一种工业化生产高纯磷化铟多晶半导体材料的装置制造方法及图纸

技术编号:38185170 阅读:13 留言:0更新日期:2023-07-20 01:34
本实用新型专利技术公开了一种工业化生产高纯磷化铟多晶半导体材料的装置,包括清洗装置和夹持装置,所述清洗装置包括箱体,所述箱体的内壁顶部装设有水箱,所述水箱的底部装设有水管,所述水管的底部装设有喷洒盘,所述箱体的内壁上方装设有第一滑杆,所述第一滑杆的外侧套设有喷洒盘,所述喷洒盘的底部装设有喷头,所述喷洒盘的右侧装设有伸缩杆。该工业化生产高纯磷化铟多晶半导体材料的装置,通过设置螺杆方便调节夹板的范围,有助于对不同规格大小的半导体材料进行清洗,通过夹板内侧设置的防护垫有效对半导体材料进行保护,避免损伤,通过设置滑轮和支撑脚便于将装置本体移动到合适位置且进行固定。适位置且进行固定。适位置且进行固定。

【技术实现步骤摘要】
一种工业化生产高纯磷化铟多晶半导体材料的装置


[0001]本技术涉及半导体材料生产设备
,具体为一种工业化生产高纯磷化铟多晶半导体材料的装置。

技术介绍

[0002]磷化铟是一种直接跃迁型半导体,砷化镓器件已在微波、激光、发光、集成电路、光纤通讯、太阳能电池等方面获得实际应用。而磷化铟相比于砷化镓,具有更高的漂移速度峰谷比,这就决定了磷化铟用于转移电子振荡器时具有更高的频率。另外磷化铟的特点还包括阈值电场高、最大电子漂移速度快、转移效率高、极限频率高和噪声系数低等,这些特点适用于制造体效应器件和场效应器件。同时,磷化铟导热系数大,具有高频大功率潜力。目前利用磷化铟制造的元器件已经在微波通信、人造卫星和空间技术上得到应用。
[0003]工业化半导体材料在加工生产后需要对半导体材料进行清洗处理,一般利用人工,浪费大量人力和时间成本,另外,清洁中若不做好防护措施,极易导致半导体材料的损坏,造成不必要的经济损失,为此,提出一种工业化生产高纯磷化铟多晶半导体材料的装置。

技术实现思路

[0004]针对现有技术的不足,本技术提供了一种工业化生产高纯磷化铟多晶半导体材料的装置,具备减少经济损失和人力消耗等优点,解决了浪费人力和时间成本的问题。
[0005]为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:一种工业化生产高纯磷化铟多晶半导体材料的装置,包括清洗装置和夹持装置,所述清洗装置包括箱体,所述箱体的内壁顶部装设有水箱,所述水箱的底部装设有水管,所述水管的底部装设有喷洒盘,所述箱体的内壁上方装设有第一滑杆,所述第一滑杆的外侧套设有喷洒盘,所述喷洒盘的底部装设有喷头,所述喷洒盘的右侧装设有伸缩杆。
[0006]所述夹持装置包括装设在箱体中部的支撑板,所述支撑板的顶部装设有固定箱,所述固定箱的内部装设有第二滑杆,所述第二滑杆的外部左右两侧均套设有滑块,所述滑块的顶部装设有夹板,所述夹板的中部插接有螺杆,所述夹板与螺杆螺纹连接,所述螺杆的右侧装设有把手,所述支撑板的底部装设有转动杆,所述转动杆的底部装设有电机,所述电机的输出轴与转动杆相连接,所述转动杆与固定箱固定连接,所述支撑板的底部装设有出水通道,所述出水通道的底部内壁装设有过滤网,所述出水通道的底部装设有出水管。
[0007]进一步,所述水箱的顶部开设有进水口,所述进水口的顶部装设有螺纹盖。
[0008]进一步,两个所述夹板的相对内侧装设有防护垫,所述夹板的外形为圆弧型。
[0009]进一步,所述箱体的底部左右两侧均装设有滑轮和支撑脚,所述支撑脚的底部设置为圆盘状。
[0010]进一步,所述第二滑杆与滑块滑动连接,所述喷洒盘与第一滑杆滑动连接。
[0011]进一步,所述出水通道的外形为梯形设置,所述出水通道与过滤网固定连接。
[0012]与现有技术相比,本申请的技术方案具备以下有益效果:
[0013]1、该工业化生产高纯磷化铟多晶半导体材料的装置,通过设置螺杆方便调节夹板的范围,有助于对不同规格大小的半导体材料进行清洗,通过夹板内侧设置的防护垫有效对半导体材料进行保护,避免损伤。
[0014]2、该工业化生产高纯磷化铟多晶半导体材料的装置,通过设置滑轮和支撑脚便于将装置本体移动到合适位置且进行固定,通过设置伸缩杆移动喷洒盘增大了清洗范围,提高效率。
附图说明
[0015]图1为本技术的结构示意图;
[0016]图2为本技术图1中A部分的放大图。
[0017]图中:1滑轮、2支撑脚、3出水管、4电机、5转动杆、6喷头、7伸缩杆、8第一滑杆、9水箱、10水管、11喷洒盘、12箱体、13出水通道、14过滤网、15第二滑杆、16夹板、17螺杆、18把手、19滑块。
具体实施方式
[0018]下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。
[0019]请参阅图1

