一种铜缀溶液及其使用方法技术

本发明专利技术公开了一种铜缀溶液及其使用方法，其铜缀溶液包括Ａ溶液和Ｂ溶液，Ａ溶液和Ｂ溶液不能混合，其中Ａ溶液为Ｃｕ（ＮＯ３）２在ＨＦ中的溶解液，Ｂ溶液为ＫＯＨ在Ｈ２Ｏ中的溶解液。该铜缀溶液的使用方法是先用Ａ溶液缀蚀重掺硅单晶２０－４０分钟；再将重掺硅单晶放入Ｂ溶液中腐蚀４０－８０分钟，再用纯水洗净吹干，最后使用显微镜观察晶体位错缺陷。本发明专利技术具有对人体和环境影响小；能有效显示重掺（１００）硅单晶的位错缺陷；原材料常见，比较容易得到；配制比较简单，操作也比较简单等优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种显示缺陷的腐蚀溶液及其使用方法，具体地说是一种显示重掺 <100>硅单晶位错缺陷的腐蚀溶液及其使用方法。
技术介绍
作为半导体电子元件的大多数制造过程的起始材料的单晶硅通常是用所谓 Czochralski法来制备的.在这个方法中，多晶体的硅(“多晶硅”)被装入到一个坩埚内 并被熔化，然后使一个籽晶与熔化的硅接，单晶便可在缓慢抽引下生长起来。随着晶体的开 始生长，由于籽晶与熔液接触时受到热震动，晶体内的位错也就产生，且位错在生长的晶体 中传播开来并成倍增加。目前ASTM1809-02推荐的显示重掺<100>硅单晶位错缺陷的腐蚀溶液有Secco溶 液和Wright溶液。其中Secco溶液为先将Ilg K2Cr2O3溶解于250ml H2O中，再以1 2的 比例与浓度49%的HF混合，该溶液存在的不足有对环境和人体危害较大；不适合重掺P 型硅单晶。而 Wright 溶液由 A 溶液45g Cr203+90ml H2O 和 B 溶液6g Cu (NO3)2+180ml H2O 及C溶液90ml HNO3+180mlCH3COOH+180ml HF本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铜缀溶液，其特征在与，所述铜缀溶液包括Ａ溶液和Ｂ溶液，其中Ａ溶液为Ｃｕ（ＮＯ↓［３］）↓［２］在ＨＦ中的溶解液，Ｂ溶液为ＫＯＨ在Ｈ↓［２］Ｏ中的溶解液。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：金柱，
申请(专利权)人：上海申和热磁电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31