【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种表面等离子体纳米光刻法，其特征在于，包括如下步骤： 第一步、采用化学腐蚀工艺制备纳米尺度石英掩模板； 第二步、在基板上沉积一层金属薄膜作为掩模板，该金属薄膜是指厚度为３０～６０纳米的金、银或铝制薄膜； 第三步、在硅片上 甩涂一层厚度为：１００～２００纳米的光刻胶； 第四步、通过平行紫外光透过掩模板，在近场条件下对涂有光刻胶的基底进行接触式曝光，实现图形的加工； 第五步、利用沉积银膜的石英模板作为掩模板，用光刻机进行接触式曝光； 第六步、进 行显影，显影时间为２０～４５秒。
【技术特征摘要】
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