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本公开涉及晶体管结构。本发明涉及用于晶体管的晶体管结构，晶体管结构可包括第一源极
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该专利属于半导体元件工业有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过半导体元件工业有限责任公司授权不得商用。

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