半导体装置制造方法及图纸

半导体装置具备第一半导体元件、封固树脂以及散热层。所述第一半导体元件具有朝向第一方向的第一主面、以及在所述第一方向上位于与所述第一主面所朝向的一侧相反的一侧的第一电极以及第二电极。所述封固树脂覆盖所述第一半导体元件。所述散热层与所述第一主面接合。所述散热层具有在所述第一方向上朝向与所述第一主面相同的一侧的散热面。所述散热面从所述封固树脂向外部露出。在所述第一方向上观察时，所述散热面的周缘包围所述第一主面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及一种半导体装置。

技术介绍

1、在专利文献1中公开了具备横型构造的半导体元件(hemt)的半导体装置的一个例子。半导体元件具有第一电极以及第二电极。在该半导体装置中，半导体元件与芯片焊盘接合。第一电极以及第二电极经由导线与位于芯片焊盘的周边的多个端子引线导通。

2、为了实现专利文献1所公开的半导体装置的寄生电感的降低，有时使半导体元件的第一电极以及第二电极与配线基板等导电接合，即进行倒装芯片安装。在该情况下，半导体元件不与芯片焊盘接合，因此从半导体元件发出的热传导到覆盖该半导体元件的封固树脂。通常，封固树脂的热传导率比芯片焊盘的热传导率低，因此具备倒装芯片安装的半导体元件的半导体装置的散热性有降低的倾向。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开2020-188085号公报

技术实现思路

1、专利技术所要解决的课题

2、本公开的一个课题在于提供一种与以往相比实施了改良的半导体装置。特别是本公开鉴于上述情况，其一个课题在于提供本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

10.根据权利要求8或9所述的半导体装置，其特...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

【专利技术属性】
技术研发人员：富士和则，吉田夏弥，望月阳，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：

全部详细技术资料下载 我是这个专利的主人