小信号模型及小信号模型的参数提取方法技术

本公开提供一种小信号模型及小信号模型的参数提取方法，该小信号模型包括寄生单元和本征单元。本征单元包括第一连接结构和第二连接结构，第一连接结构与第二连接结构并联。第一连接结构包括：结电阻、结电容和串联电阻，结电阻与结电容并联连接，结电阻与结电容形成的并联连接结构与串联电阻串联；第二连接结构包括：耦合电阻以及耦合电容，耦合电阻与耦合电容串联连接。本公开通过在本征单元增加耦合电阻和耦合电容来表征阵列碳纳米管之间的耦合效应，更精确的反应器件的频率特性，提高器件模型的准确率。且通过本公开提供的参数提取方法提取得到的仿真结果与器件测试得到的实际结果，也具有良好的拟合精度。也具有良好的拟合精度。也具有良好的拟合精度。

【技术实现步骤摘要】
小信号模型及小信号模型的参数提取方法


[0001]本公开涉及半导体器件
，尤其涉及一种小信号模型及小信号模型的参数提取方法。

技术介绍

[0002]肖特基二极管作为一种重要的半导体电子元器件，在微电子学领域有着广泛的应用。传统的硅肖特基二极管器件迁移率较低且阈值电压比较高，限制了其在高频领域和需要低导通偏压场合的应用。因此，需要采用理想材料来制作一种具有优良器件结构的高性能的肖特基二极管，而由于半导体型碳纳米管(CNTs)具有独特的结构和优异的性能，有望被用来制作高性能肖特基二极管，以替代部分硅基肖特基二极管或作为硅基肖特基二极管的有益补充。
[0003]射频电路的设计离不开小信号模型和大信号模型，小信号模型是大信号模型在固定偏置点下的线性等效，是建立大信号等效电路模型的必要步骤，高精确度的小信号模型是大信号模型建立的基础。但由于碳纳米管肖特基二极管的发展历史相对较短，碳纳米管肖特基二极管的信号模型大多沿用传统的硅基肖特基二极管以及III
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V族材料的肖特基二极管等器件的相关模型，这些模型无法考虑到肖特基二极管沟本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种小信号模型，其特征在于，包括：寄生单元和本征单元；所述寄生单元用于测量寄生参数；所述本征单元用于测量本征参数，所述本征单元包括：第一连接结构和第二连接结构，所述第一连接结构与所述第二连接结构并联；所述第一连接结构包括：结电阻、结电容和串联电阻，所述结电阻与所述结电容并联连接，所述结电阻与所述结电容形成的并联连接结构与所述串联电阻串联；所述第二连接结构包括：耦合电阻以及耦合电容，所述耦合电阻与所述耦合电容串联连接。2.根据权利要求1所述的小信号模型，其特征在于，所述寄生单元包括外围开路结构和内围通路结构；所述外围开路结构包括：第一寄生电容、第二寄生电容和第三寄生电容，所述第一寄生电容的一端接地，另一端与所述第三寄生电容、第二寄生电容依次串联连接，所述第二寄生电容的另一端接地；所述内围通路结构包括：第一寄生电感、第二寄生电感、第一寄生电阻和第二寄生电阻，所述第一寄生电阻、第一寄生电感、本征单元、第二寄生电感、第二寄生电阻依次串联连接，所述第三寄生电容与所述内围通路结构并联连接。3.根据权利要求2所述的小信号模型，其特征在于，所述第三寄生电容与所述内围通路结构并联连接的两个节点还分别连接有所述小信号模型的输入端和所述小信号模型的输出端。4.一种小信号模型的参数提取方法，其特征在于，应用于权利要求1～3任意一项所述的小信号模型，所述方法包括：测量预设器件的电流
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电压特性，计算得到串联电阻；获取所述小信号模型中寄生单元的寄生参数，所述寄生单元包括外围开路结构和内围通路结构；获取所述小信号模型中的本征单元的本征参数，所述本征单元包括：结电阻、结电容、耦合电容、耦合电阻和所述串联电阻；将所述寄生参数和本征参数代入所述小信号模型中，优化所述小信...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙兵，黄志，常虎东，张真，李金玮，常亚款，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：