基于BCD工艺的隔离结构的模型仿真电路及方法技术

本发明专利技术公开了一种基于BCD工艺的隔离结构的模型仿真电路及方法，该模型仿真电路包括场效应管和漂移区电阻构成的原模型电路，在所述原模型电路的源端(S)设置第一电压控制电压源(EX1)，在所述原模型电路的漏端(D)与沟道之间设置第二电压控制电压源(EX2)，并利用符号函数对所述第一电压控制电压源(EX1)与第二电压控制电压源(EX2)进行控制，以规范第一电压控制电压源(EX1)与第二电压控制电压源(EX2)的应用范围。应用范围。应用范围。

【技术实现步骤摘要】
基于BCD工艺的隔离结构的模型仿真电路及方法


[0001]本专利技术涉及半导体集成电路
，特别是涉及一种基于BCD工艺的隔离结构的模型仿真电路及方法。

技术介绍

[0002]在BCD工艺(集合了Bipolar CMOS DMOS的单片IC制造工艺)中，非对称Boost IP是基于BCD high
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side工艺的一种近似高压隔离环，如图1所示，非对称Boost IP为10，能将芯片上的电路分为高压区域(highside region)和低压区域(lowside region)，是一种LDMOS结构的隔离环，它的耐压在200～600V，其围成的岛形区域用于布设高压电路。例如在一些马达驱动电路中，存在两种VDD应用电压，它们的相对电压差在200V以上，相对电压高的器件电路会工作在Boost IP围起来的“岛”中，相对电压低的器件电路则分布在“岛”以外的地方。图1中下方环形开口处为LDMOS自举管11，它的作用为衔接岛内和岛外电路。
[0003]如果将Boost IP区域按图1左边椭圆处剖开，它的横截面结构如图2所示，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于BCD工艺的隔离结构的模型仿真电路，包括场效应管和漂移区电阻构成的原模型电路，其特征在于：在所述原模型电路的源端(S)设置第一电压控制电压源(EX1)，在所述原模型电路的漏端(D)与沟道之间设置第二电压控制电压源(EX2)，并利用符号函数对所述第一电压控制电压源(EX1)与第二电压控制电压源(EX2)进行控制，以规范第一电压控制电压源(EX1)与第二电压控制电压源(EX2)的应用范围。2.如权利要求1所述的基于BCD工艺的隔离结构的模型仿真电路，其特征在于，所述符号函数(sgn(V(S,0)))定义为当V(S,0)小于或等于0的时候为0，从而使得此时第一电压控制电压源(EX1)、第二电压控制电压源(EX2)的表达式为0。3.如权利要求2所述的基于BCD工艺的隔离结构的模型仿真电路，其特征在于：所述符号函数通过开关电路表示。4.如权利要求2所述的基于BCD工艺的隔离结构的模型仿真电路，其特征在于：基于所述符号函数(sgn(V(S,0)))建立所述第一电压控制电压源(EX1)的受V(S,0)控制的电压公式，并提供第一拟合参数(P0)和所述第一电压控制电压源(EX1)的一阶温度参数(tc1x
_p0
)、二阶温度参数(tc2x
_p0
)。5.如权利要求4所述的基于BCD工艺的隔离结构的模型仿真电路，其特征在于：基于所述符号函数(sgn(V(S,0)))建立所述第二电压控制电压源(EX2)的受V(S,0)控制的电压公式，并提供第二拟合参数(Vsk1)、第三拟合参数(Vsk2)、第四拟合参数(Vgk1)、第五拟合参数(Vgk2)以及所述第二电压控制电压源(EX2)的一阶温度参数(tc1x
vsk1
)和二阶温度参数(tc2x
vsk2
)。6.一种基于BCD工艺的隔离结构的模型仿真方法，包括如下步骤：步骤S1，在所述基于BCD工艺的隔离结构原模型电路的源端(S)中增加第一电压控制电压源(EX1)；步骤S2，在所述基于BCD工艺的隔离结构原模型电路的漏端(D)和沟道之间添加第二电压控制电压源(EX2)；步骤S3，利用符号函数对所述第一电压控制电压源(EX1)与第二电压控制电压源(EX2)进行控制，以规范第一电压控制电压源(EX1)与第二电压控制电压源(EX2)的应用范围，得到新型模型仿真电路；步骤S4，对新型模型仿真电路进行仿真对比，对第一电压控制电压源(EX1)与第二电压控制电压源(EX2)的拟合参数进行拟合。7.如权利要求6所述的基于BCD工艺的隔离结构的模型仿真方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：王正楠，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：