一种发光二极管及其制备方法技术

本申请实施例公开了一种发光二极管及其制备方法，涉及光电技术领域。该发光二极管包括：阳极、阴极、设置在阳极与阴极之间的发光层；复合电子传输层，复合电子传输层设置在阴极与发光层之间，复合电子传输层的材料包括第一材料和第二材料；其中，第一材料为第一电子传输材料；第二材料为金属盐，金属盐中的金属元素选自VIII族元素；以及金属层，金属层设置在阴极与复合电子传输层之间，金属层的材料为掺杂或未掺杂的金属单质，金属单质中的金属元素选自VIII族元素。该发光二极管的复合电子传输层具有良好的透射率，且该发光二极管具有较高的亮度与效率。高的亮度与效率。高的亮度与效率。

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管及其制备方法


[0001]本专利技术涉及光电
，具体涉及一种发光二极管及其制备方法。

技术介绍

[0002]发光二极管技术作为一种新型的显示照明技术，具备良好的节能性、可靠性、安全性以及环境友好性，因此其拥有广阔的发展前景，目前仍然是显示照明的重要研究方向之一。
[0003]当前技术下，发光二极管的主要结构包括阴极、阳极、空穴传输层、电子传输层以及发光层，但此种结构的发光二极管在亮度、效率以及寿命方面还未能达到一个理想的数值。其中由于各膜层材料(例如电子传输层)自身透射率较低，因此发光层发出的光在其出射方向上会由于薄膜吸光而导致非逸散性损失，从而导致发光二极管的亮度及效率下降。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供一种发光二极管，该发光二极管具有较高与效率。
[0005]本申请实施例还提供一种发光二极管的制备方法。
[0006]本申请实施例提供一种发光二极管，包括：
[0007]阳极、阴极、设置在阳极与阴极之间的发光层；
[0008]复合电子传输层，复合电子传输层设置在阴极与发光层之间，复合电子传输层的材料包括第一材料和第二材料；其中，第一材料为第一电子传输材料；第二材料为金属盐，金属盐中的金属元素选自VIII族元素；以及
[0009]金属层，金属层设置在阴极与复合电子传输层之间，金属层的材料为掺杂或未掺杂的金属单质，金属单质中的金属元素选自VIII族元素。
[0010]可选的，在本申请的一些实施例中，复合电子传输层中，第二材料与第一材料的物质的量的比值为0.04～0.1；和/或
[0011]金属单质与第一材料的物质的量的比值为0.02～0.033。
[0012]可选的，在本申请的一些实施例中，金属盐选自于氯化铁、氯化钴、醋酸铁、醋酸钴、硬脂酸铁、硝酸铁、硝酸钴中的一种或多种。
[0013]可选的，在本申请的一些实施例中，金属单质选自于镍、钯、铂中的一种或多种；和/或
[0014]金属单质的掺杂元素选自VIII族元素，且掺杂元素与金属单质中的金属元素不同。
[0015]可选的，在本申请的一些实施例中，第一电子传输材料选自于掺杂或未掺杂的金属氧化物、掺杂或未掺杂的半导体纳米颗粒、有机电子传输材料中的一种或多种；和/或
[0016]第一电子传输材料选自于掺杂或未掺杂的TiO2、ZnO、ZrO、SnO2、WO3、Ta2O3、HfO3、Al2O3、ZrSiO4、BaTiO3、BaZrO3、CdS、ZnSe、ZnS中的一种或多种；掺杂元素选自于Al、Mg、In、Li、Ga、Cd、Cs、Cu中的一种或多种。
[0017]可选的，在本申请的一些实施例中，发光二极管为正置结构或倒置结构的发光二极管；和/或
[0018]发光二极管为量子点发光二极管、有机发光二极管、微米发光二极管中的一种。
[0019]可选的，在本申请的一些实施例中，量子点发光二极管包括量子点发光层；量子点发光层的材料选自于CdSe、CdS、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdSeSTe、ZnSeSTe、CdZnSeSTe、CdSe/ZnS、CdZnSe/ZnS、CdS/CdZnS、InP、InAs、InAsP、InP/InAsP、PbS、PbSe、PbTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、PbSe/PbS中的一种或多种。
[0020]另外，一种发光二极管的制备方法，包括：
[0021]提供阳极，在阳极上形成发光层，在发光层上沉积形成层叠的复合电子传输层以及金属层，在金属层上形成阴极；或
[0022]提供阴极，在阴极上沉积形成层叠的金属层以及复合电子传输层，在复合电子传输层上形成发光层，在发光层上形成阳极；
[0023]其中，复合电子传输层的材料包括第一材料和第二材料；第一材料为第一电子传输材料；第二材料为金属盐，金属盐中的金属元素选自VIII族元素；
[0024]金属层的材料为掺杂或未掺杂的金属单质，金属单质中的金属元素选自VIII族元素。
[0025]可选的，在本申请的一些实施例中，上述沉积形成层叠的复合电子传输层以及金属层的步骤包括：
