晶体管结构制造技术

本公开涉及晶体管结构。本发明专利技术涉及用于晶体管的晶体管结构，晶体管结构可包括第一源极

【技术实现步骤摘要】
晶体管结构


[0001]本专利技术整体涉及晶体管结构，并且更具体地涉及图像传感器或成像系统中的晶体管结构。

技术介绍

[0002]图像传感器常常在系统或设备中用于生成图像数据。在典型的布置中，图像传感器包括图像传感器像素阵列，每个图像传感器像素包含用于基于入射光生成电荷的光电二极管。
[0003]每个图像传感器像素包括多个晶体管，其中一些晶体管具有被配置为集成和存储光电二极管生成的电荷的部分的源极或漏极端子。然而，这些晶体管端子可以具有高暗电流，导致高时间和/或固定模式噪声(例如，暗信号不均匀性)，从而降低像素性能和图像质量。
[0004]本文的实施方案就是在这种背景下出现的。
附图说明
[0005]图1是根据一些实施方案的具有用于生成图像数据的一个或多个图像传感器和处理电路的例示性成像系统的功能框图。
[0006]图2是根据一些实施方案的具有像素阵列和用于该像素阵列的控制和读出电路的例示性图像传感器电路的功能框图。
[0007]图3是根据一些实施方案的具有耦合到浮动扩散区的第一转换增益设备和第二本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器像素，包括：光敏元件；浮动扩散区；和晶体管，所述晶体管耦合到所述浮动扩散区，所述晶体管包括：第一源极
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漏极区，所述第一源极
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漏极区形成在第一掺杂类型的阱中；第二源极
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漏极区，所述第二源极
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漏极区形成在所述阱中；和注入层，所述注入层位于所述阱的表面处，所述注入层具有所述第一掺杂类型并且与所述第一源极
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漏极区和所述第二源极
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漏极区重叠。2.根据权利要求1所述的图像传感器像素，其中所述浮动扩散区形成在所述晶体管的所述第一源极
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漏极区或所述第二源极
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漏极区中的一者处。3.根据权利要求1所述的图像传感器像素，其中所述第一源极
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漏极区包括所述阱内的并且与所述注入层重叠的第二掺杂类型的轻掺杂的注入区，所述图像传感器像素还包括：隔离结构，所述隔离结构在所述轻掺杂的注入区的相反侧面上，其中所述轻掺杂的注入区通过所述阱的部分与所述隔离结构分离，并且其中所述隔离结构嵌入所述阱内并具有所述第一掺杂类型并且所述注入层与所述隔离结构重叠。4.根据权利要求1所述的图像传感器像素，其中所述第一源极
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漏极区包括所述阱内的并且与所述注入层重叠的第二掺杂类型的轻掺杂的注入区，其中所述第一掺杂类型为p型并且所述第二掺杂类型为n型，并且其中所述注入层是重掺杂的。5.一种成像系统，包括：电荷存储结构；和晶体管，所述晶体管具有耦合到所述电荷存储结构的源极
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漏极区，其中所述源极
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漏极区包括：第一掺杂类型的第一注入区，所述第一掺杂类型的所述第一注入区形成在第二掺杂类型的阱内；所述第一掺杂类型的...

【专利技术属性】
技术研发人员：R，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：