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本发明公开了一种基于BCD工艺的隔离结构的模型仿真电路及方法,该模型仿真电路包括场效应管和漂移区电阻构成的原模型电路,在所述原模型电路的源端(S)设置第一电压控制电压源(EX1),在所述原模型电路的漏端(D)与沟道之间设置第二电压控制电压源...该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。
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