一种区分碳化硅晶片硅面和碳面的方法技术

本申请公开了一种区分碳化硅晶片硅面和碳面的方法，属于碳化硅材料技术领域。该方法包括下述步骤：(1)将碳化硅晶片置于硫酸或盐酸溶液中浸泡，之后清洗得到待测晶片；(2)检测并对比所述待测晶片的第一表面和第二表面上的S元素或Cl元素含量，其中S元素或Cl元素含量高的表面为碳面，S元素或Cl元素含量低的表面为硅面。该方法适用于切割后、研磨后或者抛光后的导电型及半绝缘型碳化硅晶片，具有不受晶片尺寸的限制、对材料无损、技术方法简单、适应范围广、可靠性高等优点。可靠性高等优点。可靠性高等优点。

【技术实现步骤摘要】
一种区分碳化硅晶片硅面和碳面的方法


[0001]本申请涉及一种区分碳化硅晶片硅面和碳面的方法，属于碳化硅材料


技术介绍

[0002]目前，存在多种方法来区分碳化硅单晶的极性面。常用方法有以下：定位边标记法，激光标记法，腐蚀法，浸润性差异法，粗糙度差异法，接触电势差异法，X射线衍射强度差异法。其中定位边标记法和激光标记法是产业常用方法。
[0003]定位边标记法是通过晶锭边缘加工出一定标记来区分硅面和碳面。目前常用方式是在晶棒加工出两个不同大小的直面，称为主参考面和副参考面，通过主、副参考面的相对位置辨别硅面或碳面。该方式因为磨削去除，降低了衬底片的有效使用面积。随着产业化碳化硅衬底的尺寸逐渐增大，定位边的加工去除对可用面积的影响逐渐增大，对商用6英寸衬底，不再加工副参考边，到8英寸衬底，则采用加工缺口的方式代替定位边的加工。因此对于此类大尺寸衬底，则采用激光标记在碳面的方式区分衬底的硅面和碳面，但是激光标记的方式也存在较大风险，一旦激光标记出现错误，若不能有效识别错误时，会对后续晶片加工以及外延产生重要影响。
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种区分碳化硅晶片硅面和碳面的方法，其特征在于，包括下述步骤：(1)将碳化硅晶片置于硫酸或盐酸溶液中浸泡，之后清洗得到待测晶片；(2)检测并对比所述待测晶片的第一表面和第二表面上的S元素或Cl元素含量，其中S元素或Cl元素含量高的表面为碳面，S元素或Cl元素含量低的表面为硅面。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)中，硫酸溶液中硫酸的浓度为2
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70wt％；盐酸溶液中盐酸的浓度为2
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70wt％。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)的浸泡时间不低于1min，浸泡温度为20
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30℃。4.根据权利要求1
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3任一项所述的方法，其特征在于，采用二次离子质谱仪、全反射荧光光谱仪检测所述第一表面和第二表面上的S元素或Cl元素含量。5.根据权利要求1
‑
3任一项所述的方法，其特征在于，步骤(2)中通过提取液提取并检测第一表面和...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈延昌，杨方慧，付健行，吴殿瑞，李宝盛，高宇晗，赵树春，宋生，杨晓俐，刘家朋，
申请(专利权)人：山东天岳先进科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：