一种改善清洗剂残留的晶圆清洗装置制造方法及图纸

技术编号:38153197 阅读:9 留言:0更新日期:2023-07-13 09:19
本发明专利技术提供一种改善清洗剂残留的晶圆清洗装置,晶圆承载平台,边缘设有夹持组件;导流板开设有导流槽;下压导流盖覆盖导流槽,下压导流盖与导流槽之间的间隙形成气流扩散通道和第一环形间隙,第一环形间隙的出气端朝向晶圆的边缘区域;导流板设置有穿孔和第一气流通道;夹持组件穿过穿孔并露出夹持头部,且和穿孔之间的间隙形成第二环形间隙;第一气流通道连通气流扩散通道和第二环形间隙。增强夹持组件靠近晶圆的区域的气流,加大清洗剂和脏污的吹送力度,防止晶圆和夹持组件附近的区域清洗剂和脏污残留。剂和脏污残留。剂和脏污残留。

【技术实现步骤摘要】
一种改善清洗剂残留的晶圆清洗装置


[0001]本专利技术涉及晶圆清洗
,尤其涉及一种改善清洗剂残留的晶圆清洗装置。

技术介绍

[0002]在晶圆处理过程中,离不开对晶圆进行清洗的工艺环节,对晶圆的清洗过程中,包括对晶圆的上表面或者下表面的单面清洗或者双面清洗或者边缘清洗,一般地,通常晶圆承载平台带有夹持机构,对晶圆进行夹持时,旋转晶圆承载平台,同时向晶圆喷洒清洗剂,对晶圆进行清洗,在晶圆清洗过程中,晶圆和夹持机构接触的区域,清洗剂和脏污的残留不易去除,从而带有残留,影响晶圆的清洁性。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种改善清洗剂残留的晶圆清洗装置,旨在解决夹持组件与晶圆附近存在残留等技术问题。
[0004]一种改善清洗剂残留的晶圆清洗装置,包括:
[0005]晶圆承载平台,边缘布设有若干用于实现对晶圆限位的夹持组件;
[0006]导流板,设置在晶圆承载平台的上端面,导流板的上端面开设有导流槽;
[0007]下压导流盖,覆盖导流槽,下压导流盖的下端面与导流槽的底部之间的间隙形成气流扩散通道,下压导流盖的外侧面与导流槽的侧壁之间的间隙形成第一环形间隙,第一环形间隙的进气端与气流扩散通道连通,第一环形间隙的出气端朝向晶圆的边缘区域;
[0008]导流板上还设置有与夹持组件一一对应的穿孔以及一一对应的第一气流通道;
[0009]夹持组件穿过对应的穿孔并露出上端的夹持头部,且夹持组件和穿孔之间的间隙形成第二环形间隙;
[0010]第一气流通道的进气端连通气流扩散通道,第一气流通道的出气端连通对应的第二环形间隙。
[0011]进一步的,导流板上还开设有与夹持组件一一对应的第二气流通道,第二气流通道的进气端连通第一气流通道,第二气流通道的出气端靠近对应的夹持组件。
[0012]进一步的,第二气流通道包括竖直段和倾斜段,第二气流通道的竖直段连通第一气流通道,第二气流通道的倾斜段向对应的夹持头部的方向倾斜。
[0013]进一步的,第一环形间隙向晶圆的边缘倾斜。
[0014]进一步的,第一环形间隙的间隙大小沿朝向晶圆的边缘的方向逐渐变小。
[0015]进一步的,晶圆承载平台开设有固定槽;
[0016]固定槽用于固定喷流管组件;
[0017]导流槽的底部开设有导流孔,导流孔与固定槽对应并容纳喷流管组件;
[0018]外部输入的气流从喷流管组件的内部管道喷出进入气流扩散通道。
[0019]进一步的,喷流管组件的上端面与导流槽的底部齐平。
[0020]进一步的,下压导流盖的上端面设有凹槽;
[0021]凹槽的侧壁向外倾斜。
[0022]进一步的,凹槽的底部的边缘设有沿圆周方向排列的若干通孔;
[0023]通孔的进气端连通气流扩散通道;通孔朝向凹槽的侧壁方向倾斜。
[0024]进一步的,晶圆承载平台还包括:
[0025]上壳体和下壳体;
[0026]卡盘组件,设置在上壳体和下壳体之间,卡盘组件的外边缘设有与夹持组件一一对应的弧形齿条;
[0027]夹持组件的下端设有从动齿轮,齿轮和对应的弧形齿条啮合连接;
[0028]卡盘组件连接电机,电机带动卡盘组件旋转,从而带动夹持组件的旋转;
[0029]夹持组件的旋转使夹持头部接近晶圆承载平台的中心时实现对晶圆的夹紧,远离晶圆承载平台的中心时实现对晶圆的非夹紧。
[0030]本专利技术的有益技术效果在于:第一环形间隙喷出的气流可以在晶圆非夹紧时使晶圆处于悬浮状态,降低晶圆接触带来的残留可能性,夹紧和非夹紧晶圆时吹走清洗剂和脏污,并防止晶圆的下表面被污染,第二环形间隙增强夹持组件靠近晶圆的区域的气流,加大清洗剂和脏污的吹送力度,防止清洗剂和脏污残留。
附图说明
[0031]图1为本专利技术一种改善清洗剂残留的晶圆清洗装置的一种实施方式的结构示意图;
[0032]图2为本专利技术一种改善清洗剂残留的晶圆清洗装置的一种实施方式的气流走向示意图;
[0033]图3为本专利技术一种改善清洗剂残留的晶圆清洗装置的另一种实施方式的结构示意图;
[0034]图4为本专利技术一种改善清洗剂残留的晶圆清洗装置的晶圆承载平台的结构示意图;
[0035]图5为本专利技术一种改善清洗剂残留的晶圆清洗装置的实现晶圆下表面清洗的结构示意图。
[0036]其中,
[0037]1‑
晶圆承载平台;
[0038]101