2,本实施例中的一种工业化生产高纯磷化铟多晶半导体材料的装置,包括清洗装置和夹持装置,清洗装置包括箱体12,箱体12的底部左右两侧均装设有滑轮1和支撑脚2,支撑脚2的底部设置为圆盘状,箱体12的内壁顶部装设有水箱9,水箱9的顶部开设有进水口,进水口的顶部装设有螺纹盖,水箱9的底部装设有水管10,水管10的底部装设有喷洒盘11,箱体12的内壁上方装设有第一滑杆8,第一滑杆8的外侧套设有喷洒盘11,喷洒盘11的底部装设有喷头6,喷洒盘11的右侧装设有伸缩杆7。
[0020]通过设置滑轮1和支撑脚2便于将装置本体移动到合适位置且进行固定,通过设置伸缩杆7移动喷洒盘11增大了清洗范围,提高效率。
[0021]夹持装置包括装设在箱体12中部的支撑板,支撑板的顶部装设有固定箱,固定箱的内部装设有第二滑杆15,第二滑杆15的外部左右两侧均套设有滑块19,第二滑杆15与滑块19滑动连接,喷洒盘11与第一滑杆8滑动连接,滑块19的顶部装设有夹板16,两个夹板16的相对内侧装设有防护垫,夹板16的外形为圆弧型,夹板16的中部插接有螺杆17,夹板16与螺杆17螺纹连接,螺杆17的右侧装设有把手18,支撑板的底部装设有转动杆5,转动杆5的底部装设有电机4,电机4的输出轴与转动杆5相连接,转动杆5与固定箱固定连接,支撑板的底部装设有出水通道13,出水通道13的外形为梯形设置,出水通道13与过滤网14固定连接,出水通道13的底部内壁装设有过滤网14,出水通道13的底部装设有出水管3。
[0022]通过设置螺杆17方便调节夹板16的范围,有助于对不同规格大小的半导体材料进行清洗,通过夹板16内侧设置的防护垫有效对半导体材料进行保护,避免损伤。
[0023]上述实施例的工作原理为:
[0024]使用时,将半导体材料放置在两个夹板16之间,通过旋转把手18调节两个夹板16的位置对半导体材料进行夹持,防止松动,通过伸缩杆7推动喷洒盘11左右移动,从而增大清洗范围,通过喷头6对半导体材料进行清洗,清洗后的污水流向出水通道13内部通过出水管3流出箱体12外部。
[0025]有益效果:
[0026]该工业化生产高纯磷化铟多晶半导体材料的装置,通过设置螺杆17方便调节夹板16的范围,有助于对不同规格大小的半导体材料进行清洗,通过夹板16内侧设置的防护垫有效对半导体材料进行保护,避免损伤。
[0027]需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种工业化生产高纯磷化铟多晶半导体材料的装置,包括清洗装置和夹持装置,其特征在于:所述清洗装置包括箱体(12),所述箱体(12)的内壁顶部装设有水箱(9),所述水箱(9)的底部装设有水管(10),所述水管(10)的底部装设有喷洒盘(11),所述箱体(12)的内壁上方装设有第一滑杆(8),所述第一滑杆(8)的外侧套设有喷洒盘(11),所述喷洒盘(11)的底部装设有喷头(6),所述喷洒盘(11)的右侧装设有伸缩杆(7);所述夹持装置包括装设在箱体(12)中部的支撑板,所述支撑板的顶部装设有固定箱,所述固定箱的内部装设有第二滑杆(15),所述第二滑杆(15)的外部左右两侧均套设有滑块(19),所述滑块(19)的顶部装设有夹板(16),所述夹板(16)的中部插接有螺杆(17),所述夹板(16)与螺杆(17)螺纹连接,所述螺杆(17)的右侧装设有把手(18),所述支撑板的底部装设有转动杆(5),所述转动杆(5)的底部装设有电机(4),所述电机(4)的输出轴与转动杆(5)相连接,所述转动杆(5)与固定箱固定连接,所述支撑板的底部装设有出水通...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄小华聂林涛陈龙陈瑜郭锐
申请(专利权)人:陕西铟杰半导体有限公司
类型:新型
国别省市:

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