成于半导体基板的CCD电路或者CMOS电路被读出。
[0004]在先技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：国际公布第2012/147302号

技术实现思路

[0007]本专利技术所要解决的课题
[0008]在与表现图像的信号电荷不同的电荷向临时本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种摄像装置，具备：光电转换部，通过光电转换而生成信号电荷；半导体基板，包括第1半导体层，该第1半导体层包含第1导电型的杂质；电荷积蓄区域，是所述第1半导体层内的第2导电型的杂质区域，且积蓄所述信号电荷；晶体管，包括所述第1半导体层内的所述第2导电型的第1杂质区域作为源极及漏极中的一方；以及截断构造，位于所述电荷积蓄区域与所述第1杂质区域之间，所述截断构造包括：所述第1半导体层内的所述第1导电型的第2杂质区域；以及所述第1半导体层内的所述第1导电型的第3杂质区域，杂质浓度与所述第2杂质区域不同。2.如权利要求1所述的摄像装置，在平面图中，所述第2杂质区域与所述电荷积蓄区域的距离比所述第3杂质区域与所述电荷积蓄区域的距离短，所述第2杂质区域的杂质浓度比所述第3杂质区域的杂质浓度高。3.如权利要求1或者2所述的摄像装置，所述第2杂质区域与所述第3杂质区域直接相接。4.如权利要求1至3中任一项所述的摄像装置，所述第1半导体层包括：第2半导体层，包含所述第1导电型的杂质；以及第3半导体层，在平面图中与所述第2半导体层相邻，杂质浓度与所述第2半导体层不同，所述电荷积蓄区域被包括在所述第3半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：津野盛和，平濑顺司，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：