[0026]在发光层上沉积第一电子传输材料，并在第一电子传输材料的膜层固化之前，在第一电子传输材料的膜层上沉积金属盐，固化形成复合电子传输层；
[0027]在复合电子传输层上沉积金属单质形成金属层；或
[0028]上述沉积形成层叠的金属层以及复合电子传输层的步骤包括：
[0029]在阴极上沉积金属单质形成金属层；
[0030]在金属层上沉积金属盐，并在金属盐的膜层固化之前，在金属盐的膜层上沉积第一电子传输材料，固化形成复合电子传输层。
[0031]可选的，在本申请的一些实施例中，上述固化形成复合电子传输层通过将第一电子传输材料暴露于空气的方式和/或通过紫外光照射的方式实现；
[0032]暴露于空气的方式包括将第一电子传输材料置于空气环境中0.25～1min；
[0033]紫外光照射的方式包括利用紫外光照射第一电子传输材料0.25～30min。
[0034]相对现有技术，本专利技术提供的发光二极管包括了VIII族金属的金属盐和第一电子传输材料，形成的复合电子传输层具有较高的膜层透射率，并且膜层中的缺陷较少，能够有效降低出射光被缺陷所吸收的概率，从而增强发光二极管的器件透射率。并且，本专利技术的发光二极管中设置了与上述复合电子传输层层叠的包括VIII族元素的金属层，金属层具有较高的导电性，能够有效平衡因上述VIII族金属的金属盐的引入而升高的薄膜电阻，有利于载流子的传输，提升器件效率。本专利技术发光二极管中的复合电子传输层与金属层相辅相成，相互配合，使得本专利技术发光二极管具有较高的亮度与效率。
附图说明
[0035]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0036]图1是本专利技术实施例1提供的量子点发光二极管的结构示意图；
[0037]图2是本专利技术实施例7提供的量子点发光二极管的结构示意图。
[0038]其中，附图标记说明：
[0039]衬底110；阳极120；空穴注入层130；空穴传输层140；量子点发光层150；复合电子传输层160；第一电子传输材料161；金属盐162；金属层170；阴极180。
具体实施方式
[0040]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：阳极、阴极、设置在阳极与阴极之间的发光层；复合电子传输层，所述复合电子传输层设置在所述阴极与所述发光层之间，所述复合电子传输层的材料包括第一材料和第二材料；其中，所述第一材料为第一电子传输材料；所述第二材料为金属盐，所述金属盐中的金属元素选自VIII族元素；以及金属层，所述金属层设置在所述阴极与所述复合电子传输层之间，所述金属层的材料为掺杂或未掺杂的金属单质，所述金属单质中的金属元素选自VIII族元素。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述复合电子传输层中，所述第二材料与所述第一材料的物质的量的比值为0.04～0.1；和/或所述金属单质与所述第一材料的物质的量的比值为0.02～0.033。3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述金属盐选自于氯化铁、氯化钴、醋酸铁、醋酸钴、硬脂酸铁、硝酸铁、硝酸钴中的一种或多种。4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述金属单质选自于镍、钯、铂中的一种或多种；和/或所述金属单质的掺杂元素选自VIII族元素，且所述掺杂元素与所述金属单质中的金属元素不同。5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一电子传输材料选自于掺杂或未掺杂的金属氧化物、掺杂或未掺杂的半导体纳米颗粒、有机电子传输材料中的一种或多种；和/或所述第一电子传输材料选自于掺杂或未掺杂的TiO2、ZnO、ZrO、SnO2、WO3、Ta2O3、HfO3、Al2O3、ZrSiO4、BaTiO3、BaZrO3、CdS、ZnSe、ZnS中的一种或多种；所述掺杂元素选自于Al、Mg、In、Li、Ga、Cd、Cs、Cu中的一种或多种。6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管为正置结构或倒置结构的发光二极管；和/或所述发光二极管为量子点发光二极管、有机发光二极管、微米发光二极管中的一种。7.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管包括量子点发光层；所述量子点发光层的材料选自于CdSe、CdS、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、Cd...

【专利技术属性】
技术研发人员：张天朔，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：