半导体装置包括:芯片,其具有一方侧的第一主面以及另一方侧的第二主面,且包含设定于上述第一主面的内方部的活性面、以及设定于上述第一主面的周缘部的外侧面;功能设备,其形成于上述活性面侧;突出构造,其包含无机物,且突出设置于上述外侧面侧;以及有机膜,其包覆上述突出构造。上述突出构造。上述突出构造。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
[0001]本申请与2020年11月27日向日本国专利局提出的特愿2020-196698号对应,本申请的全部公开内容在此通过引用而录入。本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
[0002]专利文献1公开了包含半导体基板、层间绝缘层、电极、无机保护层以及有机保护层的半导体装置。层间绝缘层包覆半导体基板。电极包覆半导体基板以及层间绝缘层。无机保护层包覆电极以及层间绝缘层。有机保护层包覆无机保护层、电极以及层间绝缘层。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1:美国专利申请公开第2019/0080976号说明书
技术实现思路
[0006]专利技术所要解决的课题
[0007]本专利技术的一个实施方式提供一种能够提高可靠性的半导体装置。
[0008]用于解决课题的方案
[0009]本专利技术的一个实施方式提供一种半导体装置,包括:芯片,其具有一方侧的第一主面以及另一方侧的第二主面,且包含设定于上述第一主面的内方部的活性面、以及设定于上述第一主面的周缘部的外侧面;功能设备,其形成于上述活性面侧;突出构造,其包含无机物,且突出设置于上述外侧面侧;以及有机膜,其包覆上述突出构造。
[0010]上述的或者其它的目的、特征以及效果通过参照附图进行以下叙述的实施方式的说明将会变得清楚。
附图说明
[0011]图1是表示本专利技术的第一实施方式的SiC半导体装置的俯视图。
[0012]图2是表示上述SiC半导体装置的内部构造的俯视图。
[0013]图3是沿图2所示的III
‑
III线的剖视图。
[0014]图4是表示第一实施例的第一突出构造的放大剖视图。
[0015]图5A是表示第二实施例的第一突出构造的放大剖视图。
[0016]图5B是表示第三实施例的第一突出构造的放大剖视图。
[0017]图5C是表示第四实施例的第一突出构造的放大剖视图。
[0018]图6与图4对应,是与第一实施例的第二突出构造一起示出本专利技术的第二实施方式的SiC半导体装置的放大剖视图。
[0019]图7A是表示第二实施例的第二突出构造的放大剖视图。
[0020]图7B是表示第三实施例的第二突出构造的放大剖视图。
[0021]图7C是表示第四实施例的第二突出构造的放大剖视图。
[0022]图7D是表示第五实施例的第二突出构造的放大剖视图。
[0023]图8与图4对应,是与第一实施例的第三突出构造一起示出本专利技术的第三实施方式的SiC半导体装置的放大剖视图。
[0024]图9A是表示第二实施例的第三突出构造的放大剖视图。
[0025]图9B是表示第三实施例的第三突出构造的放大剖视图。
[0026]图9C是表示第四实施例的第三突出构造的放大剖视图。
[0027]图9D是表示第五实施例的第三突出构造的放大剖视图。
[0028]图9E是表示第六实施例的第三突出构造的放大剖视图。
[0029]图9F是表示第七实施例的第三突出构造的放大剖视图。
[0030]图9G是表示第八实施例的第三突出构造的放大剖视图。
[0031]图9H是表示第九实施例的第三突出构造的放大剖视图。
[0032]图9I是表示第十实施例的第三突出构造的放大剖视图。
[0033]图9J是表示第十一实施例的第三突出构造的放大剖视图。
[0034]图9K是表示第十二实施例的第三突出构造的放大剖视图。
[0035]图10与图4对应,是与第一实施例的第四突出构造一起示出本专利技术的第四实施方式的SiC半导体装置的放大剖视图。
[0036]图11A是表示第二实施例的第四突出构造的放大剖视图。
[0037]图11B是表示第三实施例的第四突出构造的放大剖视图。
[0038]图11C是表示第四实施例的第四突出构造的放大剖视图。
[0039]图12与图4对应,是与第一实施例的第五突出构造一起示出本专利技术的第五实施方式的SiC半导体装置的放大剖视图。
[0040]图13A是表示第二实施例的第五突出构造的放大剖视图。
[0041]图13B是表示第三实施例的第五突出构造的放大剖视图。
[0042]图13C是表示第四实施例的第五突出构造的放大剖视图。
