光刻显影方法及半导体结构技术

本发明专利技术提供一种光刻显影方法，包括以下步骤：提供一经曝光后的目标结构，目标结构包括半导体衬底以及位于半导体衬底之上的光刻胶层；在光刻胶层之上形成润湿层，润湿层为去离子水与显影液的混合；向覆盖有润湿层的光刻胶层的表面喷洒显影液，使显影液覆盖在光刻胶层的整个表面上进行显影；去除显影液，获得显影后的目标结构。在显影之前利用去离子水和显影液的混合对表面进行润湿，在后续显影过程中显影液可以快速均匀地涂布于光刻胶上，减少缺陷的产生，提高图形尺寸的精确度。提高图形尺寸的精确度。提高图形尺寸的精确度。

【技术实现步骤摘要】
光刻显影方法及半导体结构


[0001]本专利技术属于半导体制造
，尤其涉及一种光刻显影方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(IC)工业已经经历了快速增长。IC材料、设计和制造工具中的技术进步已经产生了多代IC，其中，每一代IC都比前一代IC具有更小和更复杂的电路。在这些进步过程中，制造方法、工具和材料都努力去实现对更小的部件尺寸的期望。光刻工艺是IC加工制造业中最重要的工艺步骤之一。
[0003]光刻(photolithography)工艺是将掩模板上的几何图形转移到覆盖在半导体衬底表面的对光辐照敏感的薄膜材料(光刻胶)上去的工艺过程。光刻工艺的基本流程一般包括底膜处理、涂胶、前烘、曝光、显影、刻蚀、去胶等。在曝光过程中，将掩模板上的电路图案投映到光刻胶上，光刻胶在涂布机经过涂布之后，曝完光之后进入到显影步骤。显影步骤是非常重要的一步，在显影过程中，光刻胶产生的光酸经过和显影液进行酸碱中和反应之后，经过DI water(去离子水)冲洗之后，最后将光刻胶去除，将电路图案显影在光刻胶层中。然后，以该光刻胶图案作为掩模层，对晶圆本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光刻显影方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一经曝光后的目标结构，所述目标结构包括半导体衬底以及位于所述半导体衬底之上的光刻胶层；在所述光刻胶层之上形成润湿层，所述润湿层为去离子水与显影液的混合；向覆盖有所述润湿层的所述光刻胶层的表面喷洒显影液，使显影液覆盖在所述光刻胶层的整个表面上进行显影；去除显影液，获得显影后的所述目标结构。2.根据权利要求1所述的光刻显影方法，其特征在于，在所述润湿层中所述去离子水与所述显影液的添加量之比为(1～4):(6～9)。3.根据权利要求2所述的光刻显影方法，其特征在于，在所述润湿层中所述去离子水与所述显影液的添加量之比为2:8。4.根据权利要求1所述的光刻显影方法，其特征在于，所述光刻显影方法在涂布显影机上执行，所述涂布显影机包括可旋转的吸盘以及位于所述吸盘上方且正对所述吸盘的第一喷嘴和第二喷嘴，所述吸盘的表面用于放置所述目标结构，所述第一喷嘴用于喷洒去离子水，所述第二喷嘴用于喷洒显影液。5.根据权利要求4所述的光刻显影方法，其特征在于，在形成所述润湿层的过程中，首先，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨尚勇，邱杰振，颜天才，
申请(专利权)人：物元半导体技术青岛有限公司，
类型：发明
国别省市：