光电器件及其制备方法技术

本申请提供一种光电器件及其制备方法。光电器件的制备方法包括以下步骤：提供一含有底电极的衬底；在底电极上制备结构层，结构层包括电子功能层，对电子功能层进行α射线辐照。本申请通过采用具有高能量但穿透能力极低的α射线对电子功能层进行辐照，α射线的电离辐射造成电子功能层的表面效应，能达成电子功能层损伤退火的目的，降低光电器件驱动时的电子注入能力，促进器件内部电荷平衡，从而提高器件的效率和工作寿命，同时也能降低对光电器件的损伤。的损伤。的损伤。

【技术实现步骤摘要】
光电器件及其制备方法


[0001]本申请属于显示
，尤其涉及一种光电器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]光电器件例如OLED(Organic Light
‑
Emitting Diode，有机发光器件)或者QLED(Quantum Dots Light
‑
Emitting Diode，量子点发光器件)，经常作为显示器件应用在显示
其中，QLED具有光谱可调、发光强度大、色纯度高、荧光寿命长、单光源可激发多色荧光等优势，且QLED的寿命长、封装工艺简单或无需封装，具有广阔的发展前景。然而，光电器件在研发过程中依旧存在着一些问题，例如：光电器件在电驱动过程中，电子注入远大于空穴注入，导致器件内部电荷不平衡，器件的效率和寿命难以提高。而常规热处理等工艺虽然有调节电子空穴注入的能力，但该种工艺具有如下缺点：1.热处理对电子/空穴功能层的影响程度不可控；2.QLED器件的材料为热敏材料，升温处理会损伤材料；3.高温会影响QD(Quantum Dot,量子点)层与电子/空穴功能层的界面，严重时可出现量子点荧光淬灭的问题。
[0003]因此，亟需开发一种既能控制光电的电子注入与空穴注入，又能避免对光电器件的损伤的退火工艺。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供一种光电器件及其制备方法，以改善现有的光电器件内部电荷不平衡导致器件效率不高。
[0005]第一方面，本申请实施例提供一种光电器件的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
[0006]提供一含有底电极的衬底；
[0007]在所述底电极上制备结构层，所述结构层包括电子功能层，对所述电子功能层进行α射线辐照。
[0008]可选的，所述α射线辐照的辐照能量为1MeV～2MeV，和/或所述α射线辐照的辐照持续时间为10s～80s。
[0009]可选的，所述底电极为阳极，所述结构层还包括发光层，所述在所述底电极上制备结构层包括：在所述底电极上制备发光层，在所述发光层上制备所述电子功能层；或者，所述底电极为阴极，所述结构层为所述电子功能层，所述在所述底电极上制备结构层包括：在所述底电极上制备所述电子功能层；
[0010]对所述电子功能层进行α射线辐照包括：在制备所述电子功能层后，对所述电子功能层进行α射线辐照。
[0011]可选的，所述α射线辐照的辐照持续时间为40s～80s。
[0012]可选的，所述结构层还包括发光层和顶电极，所述顶电极为阴极，所述底电极为阳极，在所述底电极上制备结构层包括：在所述底电极上制备所述发光层，在所述发光层上制
备所述电子功能层，在所述电子功能层上制备所述顶电极；或者，所述底电极为阴极，所述顶电极为阳极，在所述底电极上制备结构层包括：在所述底电极上制备电子功能层，在所述电子功能层上制备发光层，在所述发光层上制备顶电极；
[0013]对所述电子功能层进行α射线辐照包括：在制备所述顶电极后，对所述电子功能层进行α射线辐照。
[0014]在对所述电子功能层进行α射线辐照的同时，还包括在所述底电极和所述顶电极之间连接驱动电源进行恒压驱动、恒流驱动或交流驱动。
[0015]可选的，所述恒压驱动的电压为2.5V～5V，和/或所述恒压驱动的持续时间为20s～30s；所述恒流驱动的电流为0.5mA～1mA,和/或所述恒流驱动的持续时间为20s～30s；所述交流驱动的电流为0.7mA～1.2mA,和/或所述交流驱动的持续时间为20s～30s。
[0016]可选的，所述α射线辐照的辐照能量为1MeV～2MeV，和/或所述α射线辐照的辐照持续时间为10s～20s。
[0017]可选的，所述电子功能层包括电子传输层，所述电子传输层的材料选自ZnO、TiO2、SnO2、Ta2O3、ZrO2、NiO、TiLiO、ZnAlO、ZnMgO、ZnSnO、ZnLiO和InSnO中的一种或多种；和/或，所述发光层为量子点发光层，所述量子点发光层的材料选自II
‑
VI族化合物、III
‑
V族化合物、II
‑
V族化合物、III
‑
VI族化合物、IV
‑
VI族化合物、I
‑
III
‑
VI族化合物、II
‑
IV
‑
VI族化合物和IV族单质中的一种或多种；
