有机发光二极管和包括该有机发光二极管的有机发光显示器件制造技术

一种有机发光二极管，包括：第一发光部，其包括第一发光材料层(EML)和第一电子传输层(ETL)；第二发光部，其包括第二EML并且在所述第一发光部与第二电极之间；n型电荷产生层(CGL)，其与第一ETL接触并且在第一ETL与所述第二发光部之间；和p型CGL，其与所述n型CGL接触并且在所述n型CGL与所述第二发光部之间。所述第一ETL包含第一化合物，所述n型CGL包含第二化合物和n型掺杂剂。所述第一化合物的最低未占分子轨道(LUMO)能级可以高于所述第二化合物的LUMO能级。合物的LUMO能级。合物的LUMO能级。

【技术实现步骤摘要】
有机发光二极管和包括该有机发光二极管的有机发光显示器件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年12月29日在韩国提交的韩国专利申请No.10
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2021
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0191282的优先权，该专利申请的全部内容通过引用并入本申请中。


[0003]本公开涉及一种有机发光二极管，更具体地，涉及一种具有低驱动电压的有机发光二极管和包括该有机发光二极管的有机发光显示器件。

技术介绍

[0004]对具有小尺寸的平板显示器件的需求增加。在平板显示器件中，包括有机发光二极管(OLED)并且可以被称为有机电致发光器件的有机发光显示器件的技术正在迅速发展。
[0005]OLED通过将来自作为电子注入电极的阴极的电子和来自作为空穴注入电极的阳极的空穴两者注入到发光材料层中，将电子与空穴结合，产生激子，并将激子从激发态转变为基态来发光。
[0006]为了提供高发光效率，引入了具有包括至少两个发光部的串联结构的OLED。然而，串联结构OLED会具有驱动电压高的局限性。

