半导体器件的终端结构制造技术

本申请涉及一种半导体器件的终端结构，半导体器件的终端结构包括：第一表面、第二表面、在第一表面与第二表面之间层叠设置的第一半导体层和第二半导体层、由第一表面向第二表面延伸设置的多个沟槽，第一半导体层为主结，沟槽位于第一半导体层沿第一方向上的一侧，沟槽设置有掺杂层，至少部分沟槽的延伸尺寸沿第一方向呈逐渐减小的趋势。其中，沟槽包括子沟槽，沿第一表面至第二表面的方向上，各沟槽内第一级子沟槽至第N级子沟槽依次分布，至少部分相邻两个沟槽中靠近主结的一者包括M个子沟槽，另一者包括M

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的终端结构


[0001]本申请涉及半导体器件
，尤其涉及一种半导体器件的终端结构。

技术介绍

[0002]碳化硅（SiC）功率金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET）以击穿电压高、开关速度快、热导率高、低导通电阻、低开关损耗和低驱动功率等特点，成为发展最成熟且最具有应用前景的SiC功率器件。
[0003]传统设计上的功率半导体器件(以MOSFET及IGBT)在终端耐压结构方面常采用场限环(结合金属或多晶场板)结构、结终端扩展结构、横向变掺杂结构等等，其中结终端扩展结构和横向变掺杂结构在占用终端宽度上有较大的优势。
[0004]现有的终端结构，多是从版图设计和调整终端离子注入工艺两个方向进行，实现变掺杂结构。此种结构在实际生产时，需要精确控制离子注入剂量，对注入工装的要求度高，制作难度较高。

技术实现思路

[0005]本申请实施例提供的半导体器件的终端结构，能够有效改善终端耐压性能的同时，降低耐压本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的终端结构，其特征在于，包括：第一表面、第二表面、在所述第一表面与所述第二表面之间层叠设置的第一半导体层和第二半导体层、由所述第一表面向所述第二表面延伸设置的多个沟槽，所述第二半导体层为第一掺杂类型，所述第一半导体层为第二掺杂类型，所述第一半导体层为主结，所述沟槽位于所述第一半导体层沿第一方向上的一侧，所述沟槽设置有掺杂层，所述掺杂层为第二掺杂类型，至少部分所述沟槽的延伸尺寸沿所述第一方向呈逐渐减小的趋势；其中，所述沟槽包括子沟槽，沿所述第一表面至所述第二表面的方向上，各所述沟槽内第一级子沟槽至第N级子沟槽依次分布，至少部分相邻两个所述沟槽中靠近所述主结的一者包括M个子沟槽，另一者包括M
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1个子沟槽，所述第一方向为所述主结指向所述沟槽的方向，N≥1，且M≥2。2.根据权利要求1所述的半导体器件的终端结构，其特征在于，同一所述沟槽中相邻两个所述子沟槽中，靠近所述第一表面的子沟槽沿所述第一方向的尺寸大于靠近所述第二表面的子沟槽沿所述第一方向的尺寸。3.根据权利要求1所述的半导体器件的终端结构，其特征在于，与所述主结相邻的所述沟槽与所述主结抵接设置。4.根据权利要求1所述的半导体器件的终端结构，其特征在于，多个所述沟槽中的至少部分所述沟槽等间距设置。5.根据权利要求1所述的半导体器件的终端结构，其特征在于，相邻两个所...

【专利技术属性】
技术研发人员：祁金伟，
申请(专利权)人：苏州华太电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：