[0018]或者，所述量子点发光层的材料为无机钙钛矿型半导体和/或有机
‑
无机杂化钙钛矿型半导体，所述无机钙钛矿型半导体的结构通式为AMX3，其中，A为Cs
+
，M为二价金属阳离子，X为卤素阴离子；所述有机
‑
无机杂化钙钛矿型半导体的结构通式为BMX3，其中，B为有机胺阳离子，M为二价金属阳离子，X为卤素阴离子。
[0019]第二方面，本申请实施例提供一种光电器件，所述光电器件采用上述的制备方法制得。
[0020]本申请具有以下有益效果：
[0021]本申请实施例提供的光电器件及其制备方法，通过采用具有高能量但穿透能力极低的α射线对电子功能层进行辐照，α射线的电离辐射造成电子功能层的表面效应，能够达成电子功能层损伤退火的目的，降低光电器件驱动时的电子注入能力，促进光电器件内部电荷平衡，从而提高光电器件的效率和工作寿命，同时也能够降低对光电器件的损伤。
附图说明
[0022]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对本领域技术人员来说，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0023]为了更完整地理解本申请及其有益效果，下面将结合附图来进行说明。其中，在下面的描述中相同的附图标号表示相同部分。
[0024]图1为本申请实施例提供的光电器件的制备方法的流程图。
[0025]图2为实施例1、实施例2及对比例1制得的光电器件的J
‑
C.E曲线图。
具体实施方式
[0026]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0027]请参阅图1，图1为本申请实施例提供的光电器件的制备方法的流程图。光电器件的制备方法包括以下步骤：
[0028]步骤S100、提供一含有底电极的衬底；
[0029]步骤S200、在底电极上制备结构层，结构层包括电子功能层，对电子功能层进行α射线辐照。
[0030]本申请实施例提供的光电器件的制备方法，通过采用具有高能量但穿透能力极低的α射线对电子功能层进行辐照，α射线的电离辐射造成电子功能层的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光电器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：提供一含有底电极的衬底；在所述底电极上制备结构层，所述结构层包括电子功能层，对所述电子功能层进行α射线辐照。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述α射线辐照的辐照能量为1MeV～2MeV，和/或所述α射线辐照的辐照持续时间为10s～80s。3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述底电极为阳极，所述结构层还包括发光层，所述在所述底电极上制备结构层包括：在所述底电极上制备发光层，在所述发光层上制备所述电子功能层；或者，所述底电极为阴极，所述结构层为所述电子功能层，所述在所述底电极上制备结构层包括：在所述底电极上制备所述电子功能层；对所述电子功能层进行α射线辐照包括：在制备所述电子功能层后，对所述电子功能层进行α射线辐照。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述α射线辐照的辐照持续时间为40s～80s。5.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述结构层还包括发光层和顶电极，所述顶电极为阴极，所述底电极为阳极，在所述底电极上制备结构层包括：在所述底电极上制备所述发光层，在所述发光层上制备所述电子功能层，在所述电子功能层上制备所述顶电极；或者，所述底电极为阴极，所述顶电极为阳极，在所述底电极上制备结构层包括：在所述底电极上制备电子功能层，在所述电子功能层上制备发光层，在所述发光层上制备顶电极；对所述电子功能层进行α射线辐照包括：在制备所述顶电极后，对所述电子功能层进行α射线辐照。6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在对所述电子功能层进行α射线辐照的同时，还包括在所述底电极和所述顶电极之间连接驱动电源进行恒压驱动、恒流驱动或交流驱动。7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述恒压驱动的电压为2.5V～5V，和/或所述恒压驱动的持续时间为20s～30s...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪佳婷，敖资通，芦子哲，贺晓光，黄盼宁，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：