技术实现思路

[0007]技术问题
[0008]因此，本公开的实施方案涉及一种OLED和有机发光显示器件，其基本上消除了与现有技术的局限性和缺点相关的一个或多个问题。
[0009]技术方案
[0010]本公开的一个目的是提供一种具有低驱动电压的OLED和有机发光器件。
[0011]在下面的描述中将阐述附加特征和方面，部分地将从描述中显而易见，或者可以通过本文中提供的本公开概念的实践来获知。本公开概念的其它特征和方面可以通过书面描述中具体指出的结构或由其衍生的结构，以及文中的权利要求书和附图来实现和得到。
[0012]如本文中所描述，为了实现根据本公开的实施方案的目的的上述优点和其它优点，本公开的一个方面是提供一种有机发光二极管，包括：第一电极；面向所述第一电极的第二电极；第一发光部，包括第一发光材料层和第一电子传输层并且位于所述第一电极与所述第二电极之间；第二发光部，包括第二发光材料层并且位于所述第一发光部与所述第二电极之间；n型电荷产生层，与所述第一电子传输层接触并且位于所述第一电子传输层与所述第二发光部之间；和p型电荷产生层，与所述n型电荷产生层接触并且位于所述n型电荷产生层与所述第二发光部之间，其中，所述第一电子传输层包含第一化合物，所述n型电荷产生层包含第二化合物和n型掺杂剂，其中，所述第一化合物的最低未占分子轨道(LUMO)能级高于所述第二化合物的LUMO能级，并且所述第一化合物的LUMO能级与所述第二化合物的
LUMO能级之间的差为0.3至1.0eV。
[0013]本公开的另一方面是提供一种有机发光显示器件，包括：基板，包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域；和有机发光二极管，设置在所述基板上方并且对应于所述红色像素区域、所述绿色像素区域和所述蓝色像素区域中的至少一个。所述有机发光二极管可以包括：第一电极；面向所述第一电极的第二电极；第一发光部，包括第一发光材料层和第一电子传输层，并且位于所述第一电极与所述第二电极之间；第二发光部，包括第二发光材料层并且位于所述第一发光部与所述第二电极之间；n型电荷产生层，与所述第一电子传输层接触并且位于所述第一电子传输层与所述第二发光部之间；和p型电荷产生层，与所述n型电荷产生层接触并且位于所述n型电荷产生层与所述第二发光部之间，其中，所述第一电子传输层包含第一化合物，所述n型电荷产生层包含第二化合物和n型掺杂剂，其中，所述第一化合物的LUMO能级高于所述第二化合物的LUMO能级，并且所述第一化合物的LUMO能级与所述第二化合物的LUMO能级之间的差为0.3至1.0eV。
[0014]应当理解的是，前面的整体描述和下面的详细描述都是示例性的和说明性的，并且意在对要求保护的本专利技术概念提供进一步的说明。
附图说明
[0015]包括附图以提供对本公开的进一步理解，并且并入本申请中并构成本申请的一部分，附图示出了本公开的实施方案，并且与说明书一起用来说明本公开的原则。
[0016]图1是本公开的有机发光显示器件的示意性电路图。
[0017]图2是根据本公开的第一实施方案的有机发光显示器件的示意性横截面图。
[0018]图3是根据本公开的第二实施方案的有机发光显示器件的示意性横截面图。
[0019]图4是根据本公开的第三实施方案的有机发光显示器件的示意性横截面图。
[0020]图5是根据本公开的第四实施方案的蓝色OLED的示意性横截面图。
[0021]图6是本公开的OLED的一部分的能带图。
具体实施方式
[0022]现在将详细参照在附图中示出的一些实施例和优选实施方案。根据本公开的所有实施方案的各个显示器件的所有组件都是可在操作下耦合和配置的。
[0023]图1是本公开的有机发光显示器件的示意性电路图。
[0024]如图1中所示，一种有机发光显示器件包括：栅极线GL、数据线DL、电源线PL、开关薄膜晶体管TFT Ts、驱动TFT Td、存储电容Cst和OLED D。栅极线GL和数据线DL彼此交叉来限定像素区域P。像素区域可以包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域。
[0025]开关TFT Ts与栅极线GL和数据线DL连接，并且驱动TFT Td和存储电容Cst与开关TFT Ts和电源线PL连接。OLED D与驱动TFT Td连接。
[0026]在所述有机发光显示器件中，当开关TFT Ts被通过栅极线GL施加的栅极信号打开时，来自数据线DL的数据信号被施加到驱动TFT Td的栅电极和存储电容Cst的电极上。
[0027]当驱动TFT Td被数据信号打开时，从电源线PL向OLED D提供电流。结果，OLED D发光。在这种情况下，当驱动TFT Td打开时，确定从电源线PL向OLED D施加的电流水平，使得OLED D可以产生灰度。
[0028]当开关TFT Ts关闭时，存储电容Cst用于保持驱动TFT Td的栅电极的电压。因此，即使开关TFT Ts关闭，从电源线PL向OLED D施加的电流水平也被保持到下一帧。
[0029]结果，所述有机发光显示器件显示期望的图像。
[0030]图2是根据本公开的第一实施方案的有机发光显示器件的示意性横截面图。
[0031]如图2中所示，有机发光显示器件100包括：基板110；在基板110上或上方的TFT Tr；覆盖TFT Tr的平坦化层150；和在平坦化层150上并与TFT Tr连接的OLED D。在基板110上可以限定红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域。
[0032]基板110可以是玻璃基板或柔性基板。例如，柔性基板可以是聚酰亚胺(PI)基板、聚醚砜(PES)基板、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)基板、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板和聚碳酸酯(PC)基板中的一种。
[0033]在基板上形成缓本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有机发光二极管，包括：第一电极；第二电极，面向所述第一电极；第一发光部，包括第一发光材料层和第一电子传输层并且位于所述第一电极与所述第二电极之间；第二发光部，包括第二发光材料层并且位于所述第一发光部与所述第二电极之间；n型电荷产生层，与所述第一电子传输层接触并且位于所述第一电子传输层与所述第二发光部之间；和p型电荷产生层，与所述n型电荷产生层接触并且位于所述n型电荷产生层与所述第二发光部之间，其中，所述第一电子传输层包含第一化合物，所述n型电荷产生层包含第二化合物和n型掺杂剂，并且其中，所述第一化合物的最低未占分子轨道(LUMO)能级高于所述第二化合物的LUMO能级，并且所述第一化合物的LUMO能级与所述第二化合物的LUMO能级之间的差为0.3至1.0eV。2.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中，所述第一化合物由式1表示：[式1]其中，X1、X2和X3各自独立地是N或CR，并且X1、X2和X3中的至少一个是N，其中，R选自氢、被取代或未被取代的C1至C10烷基、被取代或未被取代的C6至C30芳基和被取代或未被取代的C3至C30杂芳基，其中，L1是被取代或未被取代的C6至C30亚芳基，a是0或1，其中，Ar1和Ar2各自独立地选自被取代或未被取代的C6至C30芳基以及被取代或未被取代的C3至C30杂芳基。3.根据权利要求2所述的有机发光二极管，其中，所述第一化合物是式2的化合物中的一种：[式2]
4.根据权利要求2所述的有机发光二极管，其中，所述第二化合物由式3表示：[式3]其中，L2是被取代或未被取代的C6至C30亚芳基，b是0或1，其中，Ar3选自被取代或未被取代的C6至C30芳基和包含O和S中的至少一个的被取代或未被取代的C3至C30杂芳基。5.根据权利要求4所述的有机发光二极管，其中，所述第二化合物是式4的化合物中的一种：[式4]
6.根据权利要求4所述的有机发光二极管，其中，所述n型掺杂剂是Li或Cs。7.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中，所述p型电荷产生层包含第三化合物和p型掺杂剂，并且其中，所述第三化合物的LUMO能级高于所述第二化合物的LUMO能级。8.根据权利要求7所述的有机发光二极管，其中，所述第三化合物的LUMO能级与所述第二化合物的LUMO能级之间的差为1.0至2.0eV。9.根据权利要求7所述的有机发光二极管，其中，所述第三化合物由式5表示：[式5]
其中，R1和R2各自独立地选自被取代或未被取代的C1至C10烷基和被取代或未被取代的C6至C30芳基，或者R1和R2连接形成环，其中，Y是单键(直接键)或NR3，R3选自氢、被取代或未被取代的C1至C10烷基和被取代或未被取代的C6至C30芳基，并且其中，c1是0至4的整数，c2是0至5的整数，c3和c4各自独立地是0或1。10.根据权利要求9所述的有机发光二极管，其中，所述第三化合物是式6的化合物中的一种：[式6]
11.根据权利要求7所述的有机发光二极管，其中，所述p型掺杂剂的LUMO能级高于所述第三化...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐正大，金信韩，邢民硕，韩圭一，朴镇镐，卢承光，权纯甲，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：