使用环氧基或油墨基间隔件支撑半导体装置中的大裸片的方法和设备制造方法及图纸

本公开涉及使用环氧基或油墨基间隔件支撑半导体装置中的大裸片的方法和设备。一种半导体装置组件包含衬底和安装到所述衬底的第一半导体装置。环氧基间隔件接近于所述第一半导体装置通过附接到所述环氧基间隔件的底部表面并且附接到所述衬底的粘合剂安装到所述衬底。第二半导体装置直接安装到所述第一半导体装置和所述环氧基间隔件的顶部表面。体装置和所述环氧基间隔件的顶部表面。体装置和所述环氧基间隔件的顶部表面。

【技术实现步骤摘要】
使用环氧基或油墨基间隔件支撑半导体装置中的大裸片的方法和设备


[0001]本专利技术技术涉及半导体装置封装。更确定地，本专利技术技术的一些实施例涉及用于防止间隔件与环氧模制化合物之间的分层，因此改进半导体装置的可靠性的技术。

技术介绍

[0002]包含存储器芯片、微处理器芯片、逻辑芯片和成像器芯片的半导体裸片通常通过将多个半导体裸片个别地或以裸片堆叠方式以网格图案安装在衬底上而组装。组件可用于移动装置、计算和/或汽车产品中。由回收硅制成的间隔件可用于支撑大芯片的悬垂部分。尽管在制造厂中会清洁回收硅，但残留在硅上的例如氟(F)和/或锡(Sn)之类的污染物可能会引起分层，这可导致装置失效。

技术实现思路

[0003]在一个方面，本公开涉及一种半导体装置组件，包括：衬底；第一半导体装置，其安装到所述衬底；环氧基间隔件，其接近于所述第一半导体装置通过附接到所述环氧基间隔件的底部表面并且附接到所述衬底的粘合剂安装到所述衬底；以及第二半导体装置，其直接安装到所述第一半导体装置和所述环氧基间隔件的顶部表面。
[0004]在另一方面，本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置组件，其包括：衬底；第一半导体装置，其安装到所述衬底；环氧基间隔件，其接近于所述第一半导体装置通过附接到所述环氧基间隔件的底部表面并且附接到所述衬底的粘合剂安装到所述衬底；以及第二半导体装置，其直接安装到所述第一半导体装置和所述环氧基间隔件的顶部表面。2.根据权利要求1所述的半导体装置组件，其中所述环氧基间隔件的所述顶部表面包括可压缩材料。3.根据权利要求2所述的半导体装置组件，其中所述可压缩材料是线上可流动膜或线上可流动流体。4.根据权利要求1所述的半导体装置组件，其中所述第一半导体装置经由多个焊料凸块和底部填充物安装到所述衬底。5.根据权利要求1所述的半导体装置组件，其中所述环氧基间隔件包括在至少一个边缘上的锯痕。6.根据权利要求1所述的半导体装置组件，其中所述环氧基间隔件进一步包括：在所述环氧基间隔件的所述顶部表面处的可压缩材料，其中在所述粘合剂附接到所述衬底之前将所述可压缩材料和所述粘合剂施加到所述环氧基间隔件。7.根据权利要求1所述的半导体装置组件，其进一步包括模制材料，所述模制材料在所述第一半导体装置和所述第二半导体装置中的每一者的至少两个侧边缘上方且在所述环氧基间隔件的至少两个侧边缘上方形成。8.根据权利要求1所述的半导体装置组件，其中所述粘合剂为裸片附接膜。9.一种用于制造在半导体装置组件中使用的环氧基间隔件的方法，其包括：形成包括环氧模制化合物的模制晶片；使所述模制晶片变薄；以及将变薄模制晶片切割成多个环氧基间隔件。10.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：在使所述模制晶片变薄之后，将粘合剂附接到所述变薄模制晶片的底部侧。11...

【专利技术属性】
技术研发人员：饶力，钟旻华，颜宗隆，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：