夹持组件;
[0039]1011

夹持头部;
[0040]102

固定槽;
[0041]103

空气动力组件;
[0042]104

上壳体;
[0043]105

下壳体;
[0044]106

内部气室;
[0045]107

卡盘组件;
[0046]108

电机;
[0047]2‑
导流板;
[0048]201

导流槽;
[0049]202

气流扩散通道;
[0050]203

第一环形间隙;
[0051]204

导流孔;
[0052]205

第一气流通道;
[0053]206

第二环形间隙;
[0054]207

第二气流通道;
[0055]3‑
下压导流盖;
[0056]301

凹槽;
[0057]302

通孔;
[0058]4‑
喷流管组件;
[0059]5‑
清洗管件
具体实施方式
[0060]下面将结合本实施例中的附图,对本实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本保护的范围。
[0061]需要说明的是,在不冲突的情况下,本中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0062]下面结合附图和具体实施例对本作进一步说明,但不作为本的限定。
[0063]参见图1,本专利技术提供一种改善清洗剂残留的晶圆清洗装置,包括:
[0064]晶圆承载平台(1),边缘布设有若干用于实现对晶圆限位夹紧和/或非夹紧的夹持组件(101);
[0065]导流板(2),设置在晶圆承载平台(1)的上端面,导流板(2)的上端面开设有导流槽(201);
[0066]下压导流盖(3),覆盖导流槽(201),下压导流盖(3)的下端面与导本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善清洗剂残留的晶圆清洗装置,其特征在于,包括:晶圆承载平台,边缘布设有若干用于实现对晶圆限位的夹持组件;导流板,设置在所述晶圆承载平台的上端面,导流板的上端面开设有导流槽;下压导流盖,覆盖所述导流槽,所述下压导流盖的下端面与所述导流槽的底部之间的间隙形成气流扩散通道,所述下压导流盖的外侧面与所述导流槽的侧壁之间的间隙形成第一环形间隙,所述第一环形间隙的进气端与所述气流扩散通道连通,所述第一环形间隙的出气端朝向所述晶圆的边缘区域;所述导流板上还设置有与所述夹持组件一一对应的穿孔以及一一对应的第一气流通道;所述夹持组件穿过对应的所述穿孔并露出上端的夹持头部,且所述夹持组件和所述穿孔之间的间隙形成第二环形间隙;所述第一气流通道的进气端连通所述气流扩散通道,所述第一气流通道的出气端连通对应的所述第二环形间隙。2.如权利要求1所述的一种改善清洗剂残留的晶圆清洗装置,其特征在于,所述导流板上还开设有与所述夹持组件一一对应的第二气流通道,所述第二气流通道的进气端连通所述第一气流通道,所述第二气流通道的出气端靠近对应的所述夹持组件。3.如权利要求2所述的一种改善清洗剂残留的晶圆清洗装置,其特征在于,所述第二气流通道包括竖直段和倾斜段,所述第二气流通道的竖直段连通所述第一气流通道,所述第二气流通道的倾斜段向对应的所述夹持头部的方向倾斜。4.如权利要求1所述的一种改善清洗剂残留的晶圆清洗装置,其特征在于,所述第一环形间隙向所述晶圆的边缘倾斜。5.如权利要求4所述的一种改善清洗剂残留的晶圆清洗装...

【专利技术属性】
技术研发人员:张辉陈新来邓信甫王奎廖世保
申请(专利权)人:至微半导体上海有限公司
类型:发明
国别省市:

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