[0043]图14是用于说明在第一~第五实施方式中作为功能设备应用了SiC-MISFET的情况的实施例的俯视图。
[0044]图15是沿图14所示的XV
‑
XV线的剖视图。
[0045]图16A是与第三突出构造一起示出沿图15所示的XVI
‑
XVI线的剖面构造的剖视图。
[0046]图16B是与第五突出构造一起示出沿图15所示的XVI
‑
XVI线的剖面构造的剖视图。
具体实施方式
[0047]图1是表示本专利技术的第一实施方式的SiC半导体装置1的俯视图。图2是表示SiC半导体装置1的内部构造的俯视图。图3是表示沿图2所示的III
‑
III线的剖视图。图4是表示第一实施例的第一突出构造20A的放大剖视图。
[0048]参照图1~图4,在该方式(this embodiment)中,SiC半导体装置1是包含由六方晶的SiC(碳化硅)单晶构成的SiC芯片2(芯片/半导体芯片)的电子部件。六方晶的SiC单晶具有包含2H(Hexagonal)-SiC单晶、4H-SiC单晶、6H-SiC单晶等的多个种类的多晶。在该方式中,示出SiC芯片2由4H-SiC单晶构成的例子,但并不是将其它多晶除外。
[0049]SiC芯片2形成为长方体形状。在该方式中,SiC芯片2具有包含SiC基板3(半导体基
板)以及SiC外延层4(外延层)的层叠构造。SiC外延层4具有与SiC基板3的杂质浓度不同的杂质浓度。SiC外延层4优选具有小于SiC基板3的杂质浓度的杂质浓度。
[0050]SiC基板3的厚度也可以为5μm以上且300μm以下。SiC基板3的厚度优选为50μm以上且250μm以下。SiC外延层4优选具有小于SiC基板3的厚度的厚度。SiC外延层4的厚度优选为1μm以上且50μm以下。SiC外延层4的厚度优选为5μ以上且20μm以下。
[0051]SiC芯片2具有一方侧的第一主面5、另一方侧的第二主面6、以及将第一主面5及第二主面6连接的第一~第四侧面7A~7D。第一主面5由SiC外延层4形成,第二主面6由SiC基板3形成,第一~第四侧面7A~7D由SiC基板3以及SiC外延层4形成。第一主面5是形成有功能设备的设备面,第二主面6是未形成功能设备的非设备面。
[0052]第一主面5以及第二主面6在从它们的法线方向Z观察的俯视(以下简称为“俯视”。)中形成为四边形状。第一主面5以及第二主面6也可以在俯视时形成为正方形状或者长方形状。第本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置,其特征在于,包括:芯片,其具有一方侧的第一主面以及另一方侧的第二主面,且包含设定于上述第一主面的内方部的活性面、以及设定于上述第一主面的周缘部的外侧面;功能设备,其形成于上述活性面侧;突出构造,其包含无机物,且突出设置于上述外侧面侧;以及有机膜,其包覆上述突出构造。2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,上述突出构造以电浮动状态形成。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,在上述突出构造以及上述有机膜之间不夹设氮化膜。4.根据权利要求1~3任一项中所述的半导体装置,其特征在于,在上述外侧面以及上述有机膜之间不夹设氮化膜。5.根据权利要求1~4任一项中所述的半导体装置,其特征在于,上述突出构造不具有氮化膜。6.根据权利要求1~5任一项中所述的半导体装置,其特征在于,上述突出构造由无机物构成。7.根据权利要求1~6任一项中所述的半导体装置,其特征在于,在俯视时在上述芯片的周缘以及上述突出构造之间的区域不形成金属膜。8.根据权利要求1~7任一项中所述的半导体装置,其特征在于,上述突出构造在俯视时从上述芯片的周缘以及上述活性面空出间隔地形成。9.根据权利要求1~8任一项中所述的半导体装置,其特征在于,上述突出构造具有上述活性面侧的第一边以及上述芯片的周缘侧的第二边,上述有机膜以在俯视时包覆上述第一边以及上述第二边双方的方式包覆上述突出构造。10.根据权利要求1~9任一项中所述的半导体装置,其特征在于,上述有机膜在俯视时包覆上述突出构造的整个区域。11.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员:中野佑纪,
申请(专利权)人:罗姆股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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