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本发明提供一种光刻显影方法,包括以下步骤:提供一经曝光后的目标结构,目标结构包括半导体衬底以及位于半导体衬底之上的光刻胶层;在光刻胶层之上形成润湿层,润湿层为去离子水与显影液的混合;向覆盖有润湿层的光刻胶层的表面喷洒显影液,使显影液覆盖在光...该专利属于物元半导体技术(青岛)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过物元半导体技术(青岛)有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种光刻显影方法,包括以下步骤:提供一经曝光后的目标结构,目标结构包括半导体衬底以及位于半导体衬底之上的光刻胶层;在光刻胶层之上形成润湿层,润湿层为去离子水与显影液的混合;向覆盖有润湿层的光刻胶层的表面喷洒显影液,使显影液覆盖在光...